| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| A995011 | Excelics |
 150 VDC, 0.09W, 530nm, Epoxy enc. Датчики оптичних величин та зображень |
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| EIC8596-12 | Excelics |
8.50-9.60 GHz 12W Power FET Транзистори |
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| EIC8596-15 | Excelics |
8.50-9.60 GHz 15W Power FET Транзистори |
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| EIC8596-2 | Excelics |
8.50-9.60 GHz 2W Power FET Транзистори |
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| EIC8596-4 | Excelics |
8.50-9.60 GHz 4W Power FET Транзистори |
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| EIC8596-8 | Excelics |
8.50-9.60 GHz 8W Power FET Транзистори |
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| EIC8596A1-12 | Excelics |
8.50–9.60 GHz 12W Internally-Matched Power FET Транзистори |
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EPA018A-70 Produktcode: 17172
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EXCELICS |
Transistoren > HF-Transistoren Frequenz, fT: UHF-Transistor Typ: UHF-Transistor |
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EPA080A-100F Produktcode: 17173
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EXCELICS |
Transistoren > HF-Transistoren Frequenz, fT: UHF-Transistor Typ: UHF-Transistor |
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| EPA160A-100P | Excelics |
Транзистори |
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EPA160B-100F Produktcode: 17174
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EXCELICS |
Transistoren > HF-Transistoren Frequenz, fT: UHF-Transistor Typ: UHF-Transistor |
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EPA240B-100F Produktcode: 17175
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EXCELICS |
Transistoren > HF-Transistoren Frequenz, fT: UHF-Transistor Typ: UHF-Transistor |
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Мікросхема ВЧ/НВЧ MA5065-2W Excelics | Excelics | 5.0-6.5 GHz, Power Amplifier MMIC, P1dB=33 dBm, G1dB=32,0 dB RFMA5065-2W.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EFA040A Excelics | Excelics | Low Distortion GaAs Power FET, P1dB=23 dBm, G1dB=10,5 dB @ 12 GHz EFA040A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EFC240D Excelics | Excelics | Low Distortion GaAs Power FET, P1dB=31 dBm, G1dB=18,5 dB @ 2 GHz EFC240D.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC0910-25 Excelics | Excelics | 9.50-10.50 Ghz 25 Watt Internally-Matched Power FET EIC0910-25.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC0910-8 Excelics | Excelics | 9.50-10.50 Ghz 8 Watt Internally-Matched Power FET EIC0910-8.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC1011-8 Excelics | Excelics | 8-Watt Internally Matched FET 10,7-11,7 GHz EIC1011-8.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC1112-5 Excelics | Excelics | 5-Watt Internally Matched FET 11,7-12,7 GHz EIC1112-5.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC1112-8 Excelics | Excelics | 8-Watt Internally Matched FET 11,7-12,7 GHz EIC1112-8.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC5359-8 Excelics | Excelics | 5,30-5,90 GHz, 8 W Internally Matched Power FET EIC5359-8.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC8596-15 Excelics | Excelics | 8,50-9,60 GHz, 15 W Internally Matched Power FET EIC8596-15.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC8596-4 Excelics | Excelics | Транз. Пол. НВЧ 8,50-9,60 GHz, 4 W Internally Matched Power FET EIC8596-4.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EID1616A1-12 Excelics | Excelics | 16.0-16.5 GHz 12-Watt Internally Matched Power FET EID1616A1-12.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA018A-70 Excelics | Excelics | Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=20,0 dBm, G1dB=13,5 dB, Idss=30..80 mA; PAE=45% @ 12GHz) EPA018A-70.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA040A-70 Excelics | Excelics | Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=23.5 dBm, G1dB=10,5 dB, Idss=70..160 mA; PAE=45% @ 12GHz) EPA040A70.pdf Транзистори польові |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA040A-70 Excelics | Excelics | Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=23.5 dBm, G1dB=10,5 dB, Idss=70..160 mA; PAE=45% @ 12GHz) EPA040A70.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA060B-70 Excelics | Excelics | Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=25.5 dBm, G1dB=9,0 dB, Idss=110..250 mA; PAE=45%; Nf=0,6 dB @ 12GHz) EPA060B70.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA080A-100F Excelics | Excelics | Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; F100;( P1dB=27,5 dBm, G1dB=8,5 dB, Idss=130..320 mA; PAE=42% @ 12GHz) EPA080A-100F.