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XP151A13A0MR-G

XP151A13A0MR-G Torex Semiconductor

TOSLS00802_1-2574760.pdf Hersteller: Torex Semiconductor
MOSFET Power MOSFET, 20V, 1A, N-Type, SOT-23
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Technische Details XP151A13A0MR-G Torex Semiconductor

Description: TOREX - XP151A13A0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: XP151, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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XP151A13A0MR-G XP151A13A0MR-G Hersteller : TOREX 3118335.pdf Description: TOREX - XP151A13A0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XP151
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP151A13A0MR-G XP151A13A0MR-G Hersteller : TOREX 3118335.pdf Description: TOREX - XP151A13A0MR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XP151
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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XP151A13A0MR-G XP151A13A0MR-G Hersteller : TOREX XP151A13A0MR.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 0.5W; SOT23-3
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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XP151A13A0MR-G XP151A13A0MR-G Hersteller : Torex Semiconductor Ltd XP151A13A0MR.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
XP151A13A0MR-G XP151A13A0MR-G Hersteller : Torex Semiconductor Ltd XP151A13A0MR.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
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XP151A13A0MR-G XP151A13A0MR-G Hersteller : TOREX XP151A13A0MR.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 0.5W; SOT23-3
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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