auf Bestellung 7290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 0.48 EUR |
10+ | 0.33 EUR |
100+ | 0.21 EUR |
1000+ | 0.093 EUR |
3000+ | 0.081 EUR |
9000+ | 0.06 EUR |
24000+ | 0.058 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details XP261N70023R-G Torex Semiconductor
Description: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-323-3A, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP261N7002xx-G, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote XP261N70023R-G
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
XP261N70023R-G | Hersteller : TOREX |
Description: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP261N7002xx-G productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
XP261N70023R-G | Hersteller : TOREX |
Description: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-323-3A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP261N7002xx-G productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
XP261N70023R-G | Hersteller : TOREX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15A; Idm: 0.3A; 0.35W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.3A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
XP261N70023R-G | Hersteller : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323-3A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
XP261N70023R-G | Hersteller : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323-3A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
XP261N70023R-G | Hersteller : TOREX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15A; Idm: 0.3A; 0.35W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.3A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
Produkt ist nicht verfügbar |