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA080A-70 Excelics | Excelics | Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=25.5 dBm, G1dB=7,0 dB, Idss=130..320 mA; PAE=40%; @ 12GHz) EPA080A-70.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA120B-100P Excelics | Excelics | Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; F100;( P1dB=27,5 dBm, G1dB=8,5 dB, Idss=130..320 mA; PAE=42% @ 12GHz) EPA120B-100P.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA160A-100P Excelics | Excelics | Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P100;( P1dB=31 dBm, G1dB=11,5 dB, Idss=290...660 mA; PAE=41% @ 12GHz) EPA160A-100P.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA240B-100P Excelics | Excelics | Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P100;( P1dB=32,5 dBm, G1dB=10,5 dB, Idss=440...940 mA; PAE=44% @ 12GHz) EPA240B-100P.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA480BV Excelics | Excelics | Транз. Пол. НВЧ Chip P1dB=35,5dBm, G1dB=12,0dB, PAE=45%@12Ghz Idss=880...1880 mA EPA480BV.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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| A995011 |
|
Hersteller: Excelics
150 VDC, 0.09W, 530nm, Epoxy enc. Датчики оптичних величин та зображень
150 VDC, 0.09W, 530nm, Epoxy enc. Датчики оптичних величин та зображень
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| EIC8596-12 |
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Hersteller: Excelics
8.50-9.60 GHz 12W Power FET Транзистори
8.50-9.60 GHz 12W Power FET Транзистори
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| EIC8596-15 |
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Hersteller: Excelics
8.50-9.60 GHz 15W Power FET Транзистори
8.50-9.60 GHz 15W Power FET Транзистори
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| EIC8596-2 |
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Hersteller: Excelics
8.50-9.60 GHz 2W Power FET Транзистори
8.50-9.60 GHz 2W Power FET Транзистори
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| EIC8596-4 |
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Hersteller: Excelics
8.50-9.60 GHz 4W Power FET Транзистори
8.50-9.60 GHz 4W Power FET Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| EIC8596-8 |
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Hersteller: Excelics
8.50-9.60 GHz 8W Power FET Транзистори
8.50-9.60 GHz 8W Power FET Транзистори
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| EIC8596A1-12 |
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Hersteller: Excelics
8.50–9.60 GHz 12W Internally-Matched Power FET Транзистори
8.50–9.60 GHz 12W Internally-Matched Power FET Транзистори
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| EPA160A-100P |
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Hersteller: Excelics
Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| Мікросхема ВЧ/НВЧ MA5065-2W Excelics |
Hersteller: Excelics
5.0-6.5 GHz, Power Amplifier MMIC, P1dB=33 dBm, G1dB=32,0 dB RFMA5065-2W.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
5.0-6.5 GHz, Power Amplifier MMIC, P1dB=33 dBm, G1dB=32,0 dB RFMA5065-2W.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EFA040A Excelics |
Hersteller: Excelics
Low Distortion GaAs Power FET, P1dB=23 dBm, G1dB=10,5 dB @ 12 GHz EFA040A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Low Distortion GaAs Power FET, P1dB=23 dBm, G1dB=10,5 dB @ 12 GHz EFA040A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EFC240D Excelics |
Hersteller: Excelics
Low Distortion GaAs Power FET, P1dB=31 dBm, G1dB=18,5 dB @ 2 GHz EFC240D.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Low Distortion GaAs Power FET, P1dB=31 dBm, G1dB=18,5 dB @ 2 GHz EFC240D.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC0910-25 Excelics |
Hersteller: Excelics
9.50-10.50 Ghz 25 Watt Internally-Matched Power FET EIC0910-25.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
9.50-10.50 Ghz 25 Watt Internally-Matched Power FET EIC0910-25.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC0910-8 Excelics |
Hersteller: Excelics
9.50-10.50 Ghz 8 Watt Internally-Matched Power FET EIC0910-8.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
9.50-10.50 Ghz 8 Watt Internally-Matched Power FET EIC0910-8.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC1011-8 Excelics |
Hersteller: Excelics
8-Watt Internally Matched FET 10,7-11,7 GHz EIC1011-8.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
8-Watt Internally Matched FET 10,7-11,7 GHz EIC1011-8.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC1112-5 Excelics |
Hersteller: Excelics
5-Watt Internally Matched FET 11,7-12,7 GHz EIC1112-5.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
5-Watt Internally Matched FET 11,7-12,7 GHz EIC1112-5.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC1112-8 Excelics |
Hersteller: Excelics
8-Watt Internally Matched FET 11,7-12,7 GHz EIC1112-8.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
