MPLAD6.5KP11CA Microsemi Corporation
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Technische Details MPLAD6.5KP11CA Microsemi Corporation
Category: Bidirectional TVS SMD diodes, Description: Diode: TVS; 6.5kW; 12.2÷13.5V; 358A; bidirectional; PLAD, Case: PLAD, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 11V, Breakdown voltage: 12.2...13.5V, Max. forward impulse current: 358A, Peak pulse power dissipation: 6.5kW, Semiconductor structure: bidirectional, Type of diode: TVS, Leakage current: 10µA, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MPLAD6.5KP11CA
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| MPLAD6.5KP11CA | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
 Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 6.5kW; 12.2÷13.5V; 358A; bidirectional; PLAD Case: PLAD Mounting: SMD Max. off-state voltage: 11V Breakdown voltage: 12.2...13.5V Max. forward impulse current: 358A Peak pulse power dissipation: 6.5kW Semiconductor structure: bidirectional Type of diode: TVS Leakage current: 10µA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| MPLAD6.5KP11CA | Hersteller : Microsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes Bi-Directional TVS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MPLAD6.5KP11CA | Hersteller : Microchip Technology |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 11V, 5%, 6500W, bi, mini-PLAD, SMT |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MPLAD6.5KP11CA | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Bidirectional TVS SMD diodes Description: Diode: TVS; 6.5kW; 12.2÷13.5V; 358A; bidirectional; PLAD Case: PLAD Mounting: SMD Max. off-state voltage: 11V Breakdown voltage: 12.2...13.5V Max. forward impulse current: 358A Peak pulse power dissipation: 6.5kW Semiconductor structure: bidirectional Type of diode: TVS Leakage current: 10µA |
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