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Technische Details XP2530AGY XSemi
Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote XP2530AGY nach Preis ab 0.63 EUR bis 1.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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XP2530AGY | Hersteller : XSemi Corporation |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.136W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 |
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XP2530AGY | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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XP2530AGY | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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XP2530AGY | Hersteller : XSemi Corporation |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.136W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 |
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