8-Watt Internally Matched FET 11,7-12,7 GHz EIC1112-8.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC5359-8 Excelics |
Hersteller: Excelics
5,30-5,90 GHz, 8 W Internally Matched Power FET EIC5359-8.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
5,30-5,90 GHz, 8 W Internally Matched Power FET EIC5359-8.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC8596-15 Excelics |
Hersteller: Excelics
8,50-9,60 GHz, 15 W Internally Matched Power FET EIC8596-15.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
8,50-9,60 GHz, 15 W Internally Matched Power FET EIC8596-15.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EIC8596-4 Excelics |
Hersteller: Excelics
Транз. Пол. НВЧ 8,50-9,60 GHz, 4 W Internally Matched Power FET EIC8596-4.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ 8,50-9,60 GHz, 4 W Internally Matched Power FET EIC8596-4.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EID1616A1-12 Excelics |
Hersteller: Excelics
16.0-16.5 GHz 12-Watt Internally Matched Power FET EID1616A1-12.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
16.0-16.5 GHz 12-Watt Internally Matched Power FET EID1616A1-12.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA018A-70 Excelics |
Hersteller: Excelics
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=20,0 dBm, G1dB=13,5 dB, Idss=30..80 mA; PAE=45% @ 12GHz) EPA018A-70.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=20,0 dBm, G1dB=13,5 dB, Idss=30..80 mA; PAE=45% @ 12GHz) EPA018A-70.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA040A-70 Excelics |
Hersteller: Excelics
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=23.5 dBm, G1dB=10,5 dB, Idss=70..160 mA; PAE=45% @ 12GHz) EPA040A70.pdf Транзистори польові
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=23.5 dBm, G1dB=10,5 dB, Idss=70..160 mA; PAE=45% @ 12GHz) EPA040A70.pdf Транзистори польові
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA040A-70 Excelics |
Hersteller: Excelics
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=23.5 dBm, G1dB=10,5 dB, Idss=70..160 mA; PAE=45% @ 12GHz) EPA040A70.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=23.5 dBm, G1dB=10,5 dB, Idss=70..160 mA; PAE=45% @ 12GHz) EPA040A70.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA060B-70 Excelics |
Hersteller: Excelics
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=25.5 dBm, G1dB=9,0 dB, Idss=110..250 mA; PAE=45%; Nf=0,6 dB @ 12GHz) EPA060B70.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=25.5 dBm, G1dB=9,0 dB, Idss=110..250 mA; PAE=45%; Nf=0,6 dB @ 12GHz) EPA060B70.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA080A-100F Excelics |
Hersteller: Excelics
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; F100;( P1dB=27,5 dBm, G1dB=8,5 dB, Idss=130..320 mA; PAE=42% @ 12GHz) EPA080A-100F.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; F100;( P1dB=27,5 dBm, G1dB=8,5 dB, Idss=130..320 mA; PAE=42% @ 12GHz) EPA080A-100F.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA080A-70 Excelics |
Hersteller: Excelics
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=25.5 dBm, G1dB=7,0 dB, Idss=130..320 mA; PAE=40%; @ 12GHz) EPA080A-70.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P70;( P1dB=25.5 dBm, G1dB=7,0 dB, Idss=130..320 mA; PAE=40%; @ 12GHz) EPA080A-70.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA120B-100P Excelics |
Hersteller: Excelics
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; F100;( P1dB=27,5 dBm, G1dB=8,5 dB, Idss=130..320 mA; PAE=42% @ 12GHz) EPA120B-100P.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; F100;( P1dB=27,5 dBm, G1dB=8,5 dB, Idss=130..320 mA; PAE=42% @ 12GHz) EPA120B-100P.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA160A-100P Excelics |
Hersteller: Excelics
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P100;( P1dB=31 dBm, G1dB=11,5 dB, Idss=290...660 mA; PAE=41% @ 12GHz) EPA160A-100P.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P100;( P1dB=31 dBm, G1dB=11,5 dB, Idss=290...660 mA; PAE=41% @ 12GHz) EPA160A-100P.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA240B-100P Excelics |
Hersteller: Excelics
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P100;( P1dB=32,5 dBm, G1dB=10,5 dB, Idss=440...940 mA; PAE=44% @ 12GHz) EPA240B-100P.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P100;( P1dB=32,5 dBm, G1dB=10,5 dB, Idss=440...940 mA; PAE=44% @ 12GHz) EPA240B-100P.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ EPA480BV Excelics |
Hersteller: Excelics
Транз. Пол. НВЧ Chip P1dB=35,5dBm, G1dB=12,0dB, PAE=45%@12Ghz Idss=880...1880 mA EPA480BV.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ Chip P1dB=35,5dBm, G1dB=12,0dB, PAE=45%@12Ghz Idss=880...1880 mA EPA480BV.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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