Produkte > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH2R608NH,L1Q
TPH2R608NH,L1Q

TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2R608NH_datasheet_en_20191018.pdf?did=15733&prodName=TPH2R608NH Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 115000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5000+0.92 EUR
10000+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 142W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V.

Weitere Produktangebote TPH2R608NH,L1Q nach Preis ab 0.72 EUR bis 2.38 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Hersteller : Toshiba tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 5084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
146+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 146
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Hersteller : Toshiba tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 5084 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
78+2 EUR
91+ 1.64 EUR
92+ 1.57 EUR
115+ 1.2 EUR
250+ 1.13 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.8 EUR
3000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 78
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R608NH_datasheet_en_20191018.pdf?did=15733&prodName=TPH2R608NH Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
auf Bestellung 121381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+2.34 EUR
10+ 1.92 EUR
100+ 1.49 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 1.03 EUR
2000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Hersteller : Toshiba TPH2R608NH_datasheet_en_20191018-1916309.pdf MOSFET Power MOSFET N-Channel Single
auf Bestellung 14209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.38 EUR
10+ 1.97 EUR
100+ 1.53 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 0.99 EUR
5000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Hersteller : Toshiba tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Hersteller : Toshiba tph2r608nh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar