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SST39VF3201B-70-4I-EKE SST39VF3201B-70-4I-EKE MICROCHIP TECHNOLOGY 25111A.pdf Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; 2Mx16bit; 70ns; TSOP48; parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Kind of memory: Multi-Purpose Flash+
Kind of interface: parallel
Access time: 70ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 32Mb FLASH
Memory organisation: 2Mx16bit
Case: TSOP48
Type of integrated circuit: FLASH memory
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SST39VF3201B-70-4I-EKE-T SST39VF3201B-70-4I-EKE-T MICROCHIP TECHNOLOGY 25111A.pdf Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; 2Mx16bit; 70ns; TSOP48; parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: Multi-Purpose Flash+
Kind of interface: parallel
Access time: 70ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 32Mb FLASH
Memory organisation: 2Mx16bit
Case: TSOP48
Type of integrated circuit: FLASH memory
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPLAD6.5KP11CA MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B2DB816CE8098A15&compId=mplad6.5k.pdf?ci_sign=6150cce8d7b343383b6231cad94ce157f8db3538 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.5kW; 12.2÷13.5V; 358A; bidirectional; PLAD
Case: PLAD
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 11V
Breakdown voltage: 12.2...13.5V
Max. forward impulse current: 358A
Peak pulse power dissipation: 6.5kW
Semiconductor structure: bidirectional
Type of diode: TVS
Leakage current: 10µA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SST39VF3201B-70-4I-EKE 25111A.pdf
SST39VF3201B-70-4I-EKE
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; 2Mx16bit; 70ns; TSOP48; parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Kind of memory: Multi-Purpose Flash+
Kind of interface: parallel
Access time: 70ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 32Mb FLASH
Memory organisation: 2Mx16bit
Case: TSOP48
Type of integrated circuit: FLASH memory
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SST39VF3201B-70-4I-EKE-T 25111A.pdf
SST39VF3201B-70-4I-EKE-T
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 32MbFLASH; 2Mx16bit; 70ns; TSOP48; parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: Multi-Purpose Flash+
Kind of interface: parallel
Access time: 70ns
Operating voltage: 2.7...3.6V
Memory: 32Mb FLASH
Memory organisation: 2Mx16bit
Case: TSOP48
Type of integrated circuit: FLASH memory
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MPLAD6.5KP11CA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B2DB816CE8098A15&compId=mplad6.5k.pdf?ci_sign=6150cce8d7b343383b6231cad94ce157f8db3538
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 6.5kW; 12.2÷13.5V; 358A; bidirectional; PLAD
Case: PLAD
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 11V
Breakdown voltage: 12.2...13.5V
Max. forward impulse current: 358A
Peak pulse power dissipation: 6.5kW
Semiconductor structure: bidirectional
Type of diode: TVS
Leakage current: 10µA
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