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IRLB3813PBF

IRLB3813PBF

irlb3813pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 113437
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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41+1.77 EUR
48+1.52 EUR
54+1.33 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN-3363572.pdf MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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250+1.98 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Hersteller : Infineon Technologies irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
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2000+1.08 EUR
5000+1.01 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.00195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Hersteller : Infineon Technologies 125378770676729.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
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10+1.13 EUR
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1,3 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2110
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rc_series_20150401_1.pdf
1,3 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1,3 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 27353 Stück
1200 Stück - stock Köln
26153 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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100+0.0036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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470 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr.
Produktcode: 1681
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cf_resistor-datasheet.pdf
470 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr.
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 470 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr.
Abmessungen: вугільно-плівкові
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100+0.0056 EUR
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47 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1236
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rc_series_20150401_1.pdf
47 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 47 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
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