Produkte > MITSUBISHI > Alle Produkte des Herstellers MITSUBISHI (4266) > Seite 72 nach 72
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD07MVS1 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. ВЧ MOSFET 175MHz, 520MHz, 7W RD07MVS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD15HVF1 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=4,0A; f=0,175...0,52GHz; Pout=18 W; Gp>14dB@0,175GHz; Gp>7dB@0,52GHz Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD16HHF1 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=5,0A; Pout=>16 W; Gp>16dB @30 MHz RD16HHF1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD70HVF1-101 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол.. ВЧ MOSFET 12.5V 175/520MHz 70/50W, Ceramic(large)-Pkg. RD70HVF1-101.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD07MVS1 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. ВЧ MOSFET 175MHz, 520MHz, 7W RD07MVS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. ВЧ MOSFET 175MHz, 520MHz, 7W RD07MVS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD15HVF1 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=4,0A; f=0,175...0,52GHz; Pout=18 W; Gp>14dB@0,175GHz; Gp>7dB@0,52GHz Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=4,0A; f=0,175...0,52GHz; Pout=18 W; Gp>14dB@0,175GHz; Gp>7dB@0,52GHz Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD16HHF1 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=5,0A; Pout=>16 W; Gp>16dB @30 MHz RD16HHF1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=5,0A; Pout=>16 W; Gp>16dB @30 MHz RD16HHF1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD70HVF1-101 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET 12.5V 175/520MHz 70/50W, Ceramic(large)-Pkg. RD70HVF1-101.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET 12.5V 175/520MHz 70/50W, Ceramic(large)-Pkg. RD70HVF1-101.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH