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IRF654B ONSEMI FAIRS25446-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRF654B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
auf Bestellung 503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF654B IRF654B Fairchild Semiconductor FAIRS25446-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF654B - 21A, 250V, 0.14OHM, N-
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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314+2.3 EUR
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IRF654BFP001 ONSEMI FAIRS16020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRF654BFP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
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auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF654BFP001 IRF654BFP001 Fairchild Semiconductor FAIRS16020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
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325+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 325
IRF650A Samsung
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IRF654B FAIRS25446-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+
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IRF650B IRF650B
Produktcode: 83092 		Fairchild datasheet_irf650b-8ywd9ty8.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 28
Rds(on), Ohm: 0.085
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
IRF654B FAIRS25446-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF654B - MISCELLANEOUS MOSFETS
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usEccn: EAR99
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IRF654B FAIRS25446-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF654B
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: IRF654B - 21A, 250V, 0.14OHM, N-
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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IRF654BFP001 FAIRS16020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF654BFP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
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productTraceability: No
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usEccn: EAR99
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IRF654BFP001 FAIRS16020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF654BFP001
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
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Anzahl Preis ohne MwSt
325+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 325
IRF650A
Hersteller: Samsung
auf Bestellung 15200 Stücke:
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IRF654B FAIRS25446-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
07+
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF650B
Produktcode: 83092		 datasheet_irf650b-8ywd9ty8.pdf
IRF650B
Hersteller: Fairchild
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 28
Rds(on), Ohm: 0.085
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
JHGF: THT
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