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IRLB3813PBF

IRLB3813PBF

irlb3813pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 113437
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.59 EUR
93+1.55 EUR
101+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.62 EUR
55+1.32 EUR
74+0.97 EUR
76+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 76609 Stücke:
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89+1.65 EUR
90+1.58 EUR
100+1.39 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.97 EUR
2000+0.92 EUR
5000+0.86 EUR
10000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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88+1.66 EUR
89+1.62 EUR
100+1.45 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.06 EUR
2000+1.03 EUR
5000+0.98 EUR
10000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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62+2.38 EUR
100+2.24 EUR
250+2.1 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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62+2.38 EUR
100+2.24 EUR
250+2.1 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
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1+4.31 EUR
10+2.76 EUR
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500+1.59 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.34 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
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4+4.49 EUR
50+2.19 EUR
100+1.97 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.45 EUR
2000+1.34 EUR
5000+1.23 EUR
10000+1.16 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON 3743212.pdf Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 248 Stücke:
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AnzahlPreis
45+1.62 EUR
55+1.32 EUR
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IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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90+1.58 EUR
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Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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100+2.24 EUR
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62+2.38 EUR
100+2.24 EUR
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MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
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IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
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IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
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IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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PC817A
Produktcode: 18418
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pc817a.pdf
PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00
auf Bestellung 9786 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+0.25 EUR
10+0.12 EUR
100+0.088 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2266
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16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 16pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
auf Bestellung 4002 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
10+0.022 EUR
100+0.0074 EUR
1000+0.0059 EUR
10000+0.0054 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC557B
Produktcode: 1826
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BC556,BC557.pdf
BC557B
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 177 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 St.:
2000 St. - erwartet
AnzahlPreis
1+0.06 EUR
10+0.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
470 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr.
Produktcode: 1681
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cf_resistor-datasheet.pdf
470 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr.
Hersteller: Uni Ohm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 470 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr.
Abmessungen: вугільно-плівкові
auf Bestellung 6785 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPreis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1526
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RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 15774 St.
  • 3474 St. - stock Köln
  • 12300 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 30000 St.
  • 30000 St. - erwartet 29.10.2026
AnzahlPreis
10+0.005 EUR
100+0.0034 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH