XP6NA3R0H YAGEO XSEMI
Hersteller: YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP6NA3R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 200 Stücke:
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Technische Details XP6NA3R0H YAGEO XSEMI
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 126A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP6NA3R0 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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XP6NA3R0H | Hersteller : YAGEO XSEMI |
Description: YAGEO XSEMI - XP6NA3R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP6NA3R0 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |