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2SC5964-TD-E

2SC5964-TD-E ON Semiconductor

2sa2125-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details 2SC5964-TD-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 380MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Hersteller : onsemi 2sa2125-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2000+0.33 EUR
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2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Hersteller : onsemi EN7988_D-2310800.pdf Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
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4+0.87 EUR
10+0.59 EUR
100+0.42 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Hersteller : onsemi 2sa2125-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 5683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+1.32 EUR
22+0.82 EUR
100+0.53 EUR
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Mindestbestellmenge: 14
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2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Hersteller : ONSEMI ONSMS37470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Hersteller : ONSEMI ONSMS37470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2SC5964-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf
auf Bestellung 18595 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5964-TD-E Hersteller : SANYO 2sa2125-d.pdf SOT89
auf Bestellung 208000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa2125-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SC5964-TD-E 2SC5964-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2346en7988-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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