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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
Мікросхема ВЧ/НВЧ CGHV31500F1 Cree, Inc	Cree, Inc	GaN MMIC Power Amplifier 2,7-3,1 GHz, 500 W, Gss=14,5 dB Мікросхеми РЧ/ВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Мікросхема ВЧ/НВЧ CMPA2738060F Cree, Inc	Cree, Inc	GaN MMIC Power Amplifier 2,7-3,8 GHz, 60 W, Gss=35,7 dB Мікросхеми РЧ/ВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор RF польовий CGHV1F006S Cree, Inc	Cree, Inc	RF Power Transistor DC-18 GHz 6 Watt 100 V Gain 16 dB GaN HEMT Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор ВЧ польовий CGHV40030F Cree, Inc	Cree, Inc	RF Power Transistor DC-6 GHz 30 Watt 50 V Gain 15,8 dB GaN HEMT Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Мікросхема ВЧ/НВЧ CGHV31500F1 Cree, Inc

Hersteller: Cree, Inc
GaN MMIC Power Amplifier 2,7-3,1 GHz, 500 W, Gss=14,5 dB Мікросхеми РЧ/ВЧ

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Мікросхема ВЧ/НВЧ CMPA2738060F Cree, Inc

Hersteller: Cree, Inc
GaN MMIC Power Amplifier 2,7-3,8 GHz, 60 W, Gss=35,7 dB Мікросхеми РЧ/ВЧ

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Транзистор RF польовий CGHV1F006S Cree, Inc

Hersteller: Cree, Inc
RF Power Transistor DC-18 GHz 6 Watt 100 V Gain 16 dB GaN HEMT Транзистори польові ВЧ/НВЧ

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Транзистор ВЧ польовий CGHV40030F Cree, Inc

Hersteller: Cree, Inc
RF Power Transistor DC-6 GHz 30 Watt 50 V Gain 15,8 dB GaN HEMT Транзистори польові ВЧ/НВЧ

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