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TPN6R003NL,LQ(S TOSHIBA

Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0052 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1986 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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Technische Details TPN6R003NL,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0052 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit
TPN6R003NL,LQ(S	Hersteller : TOSHIBA	Description: TOSHIBA - TPN6R003NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 0.0052 ohm, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)	auf Bestellung 1986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TPN6R003NL,LQ(S	Hersteller : TOSHIBA	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 56A; Idm: 116A; 32W; TSON8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 56A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 32W Case: TSON8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar
TPN6R003NL,LQ(S	Hersteller : TOSHIBA	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 56A; Idm: 116A; 32W; TSON8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 56A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 32W Case: TSON8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced	Produkt ist nicht verfügbar