Suchergebnisse für "b3813" : 13
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Mindestbestellmenge: 2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRLB3813PBF Produktcode: 113437 |
IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHUds,V: 30 V Idd,A: 190 A Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 83 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IRLB3813 | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3813PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg |
auf Bestellung 2991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MB3813A | FUJISTU | 00+ SOP |
auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MB3813APFV-G-BND-E | FUJI | 0030+ |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| Транзистор польовий IRLB3813PBF 260A 30V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3813 Produktcode: 99529 |
IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 30 Idd,A: 190 Rds(on), Ohm: 1.95 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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USB3813-1080XY-TR | Microchip Technology |
USB Interface IC USB 2.0 HiI-Speed 3 Port Hub Control |
Produkt ist nicht verfügbar |
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USB3813I-1080XY-TR | Microchip Technology |
USB Interface IC USB 2.0 Hi-Spd 3-pt Hub Cntlr |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| USB3813-1080XY-TR | Microchip |
WLCSP 30/C°/2.0 HII-SPEED THREE PORT HUB CONTROLLER OPTIMIZED FOR PORTABLE USB3813 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
| IRLB3813PBF Produktcode: 113437 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 83 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| IRLB3813 |
Hersteller: International Rectifier
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 10+ | 3.69 EUR |
| IRLB3813PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 35+ | 2.1 EUR |
| 38+ | 1.9 EUR |
| 43+ | 1.69 EUR |
| 49+ | 1.47 EUR |
| 52+ | 1.39 EUR |
| IRLB3813PBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 35+ | 2.1 EUR |
| 38+ | 1.9 EUR |
| 43+ | 1.69 EUR |
| 49+ | 1.47 EUR |
| 52+ | 1.39 EUR |
| IRLB3813PBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
auf Bestellung 2991 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 2.2 EUR |
| 10+ | 1.72 EUR |
| 100+ | 1.27 EUR |
| 250+ | 1.26 EUR |
| Транзистор польовий IRLB3813PBF 260A 30V N-ch TO-220 |
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IRLB3813 Produktcode: 99529 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 190
Rds(on), Ohm: 1.95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30
Idd,A: 190
Rds(on), Ohm: 1.95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 1.48 EUR |
| USB3813-1080XY-TR |
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Hersteller: Microchip Technology
USB Interface IC USB 2.0 HiI-Speed 3 Port Hub Control
USB Interface IC USB 2.0 HiI-Speed 3 Port Hub Control
Produkt ist nicht verfügbar
| USB3813I-1080XY-TR |
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Hersteller: Microchip Technology
USB Interface IC USB 2.0 Hi-Spd 3-pt Hub Cntlr
USB Interface IC USB 2.0 Hi-Spd 3-pt Hub Cntlr
Produkt ist nicht verfügbar
| USB3813-1080XY-TR |
|
Hersteller: Microchip
WLCSP 30/C°/2.0 HII-SPEED THREE PORT HUB CONTROLLER OPTIMIZED FOR PORTABLE USB3813
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
WLCSP 30/C°/2.0 HII-SPEED THREE PORT HUB CONTROLLER OPTIMIZED FOR PORTABLE USB3813
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar