| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| MT48LC4M16A2TG-7E | Micron |
Динамічна пам'ять SDRAM, F, МГц = 133, Uживл, В = 3...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT48LC4M32B2P-6A:L TR | Micron |
Синхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбайт, Орг. пам. = 4М x 32, Тдост/Частота = 167 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFSOP-86 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT48LC64M8A2P-75:C | Micron |
Синхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64M x 8, Тдост/Частота = 133, Тексп, °С = 0...+70, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 108 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT48LC8M16A2P-7E IT:L TR | Micron |
Синхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,3...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 8M x 16, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85, Ревізія = L,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Очікується: 43 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT48LC8M16A2TG-6A:G | Micron |
Микросхема памяти... Інтегральні мікросхеми Корпус: xxx Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 108 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT48LC8M16A2TG-7E:G TR | Micron |
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 8М х 16, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вимAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT49H32M18BM-18:B | Micron |
Синхронна динамічна пам'ять RLDRAM II, Вер. А, F, МГц = 533, Uживл, В = 1,8, 2,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 576 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 18, Тдост/Частота = 1,875 нс, Тексп, °С = 0...+95,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UBGA-144 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D | Micron |
Динамічна пам'ять LPDDR4, Uживл, В = 1,1, Об'єм RAM = 4 Гбайт, Орг. пам. = 1024Mx32, Тексп, °C = -40.....+105,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WFBGA-200 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1300 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MTA8ATF1G64HZ-2G6E1 | Micron |
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять, Uживл, В = 1,2, Об'єм RAM = 64 Гбіт, Орг. пам. = 1G x 64, Тдост/Частота = 1 333 МГц, Тексп, °C = 0...+95, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIMM-260 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JS28F00AM29EWHA | Micron |
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2.7 V ~ 3.6 V, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 1G (128M x 8, 64M x 16), Тексп, °С = -40°C ~ 85°C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-56 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| JS28F00AM29EWHB | Micron |
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, 64M x 16, Тдост/Частота = 110 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-56 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1600 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT28EW01GABA1HPC-0SIT | Micron |
Паралельна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, 64M x 16, Тдост/Частота = 60 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LBGA-64 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1104 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT28EW01GABA1LPC-0SIT | Micron |
Паралельна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, 64M x 16, Тдост/Частота = 95 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LBGA-64 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1104 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT28EW128ABA1HJS-0SIT | Micron |
Паралельна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, 8M x 16, Тдост/Частота = 95 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 56-TSOP Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 576 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT28EW256ABA1HPC-0SIT | Micron |
Паралельна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3.6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, 16М х 16, Тдост/Частота = 75 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LBGA-64 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1104 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT29F128G08CFAAAWP:A | Micron |
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 128 Гбіт, Орг. пам. = 16G x 8, Тексп, °С = 0...+70, AAA = набір особливостей першого покоління,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT29F128G08CFABAWP:B | Micron |
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 128 Гбит, Орг. пам. = 16G x 8, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °С = 0...+70, ABA = набір особливостей другого покоління,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT29F16G08ABABAWP:B TR | Micron |
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2.7...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 16 Гбіт, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Очікується: 33 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT29F1G01ABAFDWB-IT:F TR | Micron |
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2.7...3.6, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = SPI, Об. пам. = 1 Гбіт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 8-UDFN Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT29F1G08ABAEAWP-IT:E | Micron |
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFSOP-48 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT29F2G08ABAEAWP-IT:E | Micron |
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 2 Гбіт, Орг. пам. = 256M x 8, Тексп, °С = 40...+85,,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 960 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT29F2G08ABAEAWP:E TR | Micron |
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 2 Гбіт, Орг. пам. = 256M x 8, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
verfügbar 16 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT29F2G16AADWP-ET:D | Micron |
Память FLASH 2 Gbit , Vcc,В 2.7 V ~ 3.6 V, ннтерфейс NAND, Об. пам. 2Gbit, Орг. пам. 128M x 16, Тэксп, °С -40°C ~ 85°C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 48-TSOP Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT29F2G16AADWP:D TR | Micron |
Память FLASH 2 Mbit (128Kb x16), IC FLASH 2GBIT 48TSOP - Micron Technology Inc FLASH FLASH - Nand 2G (128M x 16) - Parallel - 0°C ~ 70°C 48-TSOP Cut Tape (CT)... Інтегральні мікросхеми Корпус: 48-TSOP Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT29F32G08FAAWP-ET:A | Micron |
Тип памяти - flash, Об. пам., M - 32G, Тип инт. - parallel, Тдост., нс - 1, Vcc, В - 3,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT29F4G08AAAWP-ET | Micron |
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 4 Гбіт, Орг. пам. = 512M x 8, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 96 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT29F4G08ABCHC:C | Micron |
Параллельная Flash память 4Gbit... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA -63 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 96 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT29F64G08CBAAAWP:A | Micron |
Flash-пам'ять, Uживл, В = 2.7...3.6, Об'єм RAM = 64 Гбайт, Тексп, °C = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 48-TSOP Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR | Micron |
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...1,95, Об'єм RAM = 8 Гбіт, Орг. пам. = 512М х 16, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA-63 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PC28F00BM29EWHA | Micron |
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 2 Гбіт, Орг. пам. = 256M x 8, 128M x 16, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LBGA-64 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 184 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PC28F256P30BFE | Micron |
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85, Розпіновка типу "Bottom",... Інтегральні мікросхеми Корпус: EASYBGA-64 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 864 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PC28F256P30TFA | Micron |
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85, Розпіновка типу "Top",... Інтегральні мікросхеми Корпус: EASYBGA-64 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 864 Stücke |
verfügbar 6 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| PC28F256P30TFE | Micron |
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: EASYBGA-64 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 864 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M25P128-VMF6TPB | Micron |
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 8, Тдост/Частота = 54 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M25P32-VMW6TG | Micron |
Послідовна NOR-Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Орг. пам. = 4M x 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = SPI, Об. пам. = 32 МБайт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M25P80-VMN6P | Micron |
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
verfügbar 58 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M25PE16-VMW6G | Micron |
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 2M x 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M25PE16-VMW6TG | Micron |
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 2M x 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M25PE40-VMW6G | Micron |
NOR Flash-память, Uживл, В = 2.7...3.6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Мбіт, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| M25PE80-VMW6G | Micron |
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 3,3, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 90 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QL01GBBB8E12-0AUT | Micron |
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Опис Послідовна Flash-пам'ять,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1122 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QL02GCBB8E12-0SIT | Micron |
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 2 Гбіт, Орг. пам. = 256M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1122 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QL128ABA1ESE-0SIT TR | Micron |
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QL128ABA1EW7-0SIT TR | Micron |
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
verfügbar 2 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QL128ABA1EW9-0SIT TR | Micron |
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QL128ABA8E12-0AAT | Micron |
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+105, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Очікується: 10 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1122 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QL128ABA8E12-0SIT | Micron |
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбайт, Орг. пам. = 16M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Очікується: 1 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1122 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QL256ABA1EW7-0SIT | Micron |
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбайт, Орг. пам. = 32M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = SPI - Quad I/O,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2940 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QL256ABA8E12-1SIT TR | Micron |
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1122 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QL256ABA8ESF-0SIT | Micron |
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3.6, Об'єм RAM = 32 Мбайт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1440 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QL512ABB8ESF-0SIT | Micron |
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1440 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QU01GBBB1EW9-0SIT | Micron |
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, Тдост/Частота = 133 мс, Тексп, °C = -40....+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QU256ABA8E12-1SIT | Micron |
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2.0, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 133 мс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2940 Stücke |
verfügbar 9 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QU512ABB1EW9-0SIT | Micron |
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QU512ABB8E12-0AUT | Micron |
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7....2 В, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64Mx8, Тексп, °C = -40°C ~ 125°C, Тип інтерф. = QSPI,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MT25QU512ABB8E12-0SIT | Micron |
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64M x 8, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = SPI,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1122 Stücke |
verfügbar 1 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| MTFC16GAPALBH-AAT | Micron |
Послідовна енергонезалежна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...1,9, Об'єм RAM = 128 Гбіт, Орг. пам. = 16Г х 8, Тексп, °C = -40...+105, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA-153 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| N25Q00AA11G1240E | Micron |
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Гбіт, Тдост/Частота = 108 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PBGA-24 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| N25Q064A13ESE40E | Micron |
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 64 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 4, Тдост/Частота = 108 мс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 95 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| N25Q064A13ESE40G | Micron |
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 4, Тдост/Частота = 108 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 95 Stücke |
verfügbar 81 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MT48LC4M16A2TG-7E |
![]() |
Hersteller: Micron
Динамічна пам'ять SDRAM, F, МГц = 133, Uживл, В = 3...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Динамічна пам'ять SDRAM, F, МГц = 133, Uживл, В = 3...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 4M x 16, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT48LC4M32B2P-6A:L TR |
![]() |
Hersteller: Micron
Синхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбайт, Орг. пам. = 4М x 32, Тдост/Частота = 167 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFSOP-86 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Синхронна енергозалежна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбайт, Орг. пам. = 4М x 32, Тдост/Частота = 167 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFSOP-86 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
| MT48LC64M8A2P-75:C |
![]() |
Hersteller: Micron
Синхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64M x 8, Тдост/Частота = 133, Тексп, °С = 0...+70, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 108 Stücke
Синхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64M x 8, Тдост/Частота = 133, Тексп, °С = 0...+70, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 108 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT48LC8M16A2P-7E IT:L TR |
![]() |
Hersteller: Micron
Синхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,3...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 8M x 16, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85, Ревізія = L,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Очікується: 43 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Синхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,3...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 8M x 16, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85, Ревізія = L,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Очікується: 43 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT48LC8M16A2TG-6A:G |
![]() |
Hersteller: Micron
Микросхема памяти... Інтегральні мікросхеми Корпус: xxx Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 108 Stücke
Микросхема памяти... Інтегральні мікросхеми Корпус: xxx Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 108 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT48LC8M16A2TG-7E:G TR |
![]() |
Hersteller: Micron
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 8М х 16, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 8М х 16, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT49H32M18BM-18:B |
![]() |
Hersteller: Micron
Синхронна динамічна пам'ять RLDRAM II, Вер. А, F, МГц = 533, Uживл, В = 1,8, 2,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 576 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 18, Тдост/Частота = 1,875 нс, Тексп, °С = 0...+95,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UBGA-144 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Синхронна динамічна пам'ять RLDRAM II, Вер. А, F, МГц = 533, Uживл, В = 1,8, 2,5, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 576 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 18, Тдост/Частота = 1,875 нс, Тексп, °С = 0...+95,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UBGA-144 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D |
Hersteller: Micron
Динамічна пам'ять LPDDR4, Uживл, В = 1,1, Об'єм RAM = 4 Гбайт, Орг. пам. = 1024Mx32, Тексп, °C = -40.....+105,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WFBGA-200 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1300 Stücke
Динамічна пам'ять LPDDR4, Uживл, В = 1,1, Об'єм RAM = 4 Гбайт, Орг. пам. = 1024Mx32, Тексп, °C = -40.....+105,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WFBGA-200 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1300 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MTA8ATF1G64HZ-2G6E1 |
![]() |
Hersteller: Micron
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять, Uживл, В = 1,2, Об'єм RAM = 64 Гбіт, Орг. пам. = 1G x 64, Тдост/Частота = 1 333 МГц, Тексп, °C = 0...+95, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIMM-260 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять, Uживл, В = 1,2, Об'єм RAM = 64 Гбіт, Орг. пам. = 1G x 64, Тдост/Частота = 1 333 МГц, Тексп, °C = 0...+95, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIMM-260 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JS28F00AM29EWHA |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2.7 V ~ 3.6 V, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 1G (128M x 8, 64M x 16), Тексп, °С = -40°C ~ 85°C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-56 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2.7 V ~ 3.6 V, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 1G (128M x 8, 64M x 16), Тексп, °С = -40°C ~ 85°C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-56 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JS28F00AM29EWHB |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, 64M x 16, Тдост/Частота = 110 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-56 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1600 Stücke
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, 64M x 16, Тдост/Частота = 110 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-56 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1600 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT28EW01GABA1HPC-0SIT |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, 64M x 16, Тдост/Частота = 60 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LBGA-64 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1104 Stücke
Паралельна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, 64M x 16, Тдост/Частота = 60 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LBGA-64 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1104 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT28EW01GABA1LPC-0SIT |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, 64M x 16, Тдост/Частота = 95 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LBGA-64 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1104 Stücke
Паралельна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, 64M x 16, Тдост/Частота = 95 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LBGA-64 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1104 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT28EW128ABA1HJS-0SIT |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, 8M x 16, Тдост/Частота = 95 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 56-TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 576 Stücke
Паралельна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, 8M x 16, Тдост/Частота = 95 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 56-TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 576 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT28EW256ABA1HPC-0SIT |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3.6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, 16М х 16, Тдост/Частота = 75 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LBGA-64 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1104 Stücke
Паралельна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3.6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, 16М х 16, Тдост/Частота = 75 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LBGA-64 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1104 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
| MT29F128G08CFAAAWP:A |
Hersteller: Micron
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 128 Гбіт, Орг. пам. = 16G x 8, Тексп, °С = 0...+70, AAA = набір особливостей першого покоління,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 128 Гбіт, Орг. пам. = 16G x 8, Тексп, °С = 0...+70, AAA = набір особливостей першого покоління,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT29F128G08CFABAWP:B |
Hersteller: Micron
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 128 Гбит, Орг. пам. = 16G x 8, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °С = 0...+70, ABA = набір особливостей другого покоління,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од.
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 128 Гбит, Орг. пам. = 16G x 8, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °С = 0...+70, ABA = набір особливостей другого покоління,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од.
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT29F16G08ABABAWP:B TR |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2.7...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 16 Гбіт, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Очікується: 33 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2.7...3.6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 16 Гбіт, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Очікується: 33 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT29F1G01ABAFDWB-IT:F TR |
Hersteller: Micron
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2.7...3.6, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = SPI, Об. пам. = 1 Гбіт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 8-UDFN Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2.7...3.6, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = SPI, Об. пам. = 1 Гбіт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 8-UDFN Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT29F1G08ABAEAWP-IT:E |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT29F2G08ABAEAWP-IT:E |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 2 Гбіт, Орг. пам. = 256M x 8, Тексп, °С = 40...+85,,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Паралельна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 2 Гбіт, Орг. пам. = 256M x 8, Тексп, °С = 40...+85,,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 960 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT29F2G08ABAEAWP:E TR |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 2 Гбіт, Орг. пам. = 256M x 8, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 2 Гбіт, Орг. пам. = 256M x 8, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
verfügbar 16 Stücke:
| MT29F2G16AADWP-ET:D |
Hersteller: Micron
Память FLASH 2 Gbit , Vcc,В 2.7 V ~ 3.6 V, ннтерфейс NAND, Об. пам. 2Gbit, Орг. пам. 128M x 16, Тэксп, °С -40°C ~ 85°C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 48-TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Память FLASH 2 Gbit , Vcc,В 2.7 V ~ 3.6 V, ннтерфейс NAND, Об. пам. 2Gbit, Орг. пам. 128M x 16, Тэксп, °С -40°C ~ 85°C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 48-TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT29F2G16AADWP:D TR |
![]() |
Hersteller: Micron
Память FLASH 2 Mbit (128Kb x16), IC FLASH 2GBIT 48TSOP - Micron Technology Inc FLASH FLASH - Nand 2G (128M x 16) - Parallel - 0°C ~ 70°C 48-TSOP Cut Tape (CT)... Інтегральні мікросхеми Корпус: 48-TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Память FLASH 2 Mbit (128Kb x16), IC FLASH 2GBIT 48TSOP - Micron Technology Inc FLASH FLASH - Nand 2G (128M x 16) - Parallel - 0°C ~ 70°C 48-TSOP Cut Tape (CT)... Інтегральні мікросхеми Корпус: 48-TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT29F32G08FAAWP-ET:A |
Hersteller: Micron
Тип памяти - flash, Об. пам., M - 32G, Тип инт. - parallel, Тдост., нс - 1, Vcc, В - 3,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Тип памяти - flash, Об. пам., M - 32G, Тип инт. - parallel, Тдост., нс - 1, Vcc, В - 3,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT29F4G08AAAWP-ET |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 4 Гбіт, Орг. пам. = 512M x 8, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 96 Stücke
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 4 Гбіт, Орг. пам. = 512M x 8, Тексп, °С = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 96 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT29F4G08ABCHC:C |
Hersteller: Micron
Параллельная Flash память 4Gbit... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA -63 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 96 Stücke
Параллельная Flash память 4Gbit... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA -63 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 96 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT29F64G08CBAAAWP:A |
Hersteller: Micron
Flash-пам'ять, Uживл, В = 2.7...3.6, Об'єм RAM = 64 Гбайт, Тексп, °C = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 48-TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Flash-пам'ять, Uживл, В = 2.7...3.6, Об'єм RAM = 64 Гбайт, Тексп, °C = 0...+70,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 48-TSOP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...1,95, Об'єм RAM = 8 Гбіт, Орг. пам. = 512М х 16, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA-63 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Паралельна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...1,95, Об'єм RAM = 8 Гбіт, Орг. пам. = 512М х 16, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA-63 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PC28F00BM29EWHA |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 2 Гбіт, Орг. пам. = 256M x 8, 128M x 16, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LBGA-64 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 184 Stücke
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 2 Гбіт, Орг. пам. = 256M x 8, 128M x 16, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LBGA-64 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 184 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PC28F256P30BFE |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85, Розпіновка типу "Bottom",... Інтегральні мікросхеми Корпус: EASYBGA-64 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 864 Stücke
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85, Розпіновка типу "Bottom",... Інтегральні мікросхеми Корпус: EASYBGA-64 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 864 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
| PC28F256P30TFA |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85, Розпіновка типу "Top",... Інтегральні мікросхеми Корпус: EASYBGA-64 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 864 Stücke
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85, Розпіновка типу "Top",... Інтегральні мікросхеми Корпус: EASYBGA-64 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 864 Stücke
verfügbar 6 Stücke:
| PC28F256P30TFE |
![]() |
Hersteller: Micron
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: EASYBGA-64 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 864 Stücke
Паралельна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 16, Тдост/Частота = 100 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: EASYBGA-64 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 864 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M25P128-VMF6TPB |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 8, Тдост/Частота = 54 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 8, Тдост/Частота = 54 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M25P32-VMW6TG |
Hersteller: Micron
Послідовна NOR-Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Орг. пам. = 4M x 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = SPI, Об. пам. = 32 МБайт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Послідовна NOR-Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Орг. пам. = 4M x 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = SPI, Об. пам. = 32 МБайт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M25P80-VMN6P |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1М х 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 58 Stücke:
| M25PE16-VMW6G |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 2M x 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 2M x 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M25PE16-VMW6TG |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 2M x 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 16 Мбіт, Орг. пам. = 2M x 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M25PE40-VMW6G |
![]() |
Hersteller: Micron
NOR Flash-память, Uживл, В = 2.7...3.6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Мбіт, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
NOR Flash-память, Uживл, В = 2.7...3.6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 4 Мбіт, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| M25PE80-VMW6G |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 3,3, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 3,3, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 1M x 8, Тдост/Частота = 75 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT25QL01GBBB8E12-0AUT |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Опис Послідовна Flash-пам'ять,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1122 Stücke
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Опис Послідовна Flash-пам'ять,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1122 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT25QL02GCBB8E12-0SIT |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 2 Гбіт, Орг. пам. = 256M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1122 Stücke
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 2 Гбіт, Орг. пам. = 256M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1122 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT25QL128ABA1ESE-0SIT TR |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT25QL128ABA1EW7-0SIT TR |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
| MT25QL128ABA1EW9-0SIT TR |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT25QL128ABA8E12-0AAT |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+105, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Очікується: 10 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1122 Stücke
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+105, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Очікується: 10 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1122 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT25QL128ABA8E12-0SIT |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбайт, Орг. пам. = 16M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Очікується: 1 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1122 Stücke
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбайт, Орг. пам. = 16M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Очікується: 1 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1122 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT25QL256ABA1EW7-0SIT |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбайт, Орг. пам. = 32M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = SPI - Quad I/O,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2940 Stücke
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбайт, Орг. пам. = 32M x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = SPI - Quad I/O,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2940 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT25QL256ABA8E12-1SIT TR |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1122 Stücke
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1122 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT25QL256ABA8ESF-0SIT |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3.6, Об'єм RAM = 32 Мбайт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1440 Stücke
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3.6, Об'єм RAM = 32 Мбайт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1440 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT25QL512ABB8ESF-0SIT |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1440 Stücke
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1440 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT25QU01GBBB1EW9-0SIT |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, Тдост/Частота = 133 мс, Тексп, °C = -40....+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128M x 8, Тдост/Частота = 133 мс, Тексп, °C = -40....+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT25QU256ABA8E12-1SIT |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2.0, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 133 мс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2940 Stücke
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2.0, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 133 мс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2940 Stücke
verfügbar 9 Stücke:
| MT25QU512ABB1EW9-0SIT |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WPDFN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT25QU512ABB8E12-0AUT |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7....2 В, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64Mx8, Тексп, °C = -40°C ~ 125°C, Тип інтерф. = QSPI,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7....2 В, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64Mx8, Тексп, °C = -40°C ~ 125°C, Тип інтерф. = QSPI,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MT25QU512ABB8E12-0SIT |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64M x 8, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = SPI,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1122 Stücke
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64M x 8, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = SPI,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TBGA-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1122 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
| MTFC16GAPALBH-AAT |
Hersteller: Micron
Послідовна енергонезалежна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...1,9, Об'єм RAM = 128 Гбіт, Орг. пам. = 16Г х 8, Тексп, °C = -40...+105, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA-153 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Послідовна енергонезалежна NAND Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...1,9, Об'єм RAM = 128 Гбіт, Орг. пам. = 16Г х 8, Тексп, °C = -40...+105, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA-153 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N25Q00AA11G1240E |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Гбіт, Тдост/Частота = 108 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PBGA-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 1,7...2,0, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 1 Гбіт, Тдост/Частота = 108 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PBGA-24 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N25Q064A13ESE40E |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 64 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 4, Тдост/Частота = 108 мс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 64 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 4, Тдост/Частота = 108 мс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| N25Q064A13ESE40G |
![]() |
Hersteller: Micron
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 4, Тдост/Частота = 108 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Послідовна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 64 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 4, Тдост/Частота = 108 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
verfügbar 81 Stücke:

