Suchergebnisse für "2SC5964TDE" : 11
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Mindestbestellmenge: 21
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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2SC5964-TD-E | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5964-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5964-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5964-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5964-TD-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5964-TD-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W |
auf Bestellung 3960 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SC5964-TD-E | SANYO |
SOT89 |
auf Bestellung 208000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SC5964-TD-E | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 18595 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5964-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SC5964-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SC5964-TD-E | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
| 2SC5964-TD-E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SC5964-TD-E |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SC5964-TD-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SC5964-TD-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SC5964-TD-E |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1000+ | 0.48 EUR |
| 2000+ | 0.43 EUR |
| 2SC5964-TD-E |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 3960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 21+ | 1.27 EUR |
| 24+ | 1.09 EUR |
| 100+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.59 EUR |
| 2SC5964-TD-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
| 2SC5964-TD-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
| 2SC5964-TD-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar