Suchergebnisse für "BUZ350" : 5
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Mindestbestellmenge: 6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| BUZ350 | INFINEON |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| BUZ350 | SEMINES | SSOP30 |
auf Bestellung 101000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTE2376 | NTE Electronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUZ350 Produktcode: 29268 |
Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290010 |
Produkt ist nicht verfügbar
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BUZ350 | Infineon Technologies | MOSFETs |
Produkt ist nicht verfügbar |
| NTE2376 |
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Hersteller: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 6+ | 14.26 EUR |
| 7+ | 10.41 EUR |