Produkte > StP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| STPS8H100L | ST | QFN8 06+ | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPS8L30B | ST | TO-252 | auf Bestellung 13500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPS8L30B | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers 8.0 Amp 30 Volt | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPS8L30B | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DPAK Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: DPAK Current - Average Rectified (Io): 8A Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SMD; 30V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DPAK Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.35V Max. forward impulse current: 75A Kind of package: reel; tape | auf Bestellung 4401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers 8.0 Amp 30 Volt | auf Bestellung 7027 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPS8L30B-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPS8L30B-TR - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 630 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 630mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 32500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DPAK Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: DPAK Current - Average Rectified (Io): 8A Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 15299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPS8L30B-TR | STM | SCHOTTKY 30V 8A D-PAK Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPS8L30B-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPS8L30B-TR - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), 630 mV tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 630mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DPAK Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: DPAK Current - Average Rectified (Io): 8A Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPS8L30B-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPS8L30BY-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPS8L30BY-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPS8L30BY-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 30V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPS8L30BY-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V | auf Bestellung 1425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPS8L30BY-TR | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers Auto LDO Pwr Schottky Rectifier | auf Bestellung 688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPS8L30DEE-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPS8L30DEE-TR - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 8 A, 570 mV, 100 A, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD Durchlassstoßstrom: 100A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 570mV Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STPS8 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPS8L30DEE-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 30V 8A 8-Pin Power Flat T/R | auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPS8L30DEE-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPS8L30DEE-TR | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers Switch Mode REC 8A 30V Vrrm 0.34V VF | auf Bestellung 10316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPS8L30DEE-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPS8L30DEE-TR - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 8 A, 570 mV, 100 A, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMD Durchlassstoßstrom: 100A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 570mV Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STPS8 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPS8L30DEE-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 30V 8A 8-Pin Power Flat T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPS8L30DEE-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A POWERFLAT Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Current - Average Rectified (Io): 8A | auf Bestellung 2169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPS8L30DEE-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky 30V 8A 8-Pin Power Flat T/R | auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPS8L30H | STMicroelectronics | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 8A IPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSA42 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSA42 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STPSA42 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSA42 (MPSA42) (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 2797
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| ST | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-92 Transitfrequenz fT: 50 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 300 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 300 V Kollektorstrom Ic, A: 0,5 A Stromverstärkung h21: 40 Montage: THT | verfügbar: 180 St.
auf Bestellung: 196 St.
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| STPSA42-AP | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO-92AP Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92AP Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 14000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSA42-AP | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSA42-AP | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSA42N | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PWR BIP/S.SIGNAL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSA92 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSA92 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bag | auf Bestellung 11501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSA92 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSA92-AP | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSA92-AP | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 300V 0.5A TO-92AP Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92AP Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSBH10OF | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| STPSC10065D | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065D | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065D | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065D | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10065D | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065DLF | STMicroelectronics | Description: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V | auf Bestellung 1964 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065DLF | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode | auf Bestellung 695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065DLF | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 4-Pin Power Flat EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065DLF | STMicroelectronics | Description: DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065DY | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-220AC tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10065DY | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10065DY | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1012 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065DY | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A SiC Power Schottky Diode | auf Bestellung 1978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065DY | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10065G2-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065G2-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065G2-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode | auf Bestellung 1133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065G2-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V | auf Bestellung 1206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065GY-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D2PAK Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065GY-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: D2PAK Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10065GY-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10065GY-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10065GY-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065GY-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10065GY-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 51 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10065GY-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A SiC Power Schottky Diode | auf Bestellung 958 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC1006D | STMicroelectronics | Diode Schottky 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC1006D | STM | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC1006D Produktcode: 108577
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| ST | Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden | Produkt ist nicht verfügbar
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| STPSC1006D | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Silicon Diode | auf Bestellung 1206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC1006D | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 10A Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC1006G-TR | STM | DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC1006G-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 600V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10C065RY | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STPSC10C065RY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 26.4 nC, TO-262 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-262 Kapazitive Gesamtladung: 26.4nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10C065RY | STMicroelectronics | Schottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode | auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10C065RY | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10C065RY | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STPSC10C065RY | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: I2PAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10G065DY | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065B-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicon carbide DPAK | auf Bestellung 5499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065B-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065B-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065B-TR | STM | DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK Діоди та діодні збірки | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065B-TR | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065B-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065BY-TR | STMicroelectronics | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065BY-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2848 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065BY-TR | STMicroelectronics | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065BY-TR | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A DPAK Silicon Carbide Power Schottky Diode | auf Bestellung 1975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065D | STMicroelectronics | SiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicn carbid TO-220 | auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STPSC10H065D | STMicroelectronics | Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STPSC10H065D | STMicroelectronics | Description: 650 V 10 A power Schottky silico Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
