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DN3525N8-G DN3525N8-G Microchip Technology DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 7862 Stücke:
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13+1.39 EUR
25+ 1.15 EUR
100+ 1.03 EUR
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DN3525N8-G DN3525N8-G Microchip Technology DN3525_N_Channel_Depletion_Mode_Vertical_DMOS_FET_-3443831.pdf MOSFETs 250V 6Ohm
auf Bestellung 128889 Stücke:
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2+1.44 EUR
25+ 1.2 EUR
100+ 1.06 EUR
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DN3525N8-G DN3525N8-G Microchip Technology DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.03 EUR
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DN3525N8-G DN3525N8-G Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 7797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.29 EUR
119+ 1.23 EUR
121+ 1.16 EUR
123+ 1.1 EUR
250+ 1.04 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.92 EUR
3000+ 0.91 EUR
6000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 118
DN3525N8-G DN3525N8-G Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.09 EUR
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DN3525N8-G DN3525N8-G Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.25 EUR
4000+ 1.19 EUR
6000+ 1.14 EUR
8000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3525N8-G DN3525N8-G MICROCHIP 1854669.pdf Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3525N8-G DN3525N8-G Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 7797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 134
DN3525N8-G DN3525N8-G MICROCHIP 1854669.pdf Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3525N8-G DN3525N8-G Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3525N8-G DN3525N8-G Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3525N8 SUPER
auf Bestellung 6899 Stücke:
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DN3525N8-G
Produktcode: 165361 		DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
DN3525N8-G DN3525N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY dn3525.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Produkt ist nicht verfügbar
DN3525N8-G DN3525N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY dn3525.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
DN3525N8-G DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf
DN3525N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 7862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.39 EUR
25+ 1.15 EUR
100+ 1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13
DN3525N8-G DN3525_N_Channel_Depletion_Mode_Vertical_DMOS_FET_-3443831.pdf
DN3525N8-G
Hersteller: Microchip Technology
MOSFETs 250V 6Ohm
auf Bestellung 128889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.44 EUR
25+ 1.2 EUR
100+ 1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
DN3525N8-G DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf
DN3525N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3525N8-G 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf
DN3525N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 7797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
118+1.29 EUR
119+ 1.23 EUR
121+ 1.16 EUR
123+ 1.1 EUR
250+ 1.04 EUR
500+ 0.98 EUR
1000+ 0.92 EUR
3000+ 0.91 EUR
6000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 118
DN3525N8-G 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf
DN3525N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3525N8-G 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf
DN3525N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+1.25 EUR
4000+ 1.19 EUR
6000+ 1.14 EUR
8000+ 1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3525N8-G 1854669.pdf
DN3525N8-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3525N8-G 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf
DN3525N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 7797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
134+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 134
DN3525N8-G 1854669.pdf
DN3525N8-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DN3525N8-G 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf
DN3525N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3525N8-G 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf
DN3525N8-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
DN3525N8
Hersteller: SUPER
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DN3525N8-G
Produktcode: 165361		 DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
DN3525N8-G dn3525.pdf
DN3525N8-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Produkt ist nicht verfügbar
DN3525N8-G dn3525.pdf
DN3525N8-G
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar