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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	FMV30N60S1	FUJI ELECTRIC	Description: FUJI ELECTRIC - FMV30N60S1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.106 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm	auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	VLA517-01R	FUJI ELECTRIC	Description: FUJI ELECTRIC - VLA517-01R - Galvanisch isolierter Gate-Treiber für IGBTs oder MOSFETs, 4A, SIP-15 IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 60 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): - Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: SIP Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: - Anzahl der Pins: 15 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Einfach Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 4 Betriebstemperatur, max.: 60 SVHC: To Be Advised	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

FMV30N60S1

Hersteller: FUJI ELECTRIC
Description: FUJI ELECTRIC - FMV30N60S1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.106 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.106ohm

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

VLA517-01R

Hersteller: FUJI ELECTRIC
Description: FUJI ELECTRIC - VLA517-01R - Galvanisch isolierter Gate-Treiber für IGBTs oder MOSFETs, 4A, SIP-15
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 60
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: SIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -
Anzahl der Pins: 15
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 60
SVHC: To Be Advised

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH