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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF2430A Mitsubishi	Mitsubishi	Транз. Пол. НВЧ S & Ku band Power GaAs FET P1db=30,5dBm (typ.), Glp=6,5 dB @ 14,5 GHz MGF2430A-11.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF2445A Mitsubishi	Mitsubishi	Транз. Пол. НВЧ S & Ku band Power GaAs 1,6 W FET P1db=32 dBm (typ.), Glp=6 dB @ 12 GHz mgf2445a.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF4919G Mitsubishi	Mitsubishi	Транз. Пол. НВЧ GaAs корпус GD16 Nf=0.5 dB@12GHz MGF4919G.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF4941AL-01 Mitsubishi	Mitsubishi	Транз. Пол. НВЧ GaAs корпус GD2 super-low noise HEMT Nf=0.35 dB, Gs=13,5 dB@12GHz MGF4941AL-01.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RA13H4047-10 Mitsubishi	Mitsubishi	Транзистор RA13H4047-10 Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD00HVS1 Mitsubishi	Mitsubishi	Транз. Пол.. ВЧ MOSFET SOT89 Udd=12,5V; Id=200mA; f=0,175GHz; Pout=0,8 W; Gp>20dB RD00HVS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD01MUS1-T113 Mitsubishi	Mitsubishi	Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET SOT89 Udss=30V; Id=0,6A; f=520MHz; P=1W RD01MUS1-T113.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD01MUS2 Mitsubishi	Mitsubishi	Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET встр. стабилитрон. SOT89 Udss=30V; Id=0,6A; f=520MHz; P=1W RD01MUS2.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD02MUS1B-101 Mitsubishi	Mitsubishi	Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET 6x5mm Udss=30V; Id=1,5A; f=520MHz; P=2W Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD02MUS1 Mitsubishi	Mitsubishi	Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET 6x5mm Udss=30V; Id=1,5A; f=520MHz; P=2W RD02MUS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD06HHF1 Mitsubishi	Mitsubishi	Транзистор RD06HHF1 Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz, 6W RD06HHF1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD06HVF1 Mitsubishi	Mitsubishi	Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=3,0A; f=0,175GHz; Pout=8 W; Gp>13dB Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD07MVS1 Mitsubishi	Mitsubishi	Транз. Пол. ВЧ MOSFET 175MHz, 520MHz, 7W RD07MVS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD15HVF1 Mitsubishi	Mitsubishi	Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=4,0A; f=0,175...0,52GHz; Pout=18 W; Gp>14dB@0,175GHz; Gp>7dB@0,52GHz Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD16HHF1 Mitsubishi	Mitsubishi	Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=5,0A; Pout=>16 W; Gp>16dB @30 MHz RD16HHF1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD70HVF1-101 Mitsubishi	Mitsubishi	Транз. Пол.. ВЧ MOSFET 12.5V 175/520MHz 70/50W, Ceramic(large)-Pkg. RD70HVF1-101.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF2430A Mitsubishi

Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. НВЧ S & Ku band Power GaAs FET P1db=30,5dBm (typ.), Glp=6,5 dB @ 14,5 GHz MGF2430A-11.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