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NE85633L-A NE85633L-A CEL NE856_Series.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
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NE85633-R23-A NE85633-R23-A CEL ne85633.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
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NE85633-R24-A NE85633-R24-A CEL ne85633.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
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NE85633-R25-A NE85633-R25-A CEL ne85633.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
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NE85633-T1B NE85633-T1B CEL NE85633.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
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NE85633-T1B NE85633-T1B CEL NE85633.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
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NE85633-T1B-A NE85633-T1B-A CEL NE85633_2SC3356_Rev3.00_6-28-11.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
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NE85633-T1B-A NE85633-T1B-A CEL ne85633-474677.pdf RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
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NE85633-T1B-A NE85633-T1B-A CEL NE85633_2SC3356_Rev3.00_6-28-11.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
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NE85633-T1B-R23-A NE85633-T1B-R23-A CEL NE85633_2SC3356_Rev3.00_6-28-11.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
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NE85633-T1B-R24-A NE85633-T1B-R24-A CEL ne85633.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
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NE85633-T1B-R25-A NE85633-T1B-R25-A CEL ne85633-474677.pdf RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
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NE85633-T1B-R25-A NE85633-T1B-R25-A CEL NE85633_2SC3356_Rev3.00_6-28-11.pdf Description: SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 3-MINIMOLD
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.17 EUR
9000+ 2.46 EUR
15000+ 2.11 EUR
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NE85634-A NE85634-A CEL ne85634.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
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NE85634-T1 NE85634-T1 CEL Description: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 6.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
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NE85634-T1-A NE85634-T1-A CEL ne85634.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
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NE85634-T1-A NE85634-T1-A CEL ne85634.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
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NE85634-T1-RE-A NE85634-T1-RE-A CEL ne85634.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
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NE85639-A NE85639-A CEL RF-Wireless-Brochure.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143
Part Status: Obsolete
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NE85639R-T1 NE85639R-T1 CEL Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Obsolete
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NE85639R-T1 NE85639R-T1 CEL Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Obsolete
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NE85639R-T1-A NE85639R-T1-A CEL Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
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NE85639R-T1-A NE85639R-T1-A CEL Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
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NE85639-T1-A NE85639-T1-A CEL ne85639-611283.pdf RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
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NE85639-T1-A NE85639-T1-A CEL ne85639-2sc4093.pdf Description: SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.82 EUR
9000+ 2.11 EUR
15000+ 1.76 EUR
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NE85639-T1-R27-A NE85639-T1-R27-A CEL Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.17 EUR
9000+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NE856M02-AZ NE856M02-AZ CEL ne856m02.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
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NE856M02-T1-AZ NE856M02-T1-AZ CEL ne856m02-16484.pdf RF Bipolar Transistors NPN Low Distort Amp
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NE856M02-T1-AZ NE856M02-T1-AZ CEL ne856m02.pdf Description: SAME AS 2SC5336 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 1.2W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 6.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Last Time Buy
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NE856M03-A CEL NE856M03.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ 3MINMOLD
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NE894M13-A NE894M13-A CEL ne894m13.pdf Description: TRANS NPN 3GHZ M13
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NE894M13-T3 CEL RF Bipolar Transistors
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NE94430-T1-A NE94430-T1-A CEL Description: TRANS NPN OSC FT=2GHZ SOT-323
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NE94433-T1B NE94433-T1B CEL ne944.pdf Description: RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 2GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
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NE94433-T1B-A NE94433-T1B-A CEL ne944.pdf Description: TRANSISTOR NPN OSC FT=2GHZ SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 2GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
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NE97733-A NE97733-A CEL ne97733.pdf Description: RF TRANSISTOR PNP SOT-23
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NE97733-T1B-A NE97733-T1B-A CEL ne97733.pdf Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-23
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NE97833-A NE97833-A CEL ne97833.pdf Description: RF TRANSISTOR PNP SOT-23
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NE97833-T1B-A NE97833-T1B-A CEL ne97833-56053.pdf RF Bipolar Transistors PNP High Frequency
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NE97833-T1B-A NE97833-T1B-A CEL ne97833.pdf Description: RF TRANSISTOR PNP SOT-23
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NESG2021M05-EVNF58 CEL Description: EVAL BOARD NESG2021M05 5.8GHZ
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: NESG2021M05@5.8GHz
Frequency: 5.2GHz
Type: Transistor
Supplied Contents: Board(s)
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NESG2021M16 CEL nesg2101m05-1186777.pdf RF Bipolar Transistors
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NESG2021M16-A NESG2021M16-A CEL nec_cel_nesg2101m05-1186517.pdf RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NESG2030M04-A NESG2030M04-A CEL NESG2030M04.pdf Description: RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 80mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
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NESG2030M04-EVNF16 CEL NESG2030M04.pdf Description: EVAL BOARD FOR NESG2030 1.6GHZ
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NESG2030M04-EVNF19 CEL NESG2030M04.pdf Description: EVAL BOARD FOR NESG2030 1.9GHZ
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NESG2030M04-EVNF24 CEL NESG2030M04.pdf Description: EVAL BOARD FOR NESG2030 G5122.4G
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NESG2030M04-T2-A NESG2030M04-T2-A CEL NESG2030M04.pdf Description: TRANS NPN 2GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 16dB
Power - Max: 80mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
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NESG2031M05-EVNF58 CEL nesg2031m05.pdf Description: EVAL BOARD NESG2031M05 5.8GHZ
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NESG2046M33-A CEL NESG2046M33.pdf Description: TRANS NPN 2GHZ M33
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NESG2046M33-T3-A CEL NESG2046M33.pdf Description: TRANS NPN 2GHZ M33
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NESG2101M05-A NESG2101M05-A CEL NESG2101M05.pdf Description: RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 19dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 15mA, 2V
Frequency - Transition: 17GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: M05
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NESG2101M05-EVPW24 NESG2101M05-EVPW24 CEL NESG2101M05.pdf Description: EVAL BOARD NESG2101M05 2.4GHZ
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NESG2101M05-EVPW24-A CEL NESG2101M05.pdf Description: EVAL BOARD NESG2101M05
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NESG2101M16-T3-A NESG2101M16-T3-A CEL nec_cel_nesg2101m16-1186570.pdf RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
auf Bestellung 8019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NESG2107M33-A CEL NESG2107M33.pdf Description: TRANS NPN 2GHZ M33
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NESG2107M33-T3-A CEL NESG2107M33.pdf Description: TRANS NPN 2GHZ M33
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NESG250134-EV09-AZ CEL NESG250134.pdf Description: EVAL BOARD NESG250134
Packaging: Box
For Use With/Related Products: NESG250134
Type: Transistor
Supplied Contents: Board(s)
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NESG250134-EVPW04 CEL NESG250134.pdf Description: EVAL BOARD NESG250134
Packaging: Box
For Use With/Related Products: NESG250134
Type: Transistor
Supplied Contents: Board(s)
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NESG250134-T1-AZ NESG250134-T1-AZ CEL NESG250134.pdf Description: TRANS NPN 900MHZ SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 23dB
Power - Max: 1.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.2V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 10GHz
Supplier Device Package: 3-PowerMiniMold
Part Status: Obsolete
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NE85633L-A NE856_Series.pdf
NE85633L-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
NE85633-R23-A ne85633.pdf
NE85633-R23-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
NE85633-R24-A ne85633.pdf
NE85633-R24-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
NE85633-R25-A ne85633.pdf
NE85633-R25-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
NE85633-T1B NE85633.pdf
NE85633-T1B
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
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NE85633-T1B NE85633.pdf
NE85633-T1B
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
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NE85633-T1B-A NE85633_2SC3356_Rev3.00_6-28-11.pdf
NE85633-T1B-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
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NE85633-T1B-A ne85633-474677.pdf
NE85633-T1B-A
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
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NE85633-T1B-A NE85633_2SC3356_Rev3.00_6-28-11.pdf
NE85633-T1B-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
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NE85633-T1B-R23-A NE85633_2SC3356_Rev3.00_6-28-11.pdf
NE85633-T1B-R23-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
NE85633-T1B-R24-A ne85633.pdf
NE85633-T1B-R24-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
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NE85633-T1B-R25-A ne85633-474677.pdf
NE85633-T1B-R25-A
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
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NE85633-T1B-R25-A NE85633_2SC3356_Rev3.00_6-28-11.pdf
NE85633-T1B-R25-A
Hersteller: CEL
Description: SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 3-MINIMOLD
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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NE85634-A ne85634.pdf
NE85634-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
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NE85634-T1
NE85634-T1
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 6.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Obsolete
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NE85634-T1-A ne85634.pdf
NE85634-T1-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
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NE85634-T1-A ne85634.pdf
NE85634-T1-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
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NE85634-T1-RE-A ne85634.pdf
NE85634-T1-RE-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
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NE85639-A RF-Wireless-Brochure.pdf
NE85639-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143
Part Status: Obsolete
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NE85639R-T1
NE85639R-T1
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Obsolete
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NE85639R-T1
NE85639R-T1
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Obsolete
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NE85639R-T1-A
NE85639R-T1-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
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NE85639R-T1-A
NE85639R-T1-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
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NE85639-T1-A ne85639-611283.pdf
NE85639-T1-A
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
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NE85639-T1-A ne85639-2sc4093.pdf
NE85639-T1-A
Hersteller: CEL
Description: SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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NE85639-T1-R27-A
NE85639-T1-R27-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+3.17 EUR
9000+ 2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NE856M02-AZ ne856m02.pdf
NE856M02-AZ
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
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NE856M02-T1-AZ ne856m02-16484.pdf
NE856M02-T1-AZ
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN Low Distort Amp
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NE856M02-T1-AZ ne856m02.pdf
NE856M02-T1-AZ
Hersteller: CEL
Description: SAME AS 2SC5336 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 1.2W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 6.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Last Time Buy
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NE856M03-A NE856M03.pdf
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ 3MINMOLD
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NE894M13-A ne894m13.pdf
NE894M13-A
Hersteller: CEL
Description: TRANS NPN 3GHZ M13
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NE894M13-T3
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors
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NE94430-T1-A
NE94430-T1-A
Hersteller: CEL
Description: TRANS NPN OSC FT=2GHZ SOT-323
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NE94433-T1B ne944.pdf
NE94433-T1B
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 2GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
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NE94433-T1B-A ne944.pdf
NE94433-T1B-A
Hersteller: CEL
Description: TRANSISTOR NPN OSC FT=2GHZ SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 2GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
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NE97733-A ne97733.pdf
NE97733-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR PNP SOT-23
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NE97733-T1B-A ne97733.pdf
NE97733-T1B-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR NPN SOT-23
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NE97833-A ne97833.pdf
NE97833-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR PNP SOT-23
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NE97833-T1B-A ne97833-56053.pdf
NE97833-T1B-A
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors PNP High Frequency
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NE97833-T1B-A ne97833.pdf
NE97833-T1B-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANSISTOR PNP SOT-23
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NESG2021M05-EVNF58
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NESG2021M05 5.8GHZ
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: NESG2021M05@5.8GHz
Frequency: 5.2GHz
Type: Transistor
Supplied Contents: Board(s)
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NESG2021M16 nesg2101m05-1186777.pdf
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors
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NESG2021M16-A nec_cel_nesg2101m05-1186517.pdf
NESG2021M16-A
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NESG2030M04-A NESG2030M04.pdf
NESG2030M04-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 80mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
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NESG2030M04-EVNF16 NESG2030M04.pdf
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD FOR NESG2030 1.6GHZ
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NESG2030M04-EVNF19 NESG2030M04.pdf
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD FOR NESG2030 1.9GHZ
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NESG2030M04-EVNF24 NESG2030M04.pdf
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD FOR NESG2030 G5122.4G
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NESG2030M04-T2-A NESG2030M04.pdf
NESG2030M04-T2-A
Hersteller: CEL
Description: TRANS NPN 2GHZ SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 16dB
Power - Max: 80mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 60GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
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NESG2031M05-EVNF58 nesg2031m05.pdf
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NESG2031M05 5.8GHZ
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NESG2046M33-A NESG2046M33.pdf
Hersteller: CEL
Description: TRANS NPN 2GHZ M33
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NESG2046M33-T3-A NESG2046M33.pdf
Hersteller: CEL
Description: TRANS NPN 2GHZ M33
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NESG2101M05-A NESG2101M05.pdf
NESG2101M05-A
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11dB ~ 19dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 15mA, 2V
Frequency - Transition: 17GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: M05
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NESG2101M05-EVPW24 NESG2101M05.pdf
NESG2101M05-EVPW24
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NESG2101M05 2.4GHZ
Produkt ist nicht verfügbar
NESG2101M05-EVPW24-A NESG2101M05.pdf
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NESG2101M05
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NESG2101M16-T3-A nec_cel_nesg2101m16-1186570.pdf
NESG2101M16-T3-A
Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
auf Bestellung 8019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NESG2107M33-A NESG2107M33.pdf
Hersteller: CEL
Description: TRANS NPN 2GHZ M33
Produkt ist nicht verfügbar
NESG2107M33-T3-A NESG2107M33.pdf
Hersteller: CEL
Description: TRANS NPN 2GHZ M33
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NESG250134-EV09-AZ NESG250134.pdf
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NESG250134
Packaging: Box
For Use With/Related Products: NESG250134
Type: Transistor
Supplied Contents: Board(s)
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NESG250134-EVPW04 NESG250134.pdf
Hersteller: CEL
Description: EVAL BOARD NESG250134
Packaging: Box
For Use With/Related Products: NESG250134
Type: Transistor
Supplied Contents: Board(s)
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NESG250134-T1-AZ NESG250134.pdf
NESG250134-T1-AZ
Hersteller: CEL
Description: TRANS NPN 900MHZ SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 23dB
Power - Max: 1.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.2V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 10GHz
Supplier Device Package: 3-PowerMiniMold
Part Status: Obsolete
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