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Technische Details TTA006B,Q(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TTA006B,Q(S - Bipolares Transistor-Array, PNP, 230 V, 1 A, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Durchsteckmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 10W, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A, Übergangsfrequenz, PNP: 70MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-126N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 230V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote TTA006B,Q(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TTA006B,Q(S | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TTA006B,Q(S - Bipolares Transistor-Array, PNP, 230 V, 1 AtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Durchsteckmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 10W usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 70MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-126N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 230V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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TTA006B,Q(S | Hersteller : Toshiba |
Silicon PNP Epitaxial Type |
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| TTA006B,Q(S | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANSISTOR PNP BIPO TO126N Packaging: Tube |
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