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NSV40200LT1G NSV40200LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013749770-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV40200LT1G NSV40200LT1G ON Semiconductor nss40200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.15 EUR
30000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
NSV40200LT1G NSV40200LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013749770-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV40200LT1G NSV40200LT1G onsemi nss40200l-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.12 EUR
30+ 0.87 EUR
100+ 0.52 EUR
500+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 24
NSV40200UW6T1G ONSEMI NSS40200UW6-D.PDF Description: ONSEMI - NSV40200UW6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV40200UW6T1G NSV40200UW6T1G onsemi nss40200uw6-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.78 EUR
6000+ 0.74 EUR
9000+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NSV40200UW6T1G NSV40200UW6T1G onsemi nss40200uw6-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
15+ 1.78 EUR
100+ 1.23 EUR
500+ 1.03 EUR
1000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 13
NSV40200UW6T1G ON Semiconductor nss40200uw6-d.pdf
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NSV40200LT1G NSV40200LT1G ON Semiconductor nss40200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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NSV40200LT1G NSV40200LT1G ON Semiconductor nss40200l-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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NSV40200LT1G NSV40200LT1G onsemi nss40200l-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSV40200UW6T1G NSV40200UW6T1G ON Semiconductor nss40200uw6-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV40200UW6T1G NSV40200UW6T1G ON Semiconductor nss40200uw6-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin WDFN EP T/R
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NSV40200LT1G ONSM-S-A0013749770-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSV40200LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSV40200LT1G nss40200l-d.pdf
NSV40200LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
9000+0.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 9000
NSV40200LT1G ONSM-S-A0013749770-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSV40200LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV40200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 540 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1905 Stücke:
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NSV40200LT1G nss40200l-d.pdf
NSV40200LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
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NSV40200UW6T1G NSS40200UW6-D.PDF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV40200UW6T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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NSV40200UW6T1G nss40200uw6-d.pdf
NSV40200UW6T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
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NSV40200UW6T1G nss40200uw6-d.pdf
NSV40200UW6T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 2A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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NSV40200UW6T1G nss40200uw6-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
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NSV40200LT1G nss40200l-d.pdf
NSV40200LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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NSV40200LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 710mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NSV40200LT1G nss40200l-d.pdf
NSV40200LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 460 mW
Produkt ist nicht verfügbar
NSV40200UW6T1G nss40200uw6-d.pdf
NSV40200UW6T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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NSV40200UW6T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 2A 3000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin WDFN EP T/R
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