Produkte > StP

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STPSC12065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 3773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+5.3 EUR
100+4.41 EUR
500+3.94 EUR
1000+3.92 EUR
2000+3.81 EUR
5000+3.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.95 EUR
10+5.37 EUR
100+4 EUR
500+3.39 EUR
1000+3.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.23 EUR
10+5.46 EUR
100+3.88 EUR
500+3.58 EUR
1000+3.31 EUR
2000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065G2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.13 EUR
10+5.38 EUR
100+3.81 EUR
500+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065G2Y-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.21 EUR
45+3.63 EUR
50+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.88 EUR
10+5.89 EUR
100+4.2 EUR
500+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065G2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.29 EUR
10+6.15 EUR
100+4.4 EUR
500+4.14 EUR
1000+3.61 EUR
2000+3.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.72 EUR
10+5.63 EUR
100+4.19 EUR
500+3.89 EUR
1000+3.52 EUR
2000+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.37 EUR
10+6.3 EUR
100+4.71 EUR
500+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC1206DSTMDIODE SCHOTTKY 600V 12A TO-220-2 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC1206DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 415 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC1206DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+5.38 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC1206DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC1206DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 12A 600V 12nC Schottky Carbide
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.31 EUR
10+6.13 EUR
100+4.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 12 A SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.64 EUR
10+6.43 EUR
100+5.19 EUR
250+4.77 EUR
500+4.61 EUR
1000+3.94 EUR
2000+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12G065DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12G065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 37 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.57 EUR
66+3.55 EUR
100+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12G065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+4.93 EUR
100+3.81 EUR
500+3.2 EUR
1000+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12G065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12G065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 37 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
54+4.34 EUR
100+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12H065CTSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12H065CT - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, 650V, Doppeldiode mit gemeinsamer Anode, 650V, 12A, 18nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+9.96 EUR
50+9.94 EUR
100+9.91 EUR
250+9.9 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12H065CTSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.58 EUR
10+6.94 EUR
100+5.18 EUR
500+4.5 EUR
1000+3.8 EUR
2000+3.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 12 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
25+3.69 EUR
1000+3.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.99 EUR
50+3.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12H065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.21 EUR
10+6.89 EUR
100+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC12H065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 15 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.01 EUR
10+7.46 EUR
100+7.03 EUR
250+6.89 EUR
500+6.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12DSTMДіоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.91 EUR
50+7.53 EUR
100+6.91 EUR
500+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 15 A Silicon Carbide Diode
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.27 EUR
10+8.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.02 EUR
18+13.29 EUR
22+9.96 EUR
50+9.16 EUR
100+8.51 EUR
250+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 15A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.02 EUR
18+13.29 EUR
22+9.96 EUR
50+9.16 EUR
100+8.51 EUR
250+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 15A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.51 EUR
10+11 EUR
100+8.12 EUR
500+7.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V, 15A, silicon carbide power Schottky Diode
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.99 EUR
10+10.16 EUR
100+7.72 EUR
250+7.71 EUR
500+7.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.06 EUR
17+14.17 EUR
21+10.66 EUR
50+9.81 EUR
100+9.04 EUR
250+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive Grade 1200V, 15A, silicon carbide power Schottky Diode
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.05 EUR
10+10.36 EUR
100+8.15 EUR
500+8.13 EUR
1000+6.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 742 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.06 EUR
17+14.17 EUR
21+10.66 EUR
50+9.81 EUR
100+9.04 EUR
250+8.25 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.23 EUR
10+13.04 EUR
100+10.86 EUR
500+9.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin DO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, DO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.65 EUR
18+13.51 EUR
19+11.51 EUR
50+10.56 EUR
100+9.59 EUR
250+8.65 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
auf Bestellung 992 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.47 EUR
30+7.57 EUR
120+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin DO-247 Tube
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.72 EUR
25+12 EUR
50+11.29 EUR
100+10.66 EUR
250+10.19 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 15 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.92 EUR
10+7.46 EUR
100+7.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC16H065AWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC16H065AWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 16 A Single High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.28 EUR
10+5.97 EUR
25+5.95 EUR
100+5.46 EUR
600+5.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC16H065AWSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC16H065CTSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.94 EUR
10+10.75 EUR
100+8.82 EUR
500+7.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC16H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, dual 10 A, power Schottky silicon carbide diode
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 1886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.59 EUR
10+6.7 EUR
100+6.14 EUR
500+5.59 EUR
1000+5.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11 EUR
10+9.22 EUR
100+7.46 EUR
500+6.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065DISTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 2mA
Case: TO220AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. forward voltage: 1.65V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
Load current: 20A
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 2mA
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.13 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
auf Bestellung 3710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.62 EUR
26+6.77 EUR
50+6.56 EUR
100+5.82 EUR
500+5.43 EUR
1000+4.74 EUR
2000+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
auf Bestellung 643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.01 EUR
50+6.94 EUR
100+6.35 EUR
500+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
auf Bestellung 3710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.62 EUR
26+6.62 EUR
50+6.31 EUR
100+5.51 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.26 EUR
2000+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.09 EUR
10+7.02 EUR
100+6.43 EUR
500+5.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 1343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.57 EUR
10+9.32 EUR
100+7.71 EUR
500+7.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.2 EUR
10+9.66 EUR
100+7.09 EUR
500+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 814 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.6 EUR
10+7.98 EUR
100+6.06 EUR
1000+5.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.42 EUR
10+9.04 EUR
100+6.57 EUR
500+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065WSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) DO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065WSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.15 EUR
10+6.91 EUR
100+5.76 EUR
600+5.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065WSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065WYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.84 EUR
10+7.96 EUR
100+6.53 EUR
600+6.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065WYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.91 EUR
30+7.95 EUR
120+6.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065WYSTMDIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247 Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20065WYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) DO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2006CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2006CWSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; tube
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Max. load current: 40A
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+13.45 EUR
8+11.9 EUR
10+10.67 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2006CWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes SiC Ultra Perf Diode 600V 12nC Schottky
auf Bestellung 7076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.66 EUR
10+9.47 EUR
100+8.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2006CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC2006CWSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 600V 10A TO-247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.68 EUR
30+10.98 EUR
120+9.29 EUR
510+8.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STPSC20G065WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.14 EUR
10+5.7 EUR
100+4.71 EUR
600+4 EUR
1200+3.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118  [ Nächste Seite >> ]