Produkte > DIOTEC SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers DIOTEC SEMICONDUCTOR (32484) > Seite 221 nach 542

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 54 108 162 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 270 324 378 432 486 540 542  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
DI79L24ZAB DIOTEC SEMICONDUCTOR di79l00zab.pdf DI79L24ZAB-DIO Unregulated voltage regulators
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
372+0.19 EUR
898+0.08 EUR
949+0.075 EUR
8000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 372
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI79M05D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF97F28825EF1180D6&compId=di79m00d1.pdf?ci_sign=3524059718af759ddac2bc0d8804795f0e979c70 Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -5V; 0.5A; DPAK; SMD; -40÷85°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.1V
Output voltage: -5V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: -7.5...-25V
Manufacturer series: DI79LxxD1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI79M15D1 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF97F28825EF1180D6&compId=di79m00d1.pdf?ci_sign=3524059718af759ddac2bc0d8804795f0e979c70 Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.5A; DPAK; SMD; ±4%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.1V
Output voltage: -15V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Manufacturer series: DI79LxxD1
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: -7.5...-25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI7A5N65D2K-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Power dissipation: 62.5W
Version: ESD
Gate charge: 18.4nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 4.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI7A5N65D2K DI7A5N65D2K DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 62.5W
Version: ESD
Gate charge: 18.4nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 4.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.89 EUR
43+1.7 EUR
48+1.49 EUR
1600+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI7A6N04SQ2 DIOTEC SEMICONDUCTOR di7a6n04sq2.pdf DI7A6N04SQ2-DIO Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI7A6N10SQ DIOTEC SEMICONDUCTOR di7a6n10sq.pdf DI7A6N10SQ-DIO SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI8A6C03SQ DIOTEC SEMICONDUCTOR DI8A6C03SQ-DIO Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DID3A2N65 DIOTEC SEMICONDUCTOR did3a2n65.pdf DID3A2N65-DIO THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC020 DIF065SIC020 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF94FDB1E6C84820D6&compId=dif065sic020.pdf?ci_sign=5e19c74d62c333a2b238d400859a806a4f066360 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 236nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 300A
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+27.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC030 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF94FDAEACBA4880D6&compId=dif065sic030.pdf?ci_sign=353e3d1098c3a416eb027ed1597060e2d7c52518 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 105A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+63.21 EUR
120+62.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022 DIF120SIC022 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+27.88 EUR
120+27.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028 DIF120SIC028 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96956CECE61E00D6&compId=dif120sic028.pdf?ci_sign=d6f988c0d63cc55964bc01c7da88dd3511016b2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB7923FD08BD040D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=96f9989bbeceabe4d1056662be5e1811b71ebdcc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E88F608A71E0D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=a7675a3441b8c2fb4e54709b849d1650a1774cfe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.16 EUR
6+12.28 EUR
7+11.63 EUR
120+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIJ2A3N65 DIOTEC SEMICONDUCTOR dij2a3n65.pdf DIJ2A3N65-DIO THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIJ4A5N65 DIJ4A5N65 DIOTEC SEMICONDUCTOR dij4a5n65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.7A; Idm: 28A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT015N25 DIOTEC SEMICONDUCTOR DIT015N25-DIO THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT050N06 DIT050N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.8 EUR
126+0.57 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT074P05 DIOTEC SEMICONDUCTOR DIT074P05-DIO THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT080N08-AQ DIT080N08-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR dit080n08.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 51A; Idm: 480A; 62.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 85V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.13 EUR
38+1.92 EUR
40+1.79 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT080N08 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit080n08.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 51A; Idm: 480A; 62.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT085N10 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit085n10.pdf DIT085N10-DIO THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT090N06 DIT090N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit090n06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 310A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
10+7.15 EUR
26+2.75 EUR
72+0.99 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT095N08 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit095n08.pdf DIT095N08-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
70+1.03 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT100N10 DIT100N10 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF6116B6DC20C4&compId=dit100n10.pdf?ci_sign=2433903ac6792c29ea347d9ea7444db8048446a1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 85nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 380A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.83 EUR
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
80+0.9 EUR
82+0.87 EUR
100+0.86 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT120N08 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit120n08.pdf DIT120N08-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.44 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT150N03 DIT150N03 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8F86A54071700C7&compId=dit150n03.pdf?ci_sign=d36783b963a8e41a81e299558bed15dba5b17d02 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
41+1.77 EUR
62+1.17 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
10000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT195N08 DIOTEC SEMICONDUCTOR dit195n08.pdf DIT195N08-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.67 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW012N65 DIW012N65 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7E6ACCAEE68E0D6&compId=diw012n65.pdf?ci_sign=dc987a45579996742824b7f4d52653cab480177c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.5A; Idm: 60A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW018N65 DIW018N65 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FA5E6E43C8380D6&compId=diw018n65.pdf?ci_sign=671d25dadfd454a5e33fdb29e26c713f41cdb719 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.84 EUR
23+3.19 EUR
24+3.02 EUR
120+3 EUR
450+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030F135 DIOTEC SEMICONDUCTOR diw030f135.pdf DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.22 EUR
16+4.46 EUR
450+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030M060 DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW030M060-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
27+2.73 EUR
30+2.39 EUR
450+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030N65K DIW030N65K DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7E6B56335AC20D6&compId=diw030n65k.pdf?ci_sign=40de1d194d68af7b19069ea009eb726cb03d51ac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 160A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040F135 DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.77 EUR
12+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040M120 DIW040M120 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF97F1687B7922C0D6&compId=diw040m120.pdf?ci_sign=0ceed45e0fa4e0c722407c6c34edc424d3c985dd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 330nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.71 EUR
12+6.03 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
450+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW050F065 DIW050F065 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF94E5DD5AE5EEA0D6&compId=diw050f065.pdf?ci_sign=6625632b77861b51157cb0b6da5fd8cde7851493 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.88 EUR
35+2.06 EUR
37+1.96 EUR
450+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC015 DIW065SIC015 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF969573DC184C80D6&compId=diw065sic015.pdf?ci_sign=c062edef1c94ddd57813eda408e33dad6ede76df Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 236nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...15V
Pulsed drain current: 300A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+28.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC049 DIW065SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96957D154778A0D6&compId=diw065sic049.pdf?ci_sign=7797bda0ad0330be70f78e6041a9e0f1c8e01bde Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 135A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 128nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.03 EUR
7+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC080 DIW065SIC080 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF9695849231E440D6&compId=diw065sic080.pdf?ci_sign=3c60ba4fea4ca879a2be6bd70acd6f26884cb55b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.12 EUR
12+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW075M065 DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW075M065-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
12+6.03 EUR
18+4.03 EUR
19+3.8 EUR
450+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW085N06 DIOTEC SEMICONDUCTOR diw085n06.pdf DIW085N06-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.9 EUR
22+3.28 EUR
24+3.1 EUR
600+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQ DIW120SIC022-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E8B7BCEF0D80D6&compId=diw120sic022.pdf?ci_sign=dc59c81ab0c358f64d1b3f2a56767c320fd0a0bc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+63.21 EUR
120+62.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC023-AQ DIW120SIC023-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E8C40B773B00D6&compId=diw120sic023.pdf?ci_sign=7c89b35bec5b10558e508827547b0da06c358048 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 45nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 260A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+85.89 EUR
120+84.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC028 DIW120SIC028 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96958A65587880D6&compId=DIW120SIC028.pdf?ci_sign=20b0181c41b9720a8cbcff4a600d593541d79e5b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 373nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 295A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC059-AQ DIW120SIC059-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEAFE8D1D9CD3C60D6&compId=diw120sic059.pdf?ci_sign=a5a6afa95cc616e12d9a4fb93903f3e3b22d2036 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 121nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.58 EUR
120+24.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC049 DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC070 DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW170SIC070-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.16 EUR
6+12.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC750 DIOTEC SEMICONDUCTOR DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EAL1A DIOTEC SEMICONDUCTOR eal1a.pdf EAL1A-DIO SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EAL1B DIOTEC SEMICONDUCTOR eal1a.pdf EAL1B-DIO SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EAL1D EAL1D DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB0D8A6E37EC060C7&compId=eal1a.pdf?ci_sign=ee8fb99195deae3b433fff4ec2f2d61598016cf2 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 50µA
Max. load current: 8A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
600+0.12 EUR
950+0.076 EUR
1070+0.067 EUR
1240+0.058 EUR
1310+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 600
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EAL1G DIOTEC SEMICONDUCTOR eal1a.pdf EAL1G-DIO SMD universal diodes
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
569+0.13 EUR
1205+0.059 EUR
1273+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 569
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EAL1J DIOTEC SEMICONDUCTOR eal1a.pdf EAL1J-DIO SMD universal diodes
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
516+0.14 EUR
1122+0.064 EUR
1185+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 516
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EAL1K DIOTEC SEMICONDUCTOR eal1a.pdf EAL1K-DIO SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EAL1M DIOTEC SEMICONDUCTOR eal1a.pdf EAL1M-DIO SMD universal diodes
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
455+0.16 EUR
985+0.073 EUR
1040+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EGL1A DIOTEC SEMICONDUCTOR egl1a.pdf EGL1A-DIO SMD universal diodes
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1359+0.053 EUR
2067+0.035 EUR
2184+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1359
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EGL1B EGL1B DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A9EE6590EBB68143&compId=egl1a.pdf?ci_sign=88852fd00c102c84431fcffdb9904b87dfe630ab Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
417+0.17 EUR
625+0.11 EUR
933+0.077 EUR
1793+0.04 EUR
1894+0.038 EUR
50000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EGL1D DIOTEC SEMICONDUCTOR egl1a.pdf EGL1D-DIO SMD universal diodes
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
968+0.074 EUR
1480+0.048 EUR
1563+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 968
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI79L24ZAB di79l00zab.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI79L24ZAB-DIO Unregulated voltage regulators
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
372+0.19 EUR
898+0.08 EUR
949+0.075 EUR
8000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 372
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI79M05D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF97F28825EF1180D6&compId=di79m00d1.pdf?ci_sign=3524059718af759ddac2bc0d8804795f0e979c70
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -5V; 0.5A; DPAK; SMD; -40÷85°C
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.1V
Output voltage: -5V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: -7.5...-25V
Manufacturer series: DI79LxxD1
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI79M15D1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF97F28825EF1180D6&compId=di79m00d1.pdf?ci_sign=3524059718af759ddac2bc0d8804795f0e979c70
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; linear,fixed; -15V; 0.5A; DPAK; SMD; ±4%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; linear
Voltage drop: 1.1V
Output voltage: -15V
Output current: 0.5A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Manufacturer series: DI79LxxD1
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±4%
Number of channels: 1
Input voltage: -7.5...-25V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI7A5N65D2K-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Power dissipation: 62.5W
Version: ESD
Gate charge: 18.4nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 4.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI7A5N65D2K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF95C3747A210B20D6&compId=di7a5n65d2k.pdf?ci_sign=557e6f2886c030a37f5dc2b1269255ae08022bd6
DI7A5N65D2K
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 25A; 62.5W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: D2PAK; TO263AB
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 62.5W
Version: ESD
Gate charge: 18.4nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 25A
Drain current: 4.7A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+1.89 EUR
43+1.7 EUR
48+1.49 EUR
1600+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 38
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI7A6N04SQ2 di7a6n04sq2.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI7A6N04SQ2-DIO Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI7A6N10SQ di7a6n10sq.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI7A6N10SQ-DIO SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DI8A6C03SQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DI8A6C03SQ-DIO Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DID3A2N65 did3a2n65.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DID3A2N65-DIO THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC020 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF94FDB1E6C84820D6&compId=dif065sic020.pdf?ci_sign=5e19c74d62c333a2b238d400859a806a4f066360
DIF065SIC020
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 236nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 300A
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+27.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF065SIC030 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF94FDAEACBA4880D6&compId=dif065sic030.pdf?ci_sign=353e3d1098c3a416eb027ed1597060e2d7c52518
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 74A; Idm: 105A; TO247-4
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 105A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 74A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3
DIF120SIC022-AQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+63.21 EUR
120+62.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC022 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3
DIF120SIC022
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+27.88 EUR
120+27.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC028 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96956CECE61E00D6&compId=dif120sic028.pdf?ci_sign=d6f988c0d63cc55964bc01c7da88dd3511016b2d
DIF120SIC028
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB7923FD08BD040D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=96f9989bbeceabe4d1056662be5e1811b71ebdcc
DIF120SIC053-AQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIF120SIC053 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E88F608A71E0D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=a7675a3441b8c2fb4e54709b849d1650a1774cfe
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.16 EUR
6+12.28 EUR
7+11.63 EUR
120+11.47 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIJ2A3N65 dij2a3n65.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIJ2A3N65-DIO THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIJ4A5N65 dij4a5n65.pdf
DIJ4A5N65
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.7A; Idm: 28A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT015N25
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT015N25-DIO THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT050N06 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF3496006EA0C4&compId=dit050n06.pdf?ci_sign=ce593fb33bb37229999662264b9a58ab203ba25c
DIT050N06
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
90+0.8 EUR
126+0.57 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 90
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT074P05
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT074P05-DIO THT P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT080N08-AQ dit080n08.pdf
DIT080N08-AQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 51A; Idm: 480A; 62.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 85V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.13 EUR
38+1.92 EUR
40+1.79 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT080N08 dit080n08.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 51A; Idm: 480A; 62.5W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 62.5W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT085N10 dit085n10.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT085N10-DIO THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT090N06 dit090n06.pdf
DIT090N06
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 310A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
10+7.15 EUR
26+2.75 EUR
72+0.99 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT095N08 dit095n08.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT095N08-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
70+1.03 EUR
108+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT100N10 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93AF6116B6DC20C4&compId=dit100n10.pdf?ci_sign=2433903ac6792c29ea347d9ea7444db8048446a1
DIT100N10
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 85nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 380A
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.83 EUR
74+0.97 EUR
77+0.93 EUR
80+0.9 EUR
82+0.87 EUR
100+0.86 EUR
500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT120N08 dit120n08.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT120N08-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+1.44 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT150N03 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8F86A54071700C7&compId=dit150n03.pdf?ci_sign=d36783b963a8e41a81e299558bed15dba5b17d02
DIT150N03
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 837 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.77 EUR
62+1.17 EUR
99+0.73 EUR
104+0.69 EUR
10000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIT195N08 dit195n08.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT195N08-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.67 EUR
37+1.94 EUR
39+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW012N65 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7E6ACCAEE68E0D6&compId=diw012n65.pdf?ci_sign=dc987a45579996742824b7f4d52653cab480177c
DIW012N65
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.5A; Idm: 60A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 45nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW018N65 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF8FA5E6E43C8380D6&compId=diw018n65.pdf?ci_sign=671d25dadfd454a5e33fdb29e26c713f41cdb719
DIW018N65
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.84 EUR
23+3.19 EUR
24+3.02 EUR
120+3 EUR
450+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030F135 diw030f135.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.22 EUR
16+4.46 EUR
450+3.23 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030M060
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030M060-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
27+2.73 EUR
30+2.39 EUR
450+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW030N65K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7E6B56335AC20D6&compId=diw030n65k.pdf?ci_sign=40de1d194d68af7b19069ea009eb726cb03d51ac
DIW030N65K
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 160A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040F135
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.77 EUR
12+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW040M120 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF97F1687B7922C0D6&compId=diw040m120.pdf?ci_sign=0ceed45e0fa4e0c722407c6c34edc424d3c985dd
DIW040M120
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 330nC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.71 EUR
12+6.03 EUR
16+4.72 EUR
17+4.46 EUR
450+4.29 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW050F065 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF94E5DD5AE5EEA0D6&compId=diw050f065.pdf?ci_sign=6625632b77861b51157cb0b6da5fd8cde7851493
DIW050F065
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.88 EUR
35+2.06 EUR
37+1.96 EUR
450+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC015 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF969573DC184C80D6&compId=diw065sic015.pdf?ci_sign=c062edef1c94ddd57813eda408e33dad6ede76df
DIW065SIC015
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 236nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...15V
Pulsed drain current: 300A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+28.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC049 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96957D154778A0D6&compId=diw065sic049.pdf?ci_sign=7797bda0ad0330be70f78e6041a9e0f1c8e01bde
DIW065SIC049
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 135A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 128nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.03 EUR
7+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW065SIC080 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF9695849231E440D6&compId=diw065sic080.pdf?ci_sign=3c60ba4fea4ca879a2be6bd70acd6f26884cb55b
DIW065SIC080
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.12 EUR
12+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW075M065
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW075M065-DIO THT IGBT transistors
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.03 EUR
18+4.03 EUR
19+3.8 EUR
450+3.73 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW085N06 diw085n06.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW085N06-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.9 EUR
22+3.28 EUR
24+3.1 EUR
600+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC022-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E8B7BCEF0D80D6&compId=diw120sic022.pdf?ci_sign=dc59c81ab0c358f64d1b3f2a56767c320fd0a0bc
DIW120SIC022-AQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+63.21 EUR
120+62.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC023-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E8C40B773B00D6&compId=diw120sic023.pdf?ci_sign=7c89b35bec5b10558e508827547b0da06c358048
DIW120SIC023-AQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 45nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 260A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+85.89 EUR
120+84.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC028 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96958A65587880D6&compId=DIW120SIC028.pdf?ci_sign=20b0181c41b9720a8cbcff4a600d593541d79e5b
DIW120SIC028
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 373nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 295A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+26.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW120SIC059-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEAFE8D1D9CD3C60D6&compId=diw120sic059.pdf?ci_sign=a5a6afa95cc616e12d9a4fb93903f3e3b22d2036
DIW120SIC059-AQ
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 121nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+24.58 EUR
120+24.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC049
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC070
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC070-DIO THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.16 EUR
6+12.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DIW170SIC750
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EAL1A eal1a.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1A-DIO SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EAL1B eal1a.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1B-DIO SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EAL1D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB0D8A6E37EC060C7&compId=eal1a.pdf?ci_sign=ee8fb99195deae3b433fff4ec2f2d61598016cf2
EAL1D
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 50µA
Max. load current: 8A
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
600+0.12 EUR
950+0.076 EUR
1070+0.067 EUR
1240+0.058 EUR
1310+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 600
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EAL1G eal1a.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1G-DIO SMD universal diodes
auf Bestellung 1920 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
569+0.13 EUR
1205+0.059 EUR
1273+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 569
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EAL1J eal1a.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1J-DIO SMD universal diodes
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
516+0.14 EUR
1122+0.064 EUR
1185+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 516
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EAL1K eal1a.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1K-DIO SMD universal diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EAL1M eal1a.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1M-DIO SMD universal diodes
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
985+0.073 EUR
1040+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 455
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EGL1A egl1a.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1A-DIO SMD universal diodes
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1359+0.053 EUR
2067+0.035 EUR
2184+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1359
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EGL1B pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A9EE6590EBB68143&compId=egl1a.pdf?ci_sign=88852fd00c102c84431fcffdb9904b87dfe630ab
EGL1B
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
625+0.11 EUR
933+0.077 EUR
1793+0.04 EUR
1894+0.038 EUR
50000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
EGL1D egl1a.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1D-DIO SMD universal diodes
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
968+0.074 EUR
1480+0.048 EUR
1563+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 968
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 54 108 162 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 270 324 378 432 486 540 542  [ Nächste Seite >> ]