Produkte > INCHANGE SEMICONDUCTOR > Alle Produkte des Herstellers INCHANGE SEMICONDUCTOR (7) > Seite 1 nach 1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2N6057 Inchange Semiconductor TRANS NPN DARL 60V 12A TO3 Транзистори
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2SB595 2SB595
Produktcode: 3539
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Inchange Semiconductor 2SB595.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Grenzfrequenz fT, MHz: 5 MHz
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 5 A
Stromverstärkung h21, max: 240
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1+0.6 EUR
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BDY91 Inchange Semiconductor TO-3 Мультиплексори та аналогові ключі
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BU508AF Inchange Semiconductor BU508AF.pdf description Транзистори
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BU903 (NPN-Bipolartransistor) BU903 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 23647
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Inchange Semiconductor BU903.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3PN
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 550 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1350 V
Kollektorstrom Ic, A: 6 A
Stromverstärkung h21: 8
Montage: THT
auf Bestellung: 2 St.
  • 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.69 EUR
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BU908 (NPN-Bipolartransistor) BU908 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 23648
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Inchange Semiconductor BU908.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3P
Transitfrequenz fT: 7 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 700 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21: 8
Montage: THT
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1+2.17 EUR
10+1.88 EUR
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LJQ325 Inchange Semiconductor SMA(f) роз єм прямий Аксесуари для GSM модемів
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2N6057
Hersteller: Inchange Semiconductor
TRANS NPN DARL 60V 12A TO3 Транзистори
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2SB595
Produktcode: 3539
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2SB595
Hersteller: Inchange Semiconductor
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Grenzfrequenz fT, MHz: 5 MHz
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 5 A
Stromverstärkung h21, max: 240
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BDY91
Hersteller: Inchange Semiconductor
TO-3 Мультиплексори та аналогові ключі
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BU508AF description BU508AF.pdf
Hersteller: Inchange Semiconductor
Транзистори
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BU903 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 23647
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BU903 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Inchange Semiconductor
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3PN
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 550 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1350 V
Kollektorstrom Ic, A: 6 A
Stromverstärkung h21: 8
Montage: THT
auf Bestellung: 2 St.
  • 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BU908 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 23648
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BU908 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: Inchange Semiconductor
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3P
Transitfrequenz fT: 7 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 700 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 V
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Stromverstärkung h21: 8
Montage: THT
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LJQ325
Hersteller: Inchange Semiconductor
SMA(f) роз єм прямий Аксесуари для GSM модемів
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