UF3C065040B3 Qorvo
Hersteller: Qorvo
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 21.33 EUR |
| 10+ | 18.78 EUR |
| 100+ | 16.24 EUR |
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Technische Details UF3C065040B3 Qorvo
Description: UNITEDSIC - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 176, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042, Rds(on)-Prüfspannung: 12, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote UF3C065040B3 nach Preis ab 15.89 EUR bis 21.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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UF3C065040B3 | Hersteller : Qorvo |
 MOSFET 650V/40mOhms,SICFET,G3,TO263-3 |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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UF3C065040B3 | Hersteller : UNITEDSIC |
Description: UNITEDSIC - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 176 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 176 Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042 Rds(on)-Prüfspannung: 12 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UF3C065040B3 | Hersteller : UNITEDSIC |
Description: UNITEDSIC - UF3C065040B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 650 V, 0.042 ohm, D2PAK tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 176 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042 rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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UF3C065040B3 | Hersteller : Qorvo |
Description: MOSFET N-CH 650V 41A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 12V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
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