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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
Мікросхема HX250030-B Hisiwell	Hisiwell	GaN MMIC Power Amplifier 8-12 GHz, Pout=45,5 dBm, Gss=29 dB, PAE=30 %, Vs=28 V, Metal-Ceramic-Package ЦАП та АЦП (аналого-цифрові, цифро-аналогові перетворювачі)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Мікросхема підсилювач HXNM43001 Hisiwell	Hisiwell	ІМС НВЧ GaN Power Amplifier 2-6 GHz, Gss=25 dB, Pout=44,5 dBm, PAE: 40% (typ.), Vd=32 V Мікросхеми РЧ/ВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий HX910P300W Hisiwell	Hisiwell	9.0-10.0 GHz GaN Internally-matched Power Transistor, Gp=9 dB, Psat=55 dBm, PAE=40 %, Vds=+48 V, Vgs=-5 V Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Мікросхема HX250030-B Hisiwell

Hersteller: Hisiwell
GaN MMIC Power Amplifier 8-12 GHz, Pout=45,5 dBm, Gss=29 dB, PAE=30 %, Vs=28 V, Metal-Ceramic-Package ЦАП та АЦП (аналого-цифрові, цифро-аналогові перетворювачі)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Мікросхема підсилювач HXNM43001 Hisiwell

Hersteller: Hisiwell
ІМС НВЧ GaN Power Amplifier 2-6 GHz, Gss=25 dB, Pout=44,5 dBm, PAE: 40% (typ.), Vd=32 V Мікросхеми РЧ/ВЧ

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Транзистор польовий HX910P300W Hisiwell

Hersteller: Hisiwell
9.0-10.0 GHz GaN Internally-matched Power Transistor, Gp=9 dB, Psat=55 dBm, PAE=40 %, Vds=+48 V, Vgs=-5 V Транзистори польові ВЧ/НВЧ

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