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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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JANKCA2N2920 | Microchip Technology |
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 |
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JANS2N2920U/TR | Microchip Technology |
 Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJTPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 |
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JANS2N2920L | Microchip Technology |
Description: NPN SMALL SIGNAL SILICON TRANSIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 |
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JAN2N2920 | Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 |
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~~6.jpg "JAN2N2920U/TR") |
JAN2N2920U/TR | Microchip Technology |
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: U Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 |
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JANTXV2N2920U/TR | Microchip Technology |
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 |
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| JANSF2N2920 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT |
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| JANSR2N2920 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT |
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| JANTX2N2920A | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| R2N2920A | Microchip Technology |
Description: RH DUAL - SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 |
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| JANSR2N2920L | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT |
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| JANTXV2N2920A | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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2N2920U/TR | Microchip Technology |
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: 6-SMD |
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| JANTX2N2920U/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| JANSF2N2920L | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT |
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| JAN2N2920A | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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2N5794 | Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR |
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JAN2N5794 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR |
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JAN2N5794AUC/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| JANTXV2N5794AUC | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR |
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| JANTXV2N5794U | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR |
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| JAN2N5794U | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR |
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JANTXV2N5794UC/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT |
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JAN2N5794A | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR |
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JANTXV2N5794A | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR |
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| JANTX2N5794AUC | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR |
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JANTX2N5794A | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR |
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| JANS2N5794UC | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| 2N5794AU | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| JANTX2N5794UC/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| 2N5794UC/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| JANS2N5794U | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| JANS2N5794U/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| JAN2N5794UC/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| JANS2N5794UC/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| 2N5794A | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| 2N5794UC | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| JANTXV2N5794U/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| 2N5794AU/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| JANTX2N5794U/TR | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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| 2N5794U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT |
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PIC32MK0512GPE064T-I/PT | Microchip Technology |
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64TQFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-TQFP Mounting Type: Surface Mount Speed: 120MHz Program Memory Size: 512KB (512K x 8) RAM Size: 128K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH EEPROM Size: 4K x 8 Core Processor: MIPS32® microAptiv™ Data Converters: A/D 26x12b Core Size: 32-Bit Single-Core Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V Connectivity: CANbus, IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, WDT Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10) Part Status: Active Number of I/O: 48 |
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PIC32MK0512GPE064T-E/MR | Microchip Technology |
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: 80MHz Program Memory Size: 512KB (512K x 8) RAM Size: 128K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH EEPROM Size: 4K x 8 Core Processor: MIPS32® microAptiv™ Data Converters: A/D 26x12b Core Size: 32-Bit Single-Core Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V Connectivity: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, WDT Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, WDT Supplier Device Package: 64-QFN (9x9) Part Status: Obsolete Number of I/O: 48 Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 |
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PIC32MK0512GPE064T-E/MR | Microchip Technology |
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Speed: 80MHz Program Memory Size: 512KB (512K x 8) RAM Size: 128K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH EEPROM Size: 4K x 8 Core Processor: MIPS32® microAptiv™ Data Converters: A/D 26x12b Core Size: 32-Bit Single-Core Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V Connectivity: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, WDT Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, WDT Supplier Device Package: 64-QFN (9x9) Part Status: Obsolete Number of I/O: 48 Grade: Automotive DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 |
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PIC32MK0512GPD100T-E/PT | Microchip Technology |
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 100-TQFP Mounting Type: Surface Mount Speed: 80MHz Program Memory Size: 512KB (512K x 8) RAM Size: 128K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH EEPROM Size: 4K x 8 Core Processor: MIPS32® microAptiv™ Data Converters: A/D 42x12b Core Size: 32-Bit Single-Core Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V Connectivity: IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, WDT Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12) Part Status: Obsolete Number of I/O: 77 |
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PIC32MK0512GPD100T-E/PT | Microchip Technology |
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 100-TQFP Mounting Type: Surface Mount Speed: 80MHz Program Memory Size: 512KB (512K x 8) RAM Size: 128K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH EEPROM Size: 4K x 8 Core Processor: MIPS32® microAptiv™ Data Converters: A/D 42x12b Core Size: 32-Bit Single-Core Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V Connectivity: IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, WDT Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12) Part Status: Obsolete Number of I/O: 77 |
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PIC32MK0512GPK100T-I/PT | Microchip Technology |
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 100-TQFP Mounting Type: Surface Mount Speed: 120MHz Program Memory Size: 512KB (512K x 8) RAM Size: 128K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH EEPROM Size: 4K x 8 Core Processor: MIPS32® microAptiv™ Data Converters: A/D 42x12b; D/A 3x12b Core Size: 32-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 3.6V Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12) Number of I/O: 78 DigiKey Programmable: Not Verified |
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PIC32MK0512GPK064T-E/MR | Microchip Technology |
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64QFN |
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| GC1608-85 | Microchip Technology |
Description: SI TVAR HERMETIC PILL Packaging: Tray Diode Type: Single Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Capacitance @ Vr, F: 3.9pF @ 4V, 1MHz Q @ Vr, F: 1900 @ 4V, 50MHz Capacitance Ratio Condition: C0/C45 Voltage - Peak Reverse (Max): 45 V Capacitance Ratio: 5.4 |
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| GC1602-85 | Microchip Technology |
Description: SI TVAR HERMETIC PILL Packaging: Tray Diode Type: Single Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Capacitance @ Vr, F: 1.2pF @ 4V, 1MHz Q @ Vr, F: 2800 @ 4V, 50MHz Capacitance Ratio Condition: C0/C45 Voltage - Peak Reverse (Max): 45 V Capacitance Ratio: 4.5 |
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B10443 | Microchip Technology |
Description: OPTOLYZER STUDIO ENTRY FROM K2L Packaging: Bulk For Use With/Related Products: APGDT001, APGDT002 Type: Network Analyzer Part Status: Active Utilized IC / Part: APGDT001, APGDT002 |
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| 1N5952D | Microchip Technology |
Description: DIODE ZENER |
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| 1N5952B | Microchip Technology |
Description: DIODE ZENER |
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| 1N5952C | Microchip Technology |
Description: DIODE ZENER |
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| DSC613PE2A-017Q | Microchip Technology |
Description: 3-OUTPUT MEMS CLOCK GEN, 23.9998 |
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| DSC613RE1A-017Q | Microchip Technology |
Description: 3-OUTPUT MEMS CLOCK GEN, 23.9998 |
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| DSC613PE2A-017QT | Microchip Technology |
Description: 3-OUTPUT MEMS CLOCK GEN, 23.9998 |
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| DSC613RE1A-017QT | Microchip Technology |
Description: 3-OUTPUT MEMS CLOCK GEN, 23.9998 |
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| DSC613PE1A-017QT | Microchip Technology |
Description: 3-OUTPUT MEMS CLOCK GEN, 23.9998 |
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| DSC613PE1A-017Q | Microchip Technology |
Description: 3-OUTPUT MEMS CLOCK GEN, 23.9998 |
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| JANKCA2N2920 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANS2N2920U/TR |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: 6-SMD
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: 6-SMD
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANS2N2920L |
Hersteller: Microchip Technology
Description: NPN SMALL SIGNAL SILICON TRANSIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
Description: NPN SMALL SIGNAL SILICON TRANSIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
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Stück im Wert von UAH
| JAN2N2920 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| JAN2N2920U/TR |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: U
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: U
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
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Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N2920U/TR |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: 6-SMD
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: 6-SMD
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
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Stück im Wert von UAH
| JANSF2N2920 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| JANSR2N2920 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| JANTX2N2920A |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| R2N2920A |
Hersteller: Microchip Technology
Description: RH DUAL - SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Description: RH DUAL - SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
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Stück im Wert von UAH
| JANSR2N2920L |
Hersteller: Microchip Technology
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N2920A |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| 2N2920U/TR |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: 6-SMD
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: 6-SMD
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Stück im Wert von UAH
| JANTX2N2920U/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| JANSF2N2920L |
Hersteller: Microchip Technology
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| JAN2N2920A |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| 2N5794 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Description: NPN TRANSISTOR
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Stück im Wert von UAH
| JAN2N5794 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Description: NPN TRANSISTOR
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Stück im Wert von UAH
| JAN2N5794AUC/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5794AUC |
Hersteller: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Description: NPN TRANSISTOR
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Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5794U |
Hersteller: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Description: NPN TRANSISTOR
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Stück im Wert von UAH
| JAN2N5794U |
Hersteller: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Description: NPN TRANSISTOR
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Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5794UC/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
Description: TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| JAN2N5794A |
Hersteller: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Description: NPN TRANSISTOR
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Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5794A |
Hersteller: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Description: NPN TRANSISTOR
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Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5794AUC |
Hersteller: Microchip Technology
Description: PNP TRANSISTOR
Description: PNP TRANSISTOR
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| JANTX2N5794A |
Hersteller: Microchip Technology
Description: PNP TRANSISTOR
Description: PNP TRANSISTOR
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| JANS2N5794UC |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| 2N5794AU |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5794UC/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| 2N5794UC/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| JANS2N5794U |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| JANS2N5794U/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| JAN2N5794UC/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANS2N5794UC/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5794A |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5794UC |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5794U/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Stück im Wert von UAH
| 2N5794AU/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5794U/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5794U/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIC32MK0512GPE064T-I/PT |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 26x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, WDT
Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10)
Part Status: Active
Number of I/O: 48
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 26x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, WDT
Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10)
Part Status: Active
Number of I/O: 48
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIC32MK0512GPE064T-E/MR |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 26x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V
Connectivity: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, WDT
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, WDT
Supplier Device Package: 64-QFN (9x9)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 48
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 26x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V
Connectivity: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, WDT
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, WDT
Supplier Device Package: 64-QFN (9x9)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 48
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIC32MK0512GPE064T-E/MR |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 26x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V
Connectivity: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, WDT
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, WDT
Supplier Device Package: 64-QFN (9x9)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 48
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 26x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V
Connectivity: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, WDT
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, WDT
Supplier Device Package: 64-QFN (9x9)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 48
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIC32MK0512GPD100T-E/PT |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 42x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V
Connectivity: IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 77
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 42x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V
Connectivity: IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 77
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIC32MK0512GPD100T-E/PT |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 42x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V
Connectivity: IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 77
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 42x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.2V ~ 3.6V
Connectivity: IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 77
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIC32MK0512GPK100T-I/PT |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 42x12b; D/A 3x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12)
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 42x12b; D/A 3x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12)
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIC32MK0512GPK064T-E/MR |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64QFN
Description: IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64QFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| GC1608-85 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: SI TVAR HERMETIC PILL
Packaging: Tray
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Capacitance @ Vr, F: 3.9pF @ 4V, 1MHz
Q @ Vr, F: 1900 @ 4V, 50MHz
Capacitance Ratio Condition: C0/C45
Voltage - Peak Reverse (Max): 45 V
Capacitance Ratio: 5.4
Description: SI TVAR HERMETIC PILL
Packaging: Tray
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Capacitance @ Vr, F: 3.9pF @ 4V, 1MHz
Q @ Vr, F: 1900 @ 4V, 50MHz
Capacitance Ratio Condition: C0/C45
Voltage - Peak Reverse (Max): 45 V
Capacitance Ratio: 5.4
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| GC1602-85 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: SI TVAR HERMETIC PILL
Packaging: Tray
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Capacitance @ Vr, F: 1.2pF @ 4V, 1MHz
Q @ Vr, F: 2800 @ 4V, 50MHz
Capacitance Ratio Condition: C0/C45
Voltage - Peak Reverse (Max): 45 V
Capacitance Ratio: 4.5
Description: SI TVAR HERMETIC PILL
Packaging: Tray
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Capacitance @ Vr, F: 1.2pF @ 4V, 1MHz
Q @ Vr, F: 2800 @ 4V, 50MHz
Capacitance Ratio Condition: C0/C45
Voltage - Peak Reverse (Max): 45 V
Capacitance Ratio: 4.5
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| B10443 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: OPTOLYZER STUDIO ENTRY FROM K2L
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: APGDT001, APGDT002
Type: Network Analyzer
Part Status: Active
Utilized IC / Part: APGDT001, APGDT002
Description: OPTOLYZER STUDIO ENTRY FROM K2L
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: APGDT001, APGDT002
Type: Network Analyzer
Part Status: Active
Utilized IC / Part: APGDT001, APGDT002
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| 1N5952D |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER
Description: DIODE ZENER
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| 1N5952B |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER
Description: DIODE ZENER
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| 1N5952C |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER
Description: DIODE ZENER
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| DSC613PE2A-017Q |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: 3-OUTPUT MEMS CLOCK GEN, 23.9998
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| DSC613RE1A-017Q |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: 3-OUTPUT MEMS CLOCK GEN, 23.9998
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| DSC613PE2A-017QT |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: 3-OUTPUT MEMS CLOCK GEN, 23.9998
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| DSC613RE1A-017QT |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: 3-OUTPUT MEMS CLOCK GEN, 23.9998
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| DSC613PE1A-017QT |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: 3-OUTPUT MEMS CLOCK GEN, 23.9998
Description: 3-OUTPUT MEMS CLOCK GEN, 23.9998
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| DSC613PE1A-017Q |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: 3-OUTPUT MEMS CLOCK GEN, 23.9998
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