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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NSVJ3557SA3T1GonsemiJFET NCH J-FET
auf Bestellung 31093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.93 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Power - Max: 200 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
auf Bestellung 10281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
28+0.76 EUR
100+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ3910SB3onsemi NCH J-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ3910SB3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin CPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ3910SB3T1GonsemiJFETs N-Channel JFET, -25 V, 20 to 40 mA, 40 mS
auf Bestellung 13964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.92 EUR
100+0.62 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ3910SB3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 400 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 531904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
20+1.09 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ3910SB3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
auf Bestellung 3053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.96 EUR
193+1.2 EUR
284+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ3910SB3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 400 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 531000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.4 EUR
15000+0.39 EUR
21000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ3910SB3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin CPH T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ5908DSG5T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA 5-Pin MCPH T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ5908DSG5T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 15V 50MA SC88AFL/MCPH
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88AFL/MCPH5
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 95752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
22+0.95 EUR
25+0.86 EUR
100+0.75 EUR
250+0.7 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ5908DSG5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: -15V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.71 EUR
175+1.33 EUR
224+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ5908DSG5T1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 15V; 10mA; 0.3W; MCPH5; common source
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 15V
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.3W
Case: MCPH5
Gate-source voltage: -15V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common source
Application: automotive industry
Gate current: 10mA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ5908DSG5T1GonsemiJFETs NCH+NCH J-FET
auf Bestellung 15084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+0.81 EUR
100+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ5908DSG5T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 15V 50MA SC88AFL/MCPH
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88AFL/MCPH5
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.6 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ5908DSG5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2690 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+1.26 EUR
200+1.17 EUR
261+0.82 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ5908DSG5T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA 5-Pin MCPH T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ6904DSB6onsemionsemi JFET -25V 20 TO 40MA DUA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA 6-Pin CPH T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ6904DSB6T1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-JFET x2; unipolar; 25V; 20mA; 0.7W; CPH6; Igt: 10mA
Polarisation: unipolar
Semiconductor structure: common source
Case: CPH6
Type of transistor: N-JFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 20mA
Power dissipation: 0.7W
Drain-source voltage: 25V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA 6-Pin CPH T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ6904DSB6T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 25V 50MA 6CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 700 mW
Resistance - RDS(On): 25 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
15+1.43 EUR
100+1.01 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ6904DSB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
auf Bestellung 3502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.15 EUR
110+2.12 EUR
143+1.5 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ6904DSB6T1GonsemiJFETs JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
auf Bestellung 7515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.64 EUR
10+1.67 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ6904DSB6T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 25V 50MA 6CPH
Qualification: AEC-Q101
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Resistance - RDS(On): 25 Ohms
Power - Max: 700 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-CPH
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVJ6904DSB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
auf Bestellung 3502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.15 EUR
110+2.12 EUR
143+1.5 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVM1MA141WAT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC70 SWCH DIO 40V TR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVM1MA141WAT1GON SemiconductorDescription: DIODE SW 40V DUAL CA SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVM1MA141WAT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 40V TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVM1MA152WAT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC59 SWCH DIO 80V TR
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.55 EUR
10+0.38 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.092 EUR
9000+0.069 EUR
45000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVM1MA152WAT1GON SemiconductorDescription: DIODE SW 80V DUAL CA SC59-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVM1MA152WKT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC59 SWCH DIO 80V TR
auf Bestellung 7669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVM1MA152WKT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVM1MA152WKT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
41+0.51 EUR
100+0.26 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMBD54DWT1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMBD54DWT1GON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SMALL SIGNAL SCHOTTK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMBD770DW1T1GonsemiDescription: DIODE ARR SCHOTT 70V 100MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 35 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMBD770DW1T1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 100 mA, 7 V, Schottky Diode, Dual Isolated
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMBD770DW1T1GonsemiDescription: DIODE ARR SCHOTT 70V 100MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 35 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
51+0.42 EUR
100+0.31 EUR
250+0.26 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMBT3904DW1T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC88 GP XSTR NPN 40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMBT3904DW1T3GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88/SC70
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.19 EUR
20000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMBT3904DW1T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMBT3904DW1T3GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88/SC70
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD1403LT1GonsemiDescription: 175V FAST RECT TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
59+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD1403LT1GonsemiDescription: 175V FAST RECT TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD1403LT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes 175V FAST RECT TO-236AB
auf Bestellung 4491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD1501ALT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 79065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
64+0.33 EUR
103+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD1501ALT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes 180V FAST RECTIFIER GP
auf Bestellung 9909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
11+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.096 EUR
10000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD1501ALT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.086 EUR
20000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD1504ALT1GonsemiDescription: HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
55+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD1504ALT1GonsemiDescription: HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD352WT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC-70-3
Power Dissipation (Max): 200 mW
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD352WT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC-70-3
Power Dissipation (Max): 200 mW
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
auf Bestellung 62473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
81+0.26 EUR
92+0.23 EUR
108+0.19 EUR
250+0.18 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD352WT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 7V TR
auf Bestellung 2383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.38 EUR
15+0.23 EUR
100+0.18 EUR
500+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD353LT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD353LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD353LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 7V TR
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.27 EUR
22+0.15 EUR
100+0.12 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD353LT1GONN
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD353LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
118+0.18 EUR
135+0.15 EUR
159+0.13 EUR
250+0.12 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD354LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
Power Dissipation (Max): 300 mW
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 46691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
20+1.05 EUR
25+0.98 EUR
100+0.79 EUR
250+0.73 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD354LT1GON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SS SOT23 SHKY DIO 7V TR
auf Bestellung 5625 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD354LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 300 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+0.4 EUR
15000+0.38 EUR
30000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD354LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SOT23 SHKY DIO 7V TR
auf Bestellung 5111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.3 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD717LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SC70 SHKY DIO 20V TR
auf Bestellung 2841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
1000+0.75 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBD717LT1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 20V SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2222AM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.64W
Case: SOT723
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
60+0.36 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT-723 GP TRANSISTOR
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2222ATT1GON Semiconductor
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2222ATT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2222ATT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2222ATT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR NPN 75V
auf Bestellung 6540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2222ATT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
55+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 367-371 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
51+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2907AM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 640mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2907AM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 640mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2907AM3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.64W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.64W
Case: SOT723
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2907AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2907AWT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2907AWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 60V
auf Bestellung 6657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2907AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT2907AWT1GONN
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT3906TT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT3906TT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL GENERAL
auf Bestellung 12447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT3906TT1GONN
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT3906TT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT3906TT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT4401WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT4401WT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT4401WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8620 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT4401WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 40V
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.39 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT5087LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT5087LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT5087LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT5087LT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT5087LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 LN XSTR PNP 50V
auf Bestellung 10657 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.11 EUR
24000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT5087LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 123729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
55+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NSVMMBT5087LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 LN XSTR PNP 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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