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IRLB3813PBF

IRLB3813PBF

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Produktcode: 113437
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 190 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,95 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8420/57
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2000+1.31 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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94+1.86 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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93+1.9 EUR
94+1.82 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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2000+1.24 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+2.02 EUR
48+1.78 EUR
57+1.5 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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62+2.87 EUR
100+2.7 EUR
250+2.53 EUR
500+2.39 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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62+2.87 EUR
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
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1+5.05 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.63 EUR
5000+1.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies irlb3813pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356603cfe258b Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
auf Bestellung 10360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.15 EUR
50+2.53 EUR
100+2.28 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.57 EUR
5000+1.44 EUR
10000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON 3743212.pdf Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
auf Bestellung 2679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
83+2.81 EUR
100+2.14 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 7 Stücke:
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IRLB3813PBF infineonirlb3813datasheetv0101en.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.34 EUR
2000+1.31 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1000+1.34 EUR
2000+1.29 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
93+1.9 EUR
94+1.86 EUR
102+1.68 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+1.9 EUR
94+1.82 EUR
102+1.62 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 105100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
89+1.95 EUR
100+1.74 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.27 EUR
2000+1.24 EUR
5000+1.2 EUR
10000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 105109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.01 EUR
89+1.92 EUR
100+1.69 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.18 EUR
2000+1.12 EUR
5000+1.06 EUR
10000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+2.02 EUR
48+1.78 EUR
57+1.5 EUR
73+1.18 EUR
100+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
62+2.87 EUR
100+2.7 EUR
250+2.53 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
62+2.87 EUR
100+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLB3813PBF Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
auf Bestellung 5827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.05 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.63 EUR
5000+1.58 EUR
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IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V
auf Bestellung 10360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.15 EUR
50+2.53 EUR
100+2.28 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.69 EUR
2000+1.57 EUR
5000+1.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLB3813PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
auf Bestellung 2679 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
46+5.55 EUR
83+2.81 EUR
100+2.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IRLB3813PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2266
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16pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N160J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 16 pF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 3852 St.
  • 3852 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.031 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.019 EUR
10000+0.0064 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC557B
Produktcode: 1826
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BC556,BC557.pdf
BC557B
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 45 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 475
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung: 27 St.
  • 27 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.079 EUR
10+0.06 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
470 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CF1/4W-470R )
Produktcode: 1681
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cf_resistor-datasheet.pdf
470 Ohm 5% 0,25W bedrahtet (CF1/4W-470R )
Hersteller: SR PASSIVES
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 470 Ohm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 6x2.3 mm; Dlead=0.4 mm
Typ: Kohleschicht
auf Bestellung: 5675 St.
  • 5675 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.027 EUR
100+0.021 EUR
1000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1526
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RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 3474 St.
  • 3474 St. - stock Köln
erwartet: 30000 St.
  • 30000 St. - erwartet 29.08.2026
auf Bestellung: 5900 St.
  • 5900 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.006 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 1443
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EXR_080421.pdf
47uF 63V EXR 8x12mm (low imp.) (EXR470M63B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12 mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
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