UT6JC5TCR

UT6JC5TCR Rohm Semiconductor


datasheet?p=UT6JC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
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Technische Details UT6JC5TCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - UT6JC5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.22 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.22ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.22ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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UT6JC5TCR UT6JC5TCR Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=UT6JC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET -60V Dual Pch+Pch, DFN2020, Power MOSFET
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UT6JC5TCR UT6JC5TCR Hersteller : ROHM ut6jc5tcr-e.pdf Description: ROHM - UT6JC5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.22 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.22ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.22ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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UT6JC5TCR UT6JC5TCR Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6JC5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
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