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Technische Details XP10N3R5XT XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 142A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: PMPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: XP10N3R5 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote XP10N3R5XT nach Preis ab 6.39 EUR bis 10.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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XP10N3R5XT | Hersteller : YAGEO XSemi |
 MOSFET N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X |
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XP10N3R5XT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 142A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP10N3R5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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XP10N3R5XT | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP10N3R5XT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 142 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 142A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PMPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: XP10N3R5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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