Produkte > MITSUBISHI > Alle Produkte des Herstellers MITSUBISHI (4304) > Seite 72 nach 72
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| XC44CG3F820K-TS1808-82P3KV | MITSUBISHI |
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| XHW5122 | MITSUBISHI | MOBLE |
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| XHW5128 | MITSUBISHI | MOBLE |
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| Z0853008VSC1501 | MITSUBISHI |
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Батарейка 1.5V AAA/LR3 Mitsubishi | Mitsubishi | Батарейка лужна MITSUBISHI 1.5V AAA/LR3 Батарейки |
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| Батарейка 1.5V AA/LR6 Mitsubishi | Mitsubishi | Батарейка лужна MITSUBISHI 1.5V AA/LR6 Батарейки |
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Батарейка 6F22 Super Heavy Duty Mitsubishi | Mitsubishi | Батарейка Super Heavy Duty MITSUBISHI 9V 1S, крона Батарейки |
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Батарейка CR2032 Mitsubishi | Mitsubishi | Батарейка літієва MITSUBISHI CR2032 Батарейки |
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Транзистор біполярний QM30HA-H Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Біпол. ВП Uceo=600V; Ic=30A; Pdmax=250W; hfe=75/100 QM30HA-H.pdf Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний QM400HA-2H Mitsubishi | Mitsubishi | Модуль IC =400A VCEX = 1000B Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ 2SC1946A Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Біпол. ВЧ NPN T-31E Uceo=17V; Ic=7A; f=0,175GHz; Pdmax=50W; hfe=10/180 2SC1946A.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ 2SC1946A Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Біпол. ВЧ NPN T-31E Uceo=17V; Ic=7A; f=0,175GHz; Pdmax=50W; hfe=10/180 2SC1946A.pdf Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ 2SC1971 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Біпол. ВЧ NPN TO220 Uceo=17V; Ic=2A; f=175MHz; Pdmax=12,5W; hfe=10/180 2SC1971.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ 2SC1972 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Біпол. ВЧ NPN TO220 Uceo=17V; Ic=3,5A; f=0,175GHz; Pdmax=15W; hfe=10/180 2sc1972.pdf Транзистори біполярні |
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Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ 2SC1972 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Біпол. ВЧ NPN TO220 Uceo=17V; Ic=3,5A; f=0,175GHz; Pdmax=15W; hfe=10/180 2sc1972.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий MGFC36V3742 Mitsubishi | Mitsubishi | Транзистор потужний польовий GaAs 3,7-4,2ГГц 4Вт Транзистори польові |
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Транзистор польовий RA07M4047M-101 Mitsubishi | Mitsubishi | RF MOSFET Amplifier H46S Udss=7,2V; f=400-470MHz; P=7W Транзистори польові |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF0905A Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. пол. НВЧ N-channel GaAs FET L Band 2,5 W MGF0905A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF0911A Mitsubishi | Mitsubishi | Транзистор MGF0911A GF-21 MGF0911A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF0915A-01 Mitsubishi | Mitsubishi | L&S Band GaAs N-channel FET Pout=36,5 dBm, Gp=14,5 dB, PAE=50% @ 1,9 GHz, Vds=10 V, Ids=800 mA MGF0915A-01.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF-2407A Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. НВЧ Потужні GaAs FET P1db=24,5dBm (typ.) @ 14,5 GHz MGF-2407A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF2415A-01 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. НВЧ Power GaAs FET P1db=27,5dBm (typ.) @ 14,5 GHz MGF2415A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF-2415A Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. НВЧ Power GaAs FET P1db=27,5dBm (typ.) @ 14,5 GHz MGF2415A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF2430A Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. НВЧ S & Ku band Power GaAs FET P1db=30,5dBm (typ.), Glp=6,5 dB @ 14,5 GHz MGF2430A-11.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF2445A Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. НВЧ S & Ku band Power GaAs 1,6 W FET P1db=32 dBm (typ.), Glp=6 dB @ 12 GHz mgf2445a.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF4919G Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. НВЧ GaAs корпус GD16 Nf=0.5 dB@12GHz MGF4919G.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF4941AL-01 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. НВЧ GaAs корпус GD2 super-low noise HEMT Nf=0.35 dB, Gs=13,5 dB@12GHz MGF4941AL-01.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RA13H4047-10 Mitsubishi | Mitsubishi | Транзистор RA13H4047-10 Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD00HVS1 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол.. ВЧ MOSFET SOT89 Udd=12,5V; Id=200mA; f=0,175GHz; Pout=0,8 W; Gp>20dB RD00HVS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD01MUS1-T113 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET SOT89 Udss=30V; Id=0,6A; f=520MHz; P=1W RD01MUS1-T113.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD01MUS2 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET встр. стабилитрон. SOT89 Udss=30V; Id=0,6A; f=520MHz; P=1W RD01MUS2.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD02MUS1B-101 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET 6x5mm Udss=30V; Id=1,5A; f=520MHz; P=2W Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD02MUS1 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET 6x5mm Udss=30V; Id=1,5A; f=520MHz; P=2W RD02MUS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD06HHF1 Mitsubishi | Mitsubishi | Транзистор RD06HHF1 Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz, 6W RD06HHF1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD06HVF1 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=3,0A; f=0,175GHz; Pout=8 W; Gp>13dB Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD07MVS1 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. ВЧ MOSFET 175MHz, 520MHz, 7W RD07MVS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD15HVF1 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=4,0A; f=0,175...0,52GHz; Pout=18 W; Gp>14dB@0,175GHz; Gp>7dB@0,52GHz Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD16HHF1 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=5,0A; Pout=>16 W; Gp>16dB @30 MHz RD16HHF1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD70HVF1-101 Mitsubishi | Mitsubishi | Транз. Пол.. ВЧ MOSFET 12.5V 175/520MHz 70/50W, Ceramic(large)-Pkg. RD70HVF1-101.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
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| XC44CG3F820K-TS1808-82P3KV |
Hersteller: MITSUBISHI
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| XHW5122 |
Hersteller: MITSUBISHI
MOBLE
MOBLE
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| XHW5128 |
Hersteller: MITSUBISHI
MOBLE
MOBLE
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| Z0853008VSC1501 |
Hersteller: MITSUBISHI
auf Bestellung 21934 Stücke:
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| Батарейка 1.5V AAA/LR3 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Батарейка лужна MITSUBISHI 1.5V AAA/LR3 Батарейки
Батарейка лужна MITSUBISHI 1.5V AAA/LR3 Батарейки
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Stück im Wert von UAH
| Батарейка 1.5V AA/LR6 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Батарейка лужна MITSUBISHI 1.5V AA/LR6 Батарейки
Батарейка лужна MITSUBISHI 1.5V AA/LR6 Батарейки
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Stück im Wert von UAH
| Батарейка 6F22 Super Heavy Duty Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Батарейка Super Heavy Duty MITSUBISHI 9V 1S, крона Батарейки
Батарейка Super Heavy Duty MITSUBISHI 9V 1S, крона Батарейки
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Stück im Wert von UAH
| Батарейка CR2032 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Батарейка літієва MITSUBISHI CR2032 Батарейки
Батарейка літієва MITSUBISHI CR2032 Батарейки
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний QM30HA-H Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Біпол. ВП Uceo=600V; Ic=30A; Pdmax=250W; hfe=75/100 QM30HA-H.pdf Транзистори біполярні
Транз. Біпол. ВП Uceo=600V; Ic=30A; Pdmax=250W; hfe=75/100 QM30HA-H.pdf Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний QM400HA-2H Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Модуль IC =400A VCEX = 1000B Транзистори біполярні
