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Technische Details ZVN4310A Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote ZVN4310A nach Preis ab 0.72 EUR bis 2.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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ZVN4310A | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 100V 0.9A 3-Pin E-Line |
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ZVN4310A | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Chnl 100V |
auf Bestellung 3255 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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ZVN4310A | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4310A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 900 mA, 0.65 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 850mW Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZVN4310A | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.9A 3-Pin E-Line |
Produkt ist nicht verfügbar |
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ZVN4310A | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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