DN3525N8-G Microchip Technology
Hersteller: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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Technische Details DN3525N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote DN3525N8-G nach Preis ab 0.92 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DN3525N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DN3525N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DN3525N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DN3525N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DN3525N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DN3525N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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DN3525N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET 250V 6Ohm |
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DN3525N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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DN3525N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
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DN3525N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
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DN3525N8-G Produktcode: 165361 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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DN3525N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DN3525N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Drain-source voltage: 250V On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.3A Case: SOT89-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DN3525N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Drain-source voltage: 250V On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.3A Case: SOT89-3 |
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