Модуль IC =400A VCEX = 1000B Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ 2SC1946A Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Біпол. ВЧ NPN T-31E Uceo=17V; Ic=7A; f=0,175GHz; Pdmax=50W; hfe=10/180 2SC1946A.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN T-31E Uceo=17V; Ic=7A; f=0,175GHz; Pdmax=50W; hfe=10/180 2SC1946A.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ 2SC1946A Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Біпол. ВЧ NPN T-31E Uceo=17V; Ic=7A; f=0,175GHz; Pdmax=50W; hfe=10/180 2SC1946A.pdf Транзистори біполярні
Транз. Біпол. ВЧ NPN T-31E Uceo=17V; Ic=7A; f=0,175GHz; Pdmax=50W; hfe=10/180 2SC1946A.pdf Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ 2SC1971 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Біпол. ВЧ NPN TO220 Uceo=17V; Ic=2A; f=175MHz; Pdmax=12,5W; hfe=10/180 2SC1971.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN TO220 Uceo=17V; Ic=2A; f=175MHz; Pdmax=12,5W; hfe=10/180 2SC1971.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ 2SC1972 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Біпол. ВЧ NPN TO220 Uceo=17V; Ic=3,5A; f=0,175GHz; Pdmax=15W; hfe=10/180 2sc1972.pdf Транзистори біполярні
Транз. Біпол. ВЧ NPN TO220 Uceo=17V; Ic=3,5A; f=0,175GHz; Pdmax=15W; hfe=10/180 2sc1972.pdf Транзистори біполярні
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор біполярний ВЧ/НВЧ 2SC1972 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Біпол. ВЧ NPN TO220 Uceo=17V; Ic=3,5A; f=0,175GHz; Pdmax=15W; hfe=10/180 2sc1972.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
Транз. Біпол. ВЧ NPN TO220 Uceo=17V; Ic=3,5A; f=0,175GHz; Pdmax=15W; hfe=10/180 2sc1972.pdf Транзистори біполярні ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий MGFC36V3742 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транзистор потужний польовий GaAs 3,7-4,2ГГц 4Вт Транзистори польові
Транзистор потужний польовий GaAs 3,7-4,2ГГц 4Вт Транзистори польові
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий RA07M4047M-101 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
RF MOSFET Amplifier H46S Udss=7,2V; f=400-470MHz; P=7W Транзистори польові
RF MOSFET Amplifier H46S Udss=7,2V; f=400-470MHz; P=7W Транзистори польові
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF0905A Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. пол. НВЧ N-channel GaAs FET L Band 2,5 W MGF0905A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. пол. НВЧ N-channel GaAs FET L Band 2,5 W MGF0905A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF0911A Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транзистор MGF0911A GF-21 MGF0911A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транзистор MGF0911A GF-21 MGF0911A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF0915A-01 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
L&S Band GaAs N-channel FET Pout=36,5 dBm, Gp=14,5 dB, PAE=50% @ 1,9 GHz, Vds=10 V, Ids=800 mA MGF0915A-01.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
L&S Band GaAs N-channel FET Pout=36,5 dBm, Gp=14,5 dB, PAE=50% @ 1,9 GHz, Vds=10 V, Ids=800 mA MGF0915A-01.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF-2407A Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. НВЧ Потужні GaAs FET P1db=24,5dBm (typ.) @ 14,5 GHz MGF-2407A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ Потужні GaAs FET P1db=24,5dBm (typ.) @ 14,5 GHz MGF-2407A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF2415A-01 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. НВЧ Power GaAs FET P1db=27,5dBm (typ.) @ 14,5 GHz MGF2415A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ Power GaAs FET P1db=27,5dBm (typ.) @ 14,5 GHz MGF2415A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF-2415A Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. НВЧ Power GaAs FET P1db=27,5dBm (typ.) @ 14,5 GHz MGF2415A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ Power GaAs FET P1db=27,5dBm (typ.) @ 14,5 GHz MGF2415A.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF2430A Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. НВЧ S & Ku band Power GaAs FET P1db=30,5dBm (typ.), Glp=6,5 dB @ 14,5 GHz MGF2430A-11.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ S & Ku band Power GaAs FET P1db=30,5dBm (typ.), Glp=6,5 dB @ 14,5 GHz MGF2430A-11.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF2445A Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. НВЧ S & Ku band Power GaAs 1,6 W FET P1db=32 dBm (typ.), Glp=6 dB @ 12 GHz mgf2445a.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ S & Ku band Power GaAs 1,6 W FET P1db=32 dBm (typ.), Glp=6 dB @ 12 GHz mgf2445a.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF4919G Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. НВЧ GaAs корпус GD16 Nf=0.5 dB@12GHz MGF4919G.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ GaAs корпус GD16 Nf=0.5 dB@12GHz MGF4919G.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ MGF4941AL-01 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. НВЧ GaAs корпус GD2 super-low noise HEMT Nf=0.35 dB, Gs=13,5 dB@12GHz MGF4941AL-01.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. НВЧ GaAs корпус GD2 super-low noise HEMT Nf=0.35 dB, Gs=13,5 dB@12GHz MGF4941AL-01.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RA13H4047-10 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транзистор RA13H4047-10 Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транзистор RA13H4047-10 Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD00HVS1 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET SOT89 Udd=12,5V; Id=200mA; f=0,175GHz; Pout=0,8 W; Gp>20dB RD00HVS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET SOT89 Udd=12,5V; Id=200mA; f=0,175GHz; Pout=0,8 W; Gp>20dB RD00HVS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD01MUS1-T113 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET SOT89 Udss=30V; Id=0,6A; f=520MHz; P=1W RD01MUS1-T113.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET SOT89 Udss=30V; Id=0,6A; f=520MHz; P=1W RD01MUS1-T113.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD01MUS2 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET встр. стабилитрон. SOT89 Udss=30V; Id=0,6A; f=520MHz; P=1W RD01MUS2.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET встр. стабилитрон. SOT89 Udss=30V; Id=0,6A; f=520MHz; P=1W RD01MUS2.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD02MUS1B-101 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET 6x5mm Udss=30V; Id=1,5A; f=520MHz; P=2W Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET 6x5mm Udss=30V; Id=1,5A; f=520MHz; P=2W Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD02MUS1 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET 6x5mm Udss=30V; Id=1,5A; f=520MHz; P=2W RD02MUS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET 6x5mm Udss=30V; Id=1,5A; f=520MHz; P=2W RD02MUS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD06HHF1 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транзистор RD06HHF1 Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz, 6W RD06HHF1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транзистор RD06HHF1 Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz, 6W RD06HHF1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD06HVF1 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=3,0A; f=0,175GHz; Pout=8 W; Gp>13dB Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=3,0A; f=0,175GHz; Pout=8 W; Gp>13dB Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD07MVS1 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. ВЧ MOSFET 175MHz, 520MHz, 7W RD07MVS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. ВЧ MOSFET 175MHz, 520MHz, 7W RD07MVS1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD15HVF1 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=4,0A; f=0,175...0,52GHz; Pout=18 W; Gp>14dB@0,175GHz; Gp>7dB@0,52GHz Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=4,0A; f=0,175...0,52GHz; Pout=18 W; Gp>14dB@0,175GHz; Gp>7dB@0,52GHz Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD16HHF1 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=5,0A; Pout=>16 W; Gp>16dB @30 MHz RD16HHF1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол. ВЧ N-MOSFET TO220 Udd=12,5V; Id=5,0A; Pout=>16 W; Gp>16dB @30 MHz RD16HHF1.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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| Транзистор польовий ВЧ/НВЧ RD70HVF1-101 Mitsubishi |
Hersteller: Mitsubishi
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET 12.5V 175/520MHz 70/50W, Ceramic(large)-Pkg. RD70HVF1-101.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
Транз. Пол.. ВЧ MOSFET 12.5V 175/520MHz 70/50W, Ceramic(large)-Pkg. RD70HVF1-101.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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