Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > Alle Produkte des Herstellers MICROCHIP TECHNOLOGY (280720) > Seite 1593 nach 4679
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.jpg "MXSMLJ10A") |
MXSMLJ10A | Microchip Technology |
 Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB |
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| MXSMLG75Ae3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 75VWM 121VC SMLG |
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| MXSMLG7.0Ae3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 7VWM 12VC SMLG Part Status: Active Power Line Protection: No Power - Peak Pulse: 3000W (3kW) Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V Voltage - Breakdown (Min): 7.78V Unidirectional Channels: 1 Supplier Device Package: SMLG (DO-215AB) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V Current - Peak Pulse (10/1000µs): 250A Applications: General Purpose Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Type: Zener Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-215AB, SMC Gull Wing Packaging: Bulk |
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| MXSMLG8.5CA | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SMLG |
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MXSMLJ10Ae3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB |
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MXSMLJ170CA | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AB |
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| MXSMLG7.0CA | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 7VWM 12VC SMLG |
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| MXSMLG90CA | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC SMLG |
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| MXSMLG70CA | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC SMLG |
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MXSMLJ120CA | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AB |
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MXSMLJ10CA | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB |
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MXSMLJ130CA | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 130VWM 209VC DO214AB |
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MXSMLJ100Ae3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB |
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MXSMLJ17A | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO214AB |
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MXSMLJ14A | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AB |
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MXSMLJ170CAe3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AB |
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MXSMLJ170Ae3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AB |
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| MXSMLG78Ae3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 78VWM 126VC SMLG |
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MXSMLJ110CAe3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 110VWM 177VC DO214AB |
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MXSMLJ15CAE3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AB |
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| MIC68200-1.8YML TR | Microchip Technology |
Description: 2A SEQUENCING LDO |
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MIC68200YML TR | Microchip Technology |
Description: 2AMP SEQUENCING LDO WITH TRACKIN |
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| MIC68200-3.3YML TR | Microchip Technology |
Description: 2A SEQUENCING LDO |
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DSC1223NE2-100M0000 | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC, LOW JITTER, 100MHZ, LV |
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-3.20-mm-x-2.50-mm.jpg "DSC1101CE1-100.0000T") |
DSC1101CE1-100.0000T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC LOW JITTER 100MHZ LVCMO Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.6V Frequency Stability: ±50ppm Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Type: XO (Standard) Function: Standby (Power Down) Output: CMOS Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Package / Case: 6-VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Base Resonator: MEMS Frequency: 100 MHz Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm) Current - Supply (Max): 35mA |
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| DSC1001CE1-100.0000T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 100.0000MHZ CMOS SMD Base Resonator: MEMS Frequency: 100 MHz Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm) Current - Supply (Max): 10.5mA Ratings: AEC-Q100 Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.3V Frequency Stability: ±50ppm Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Type: XO (Standard) Function: Standby (Power Down) Output: CMOS Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) |
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DSC1101CE1-100.0000 | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC LOW JITTER 100MHZ LVCMO Base Resonator: MEMS Frequency: 100 MHz Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm) Current - Supply (Max): 35mA Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.6V Frequency Stability: ±50ppm Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Type: XO (Standard) Function: Standby (Power Down) Output: CMOS Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Package / Case: 6-VDFN Packaging: Tube |
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| DSC1103CE1-100.0000 | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC LOW JITTER 100MHZ LVDS Base Resonator: MEMS Frequency: 100 MHz Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm) Current - Supply (Max): 32mA Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V Frequency Stability: ±50ppm Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Type: XO (Standard) Function: Standby (Power Down) Output: LVDS Mounting Type: Surface Mount Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Package / Case: 6-VDFN Packaging: Tube |
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| DSC1001CE1-100.0000 | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 100.0000MHZ CMOS SMD Packaging: Tube Package / Case: 4-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: CMOS Function: Standby (Power Down) Type: XO (Standard) Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.3V Ratings: AEC-Q100 Current - Supply (Max): 10.5mA Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm) Frequency: 100 MHz Base Resonator: MEMS |
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| DSC1103CE1-100.0000T | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC LOW JITTER 100MHZ LVDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VDFN Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: LVDS Function: Standby (Power Down) Type: XO (Standard) Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V Current - Supply (Max): 32mA Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm) Frequency: 100 MHz Base Resonator: MEMS |
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| MASMCGLCE110Ae3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 110VWM 178VC SMCG |
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Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
~~2-Top.jpg "MSMCJLCE110AE3/TR") |
MSMCJLCE110AE3/TR | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 110VWM 178VC SMCJ |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| MXSMCGLCE110A | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 110VWM 178VC SMCG |
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| JAN1N2814B | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE |
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| JANTXV1N2814B | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE |
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| JANTX1N2814RB | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE |
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| JAN1N2814RB | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE |
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| JANTX1N2814B | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE |
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| JANTXV1N2814RB | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE |
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| 2N4003 | Microchip Technology |
Description: POWER BJT Power - Max: 100 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-63 Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Packaging: Bulk |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
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24FC16T-E/OT36KVAO | Microchip Technology |
Description: 16KB I2C EEPROM, 1MHZ 1.7-5.5V, |
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LP0701LG-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET P-CH 16.5V 700MA 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 16.5 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
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MSMLJ8.5CA | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AB |
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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MSMLJ8.5Ae3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AB |
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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MSMLJ90A | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC DO214AB |
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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MSMLJ8.0CA | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AB |
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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MSMLJ90Ae3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC DO214AB |
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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MSMLJ75CA | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 75VWM 121VC DO214AB |
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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MSMLJ9.0CA | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AB |
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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MSMLJ85AE3 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 85VWM 137VC DO214AB |
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Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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ATTINY24V-10SSU | Microchip Technology |
 Description: IC MCU 8BIT 2KB FLASH 14SOICPackaging: Tube Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Speed: 10MHz Program Memory Size: 2KB (1K x 16) RAM Size: 128 x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH EEPROM Size: 128 x 8 Core Processor: AVR Data Converters: A/D 8x10b Core Size: 8-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V Connectivity: USI Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, Temp Sensor, WDT Supplier Device Package: 14-SOIC Part Status: Active Number of I/O: 12 DigiKey Programmable: Verified |
auf Bestellung 4132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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-Axial-Microchip.JPG "JANS1N5711-1/TR") |
JANS1N5711-1/TR | Microchip Technology |
Description: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35 Qualification: MIL-PRF-19500/444 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Current - Average Rectified (Io): 33mA Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Technology: Schottky Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Packaging: Tape & Reel (TR) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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DSC6083CI2A-032K800 | Microchip Technology |
Description: MEMS OSC XO 32.8000KHZ CMOS SMD |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PIC32MK1024GPK100T-E/PT | Microchip Technology |
Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100TQFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 100-TQFP Mounting Type: Surface Mount Speed: 120MHz Program Memory Size: 1MB (1M x 8) RAM Size: 256K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH EEPROM Size: 4K x 8 Core Processor: MIPS32® microAptiv™ Data Converters: A/D 42x12b; D/A 3x12b Core Size: 32-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 3.6V Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12) Part Status: Active Number of I/O: 78 DigiKey Programmable: Not Verified |
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Mindestbestellmenge: 1200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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PIC32MK1024GPK100T-E/PT | Microchip Technology |
Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100TQFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 100-TQFP Mounting Type: Surface Mount Speed: 120MHz Program Memory Size: 1MB (1M x 8) RAM Size: 256K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH EEPROM Size: 4K x 8 Core Processor: MIPS32® microAptiv™ Data Converters: A/D 42x12b; D/A 3x12b Core Size: 32-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 3.6V Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12) Part Status: Active Number of I/O: 78 DigiKey Programmable: Not Verified |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| 2N5741 | Microchip Technology | Description: POWER BJT |
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
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AT91SAM7SE32B-CU | Microchip Technology |
Description: IC MCU 16/32B 32KB FLSH 144LFBGA Packaging: Tray Package / Case: 144-LFBGA Mounting Type: Surface Mount Speed: 55MHz Program Memory Size: 32KB (32K x 8) RAM Size: 8K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH Core Processor: ARM7® Data Converters: A/D 8x10b Core Size: 16/32-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.65V ~ 1.95V Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, SSC, UART/USART, USB Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT Supplier Device Package: 144-LFBGA (10x10) Part Status: Active Number of I/O: 88 DigiKey Programmable: Not Verified |
auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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VXM1-1B1-24M5750000TR | Microchip Technology | Description: VXM1-1B1-24M5750000TR |
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VXM1-1B1-24M5750000 | Microchip Technology | Description: VXM1-1B1-24M5750000 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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JANSP2N2907AUB | Microchip Technology |
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MXSMLJ10A |
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Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXSMLG75Ae3 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 75VWM 121VC SMLG
Description: TVS DIODE 75VWM 121VC SMLG
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXSMLG7.0Ae3 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 7VWM 12VC SMLG
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMLG (DO-215AB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 250A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-215AB, SMC Gull Wing
Packaging: Bulk
Description: TVS DIODE 7VWM 12VC SMLG
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Voltage - Breakdown (Min): 7.78V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: SMLG (DO-215AB)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 250A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-215AB, SMC Gull Wing
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXSMLG8.5CA |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SMLG
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SMLG
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXSMLJ10Ae3 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXSMLJ170CA |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AB
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXSMLG7.0CA |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 7VWM 12VC SMLG
Description: TVS DIODE 7VWM 12VC SMLG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXSMLG90CA |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC SMLG
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC SMLG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXSMLG70CA |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC SMLG
Description: TVS DIODE 70VWM 113VC SMLG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXSMLJ120CA |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AB
Description: TVS DIODE 120VWM 193VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXSMLJ10CA |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXSMLJ130CA |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 130VWM 209VC DO214AB
Description: TVS DIODE 130VWM 209VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXSMLJ100Ae3 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
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Stück im Wert von UAH
| MXSMLJ17A |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO214AB
Description: TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO214AB
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Stück im Wert von UAH
| MXSMLJ14A |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AB
Description: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AB
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Stück im Wert von UAH
| MXSMLJ170CAe3 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AB
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AB
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXSMLJ170Ae3 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AB
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO214AB
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Stück im Wert von UAH
| MXSMLG78Ae3 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 78VWM 126VC SMLG
Description: TVS DIODE 78VWM 126VC SMLG
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Stück im Wert von UAH
| MXSMLJ110CAe3 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 110VWM 177VC DO214AB
Description: TVS DIODE 110VWM 177VC DO214AB
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Stück im Wert von UAH
| MXSMLJ15CAE3 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AB
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AB
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Stück im Wert von UAH
| MIC68200-1.8YML TR |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: 2A SEQUENCING LDO
Description: 2A SEQUENCING LDO
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Stück im Wert von UAH
| MIC68200YML TR |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: 2AMP SEQUENCING LDO WITH TRACKIN
Description: 2AMP SEQUENCING LDO WITH TRACKIN
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Stück im Wert von UAH
| MIC68200-3.3YML TR |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: 2A SEQUENCING LDO
Description: 2A SEQUENCING LDO
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC1223NE2-100M0000 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC, LOW JITTER, 100MHZ, LV
Description: MEMS OSC, LOW JITTER, 100MHZ, LV
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC1101CE1-100.0000T |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC LOW JITTER 100MHZ LVCMO
Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.6V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Type: XO (Standard)
Function: Standby (Power Down)
Output: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 6-VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Resonator: MEMS
Frequency: 100 MHz
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
Current - Supply (Max): 35mA
Description: MEMS OSC LOW JITTER 100MHZ LVCMO
Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.6V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Type: XO (Standard)
Function: Standby (Power Down)
Output: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 6-VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Base Resonator: MEMS
Frequency: 100 MHz
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
Current - Supply (Max): 35mA
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC1001CE1-100.0000T |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 100.0000MHZ CMOS SMD
Base Resonator: MEMS
Frequency: 100 MHz
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
Current - Supply (Max): 10.5mA
Ratings: AEC-Q100
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.3V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Type: XO (Standard)
Function: Standby (Power Down)
Output: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MEMS OSC XO 100.0000MHZ CMOS SMD
Base Resonator: MEMS
Frequency: 100 MHz
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
Current - Supply (Max): 10.5mA
Ratings: AEC-Q100
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.3V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Type: XO (Standard)
Function: Standby (Power Down)
Output: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC1101CE1-100.0000 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC LOW JITTER 100MHZ LVCMO
Base Resonator: MEMS
Frequency: 100 MHz
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
Current - Supply (Max): 35mA
Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.6V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Type: XO (Standard)
Function: Standby (Power Down)
Output: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 6-VDFN
Packaging: Tube
Description: MEMS OSC LOW JITTER 100MHZ LVCMO
Base Resonator: MEMS
Frequency: 100 MHz
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
Current - Supply (Max): 35mA
Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.6V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Type: XO (Standard)
Function: Standby (Power Down)
Output: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 6-VDFN
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC1103CE1-100.0000 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC LOW JITTER 100MHZ LVDS
Base Resonator: MEMS
Frequency: 100 MHz
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
Current - Supply (Max): 32mA
Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Type: XO (Standard)
Function: Standby (Power Down)
Output: LVDS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 6-VDFN
Packaging: Tube
Description: MEMS OSC LOW JITTER 100MHZ LVDS
Base Resonator: MEMS
Frequency: 100 MHz
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
Current - Supply (Max): 32mA
Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V
Frequency Stability: ±50ppm
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Type: XO (Standard)
Function: Standby (Power Down)
Output: LVDS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Package / Case: 6-VDFN
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC1001CE1-100.0000 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 100.0000MHZ CMOS SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Standby (Power Down)
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.3V
Ratings: AEC-Q100
Current - Supply (Max): 10.5mA
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
Frequency: 100 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC XO 100.0000MHZ CMOS SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Standby (Power Down)
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.3V
Ratings: AEC-Q100
Current - Supply (Max): 10.5mA
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
Frequency: 100 MHz
Base Resonator: MEMS
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC1103CE1-100.0000T |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC LOW JITTER 100MHZ LVDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Standby (Power Down)
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 32mA
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
Frequency: 100 MHz
Base Resonator: MEMS
Description: MEMS OSC LOW JITTER 100MHZ LVDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Function: Standby (Power Down)
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V
Current - Supply (Max): 32mA
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
Frequency: 100 MHz
Base Resonator: MEMS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MASMCGLCE110Ae3 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 110VWM 178VC SMCG
Description: TVS DIODE 110VWM 178VC SMCG
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSMCJLCE110AE3/TR |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 110VWM 178VC SMCJ
Description: TVS DIODE 110VWM 178VC SMCJ
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXSMCGLCE110A |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 110VWM 178VC SMCG
Description: TVS DIODE 110VWM 178VC SMCG
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN1N2814B |
Hersteller: Microchip Technology
Description: ZENER DIODE
Description: ZENER DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV1N2814B |
Hersteller: Microchip Technology
Description: ZENER DIODE
Description: ZENER DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX1N2814RB |
Hersteller: Microchip Technology
Description: ZENER DIODE
Description: ZENER DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN1N2814RB |
Hersteller: Microchip Technology
Description: ZENER DIODE
Description: ZENER DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX1N2814B |
Hersteller: Microchip Technology
Description: ZENER DIODE
Description: ZENER DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV1N2814RB |
Hersteller: Microchip Technology
Description: ZENER DIODE
Description: ZENER DIODE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N4003 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-63
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Packaging: Bulk
Description: POWER BJT
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-63
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 24FC16T-E/OT36KVAO |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: 16KB I2C EEPROM, 1MHZ 1.7-5.5V,
Description: 16KB I2C EEPROM, 1MHZ 1.7-5.5V,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LP0701LG-G |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET P-CH 16.5V 700MA 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16.5 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 16.5V 700MA 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16.5 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSMLJ8.5CA |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AB
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSMLJ8.5Ae3 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AB
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSMLJ90A |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC DO214AB
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSMLJ8.0CA |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AB
Description: TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSMLJ90Ae3 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC DO214AB
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSMLJ75CA |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 75VWM 121VC DO214AB
Description: TVS DIODE 75VWM 121VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSMLJ9.0CA |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AB
Description: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSMLJ85AE3 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 85VWM 137VC DO214AB
Description: TVS DIODE 85VWM 137VC DO214AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| ATTINY24V-10SSU |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: IC MCU 8BIT 2KB FLASH 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 2KB (1K x 16)
RAM Size: 128 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128 x 8
Core Processor: AVR
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: USI
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, Temp Sensor, WDT
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
Number of I/O: 12
DigiKey Programmable: Verified
Description: IC MCU 8BIT 2KB FLASH 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 10MHz
Program Memory Size: 2KB (1K x 16)
RAM Size: 128 x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128 x 8
Core Processor: AVR
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: USI
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, Temp Sensor, WDT
Supplier Device Package: 14-SOIC
Part Status: Active
Number of I/O: 12
DigiKey Programmable: Verified
auf Bestellung 4132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.86 EUR |
| 25+ | 3.53 EUR |
| 100+ | 3.2 EUR |
| JANS1N5711-1/TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35
Qualification: MIL-PRF-19500/444
Grade: Military
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Current - Average Rectified (Io): 33mA
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35
Qualification: MIL-PRF-19500/444
Grade: Military
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 15 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Current - Average Rectified (Io): 33mA
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DSC6083CI2A-032K800 |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: MEMS OSC XO 32.8000KHZ CMOS SMD
Description: MEMS OSC XO 32.8000KHZ CMOS SMD
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 1.93 EUR |
| PIC32MK1024GPK100T-E/PT |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 42x12b; D/A 3x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12)
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 42x12b; D/A 3x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12)
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1200 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PIC32MK1024GPK100T-E/PT |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 42x12b; D/A 3x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12)
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 32BIT 1MB FLASH 100TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 100-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 120MHz
Program Memory Size: 1MB (1M x 8)
RAM Size: 256K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 4K x 8
Core Processor: MIPS32® microAptiv™
Data Converters: A/D 42x12b; D/A 3x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.3V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART, USB OTG
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-TQFP (12x12)
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
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| 2N5741 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Description: POWER BJT
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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| AT91SAM7SE32B-CU |
|
Hersteller: Microchip Technology
Description: IC MCU 16/32B 32KB FLSH 144LFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 55MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM7®
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 16/32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.65V ~ 1.95V
Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, SSC, UART/USART, USB
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 144-LFBGA (10x10)
Part Status: Active
Number of I/O: 88
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 16/32B 32KB FLSH 144LFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 55MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM7®
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 16/32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.65V ~ 1.95V
Connectivity: EBI/EMI, I2C, SPI, SSC, UART/USART, USB
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 144-LFBGA (10x10)
Part Status: Active
Number of I/O: 88
DigiKey Programmable: Not Verified
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 19.59 EUR |
| 25+ | 19.05 EUR |
| VXM1-1B1-24M5750000TR |
Hersteller: Microchip Technology
Description: VXM1-1B1-24M5750000TR
Description: VXM1-1B1-24M5750000TR
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| VXM1-1B1-24M5750000 |
Hersteller: Microchip Technology
Description: VXM1-1B1-24M5750000
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Stück im Wert von UAH
| JANSP2N2907AUB |
Hersteller: Microchip Technology
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Description: RH SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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