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TW107N65C,S1F(S

TW107N65C,S1F(S TOSHIBA


3760623.pdf Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TW107N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.145 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 20A
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Technische Details TW107N65C,S1F(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TW107N65C,S1F(S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 650 V, 0.145 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 76W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Weitere Produktangebote TW107N65C,S1F(S nach Preis ab 14.02 EUR bis 19.19 EUR

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TW107N65C,S1F(S Hersteller : Toshiba TW107N65C,S1F(S
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TW107N65C,S1F(S Hersteller : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL, SiC Mosfets 650V
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