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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
VS-FA57SA50LCPVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-VS-FA72SA50LC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FA72SA50LCVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FA72SA50LCVishay SemiconductorsMOSFET Modules 500 Volt 72 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FB180SA10PVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 180A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FB180SA10PVISHAYDescription: VISHAY - VS-FB180SA10P - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 180 A, 100 V, 0.0065 ohm, 10 V
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 480
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: To Be Advised
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FB180SA10PVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-VS-FB190SA10
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FB190SA10VISHAYDescription: VISHAY - VS-FB190SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 190 A, 100 V, 0.0054 ohm, 10 V, 3.3 V
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 190
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 568
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.3
SVHC: To Be Advised
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FB190SA10Vishay SemiconductorsDiscrete Semiconductor Modules 190 Amp 100 Volt
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FB190SA10MOSFET N-CH 100V 190A SOT227 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FB190SA10Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.35V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC100SA65Vishay SemiconductorsMOSFET Modules Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC150SA65Vishay SemiconductorsMOSFET Modules Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.04 EUR
10+49.81 EUR
100+44 EUR
480+40.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC220SA20Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
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 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC220SA20Vishay SemiconductorsDiscrete Semiconductor Modules Output & SW Modules - SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC270SA20Vishay SemiconductorsMOSFET Modules 200V, 3.3mOhm, 270A SOT-227 Pwr Mod
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.73 EUR
10+31.22 EUR
100+31.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC270SA20VISHAYDescription: VISHAY - VS-FC270SA20 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 287A, 200V, 0.0033 Ohm, 10V, 3.16V, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 937W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.16V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 937W
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC270SA20Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 200V 287A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 937W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 100 V
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.33 EUR
10+32.41 EUR
100+26.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC420SA10Vishay SemiconductorsMOSFET Modules 100V 435A Module SOT-227
auf Bestellung 1156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.68 EUR
10+32.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC420SA10Vishay General SemiconducMOSFET N-CH 100V 435A SOT227 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC420SA10VISHAYDescription: VISHAY - VS-FC420SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 435A, 100V, 0.0013 Ohm, 10V, 2.9V, SOT-227
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 652W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 652W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC420SA10VishayTrans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+28.86 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC420SA10VishayTrans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC420SA10Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 100V 435A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 750µA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17300 pF @ 25 V
auf Bestellung 6075 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.41 EUR
10+30.09 EUR
100+23.72 EUR
500+23.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC420SA10VishayTrans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+28.86 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC420SA10VishayTrans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC420SA15Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 150V 400A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 909W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.33 EUR
10+30.86 EUR
100+24.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC420SA15Vishay SemiconductorsMOSFET Modules 150V, 1.93mOhm, 400A SOT-227 Pwr Mod
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.87 EUR
10+31.2 EUR
100+28.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC420SA15VISHAYDescription: VISHAY - VS-FC420SA15 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 400A, 150V, 0.00193 Ohm, 10V, 3.46V, SOT-227
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 909W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.46V
Verlustleistung: 909W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00193ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1930µohm
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC50SA65Vishay SemiconductorsMOSFET Modules Modules Mosfets - SOT-227 MOSFET
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.4 EUR
10+33.95 EUR
100+29.36 EUR
480+27.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC80NA20Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: MOSFET N-CH 200V 108A SOT227
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FC80NA20Vishay SemiconductorsDiscrete Semiconductor Modules Output & SW Modules - SOT-227 IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FCSP140LTR
auf Bestellung 160000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FR10-4
Produktcode: 135410
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FR13WP
Produktcode: 109425
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VisatonGehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
Typ: Lautsprecher, Tongeber, summer
Beschreibung: Piezostrahler 4 kHz, 80 dBA
Abmessungen: 17x9x9mm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FR16WP (Lautsprecher)
Produktcode: 46078
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FR8WP-4BVISATON GmbH & Co. KGАудіоперетворювачі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FR8WP-8BVISATON GmbH & Co. KGАудіоперетворювачі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FR9.15
Produktcode: 94028
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FRS-5-X
Produktcode: 125536
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Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FRS-5-XWP
Produktcode: 131669
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Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lautsprecher, Mikrofone, Summer
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FSBPXS-OE-94F/1,0PHOENIX CONTACTDescription: PHOENIX CONTACT - VS-FSBPXS-OE-94F/1,0 - Sensorkabel, 8P, Cat5, M12-Buchse, Abisoliertes Aderende, 8 Positionen, 1 m, 3.28 ft, SPEEDCON
Kabellänge - Imperial: 3.28
Anzahl der Positionen: 8 Positionen
Steckverbinder Typ B: Abisoliertes Aderende
Kabellänge - Metrisch: 1
Steckverbinder Typ A: M12-Buchse
Produktpalette: SPEEDCON
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-FSBPXS-OE-94F/10,0PHOENIX CONTACTDescription: PHOENIX CONTACT - VS-FSBPXS-OE-94F/10,0 - Sensorkabel, 4 Positionen, 10 m, 32.8 ft
Kabellänge - Imperial: 32.8
Anzahl der Positionen: 4 Positionen
Steckverbinder Typ B: -
Kabellänge - Metrisch: 10
Steckverbinder Typ A: -
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GA100NA60UPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 100A 250W SOT227
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.4 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GA100TS120UPBFVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GA100TS60SFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 220A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.28V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.25 nF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GA100TS60SFPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 220A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.25 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 780 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.28V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GA200HS60S1Vishay SemiconductorsRectifiers Output & SW Modules - IAP IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GA200HS60S1Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 480A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32.5 nF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GA200HS60S1PBFVishay SemiconductorsIGBT Modules 200 Volt 200 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GA200HS60S1PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 480A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 480 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 830 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 32.5 nF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GA200HS60S1PBF GA200HS60S1PBFСилові IGBT-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VS-GA200SA60SPVISHAY
auf Bestellung 360 Stücke:
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VS-GA200SA60SPVishay SemiconductorsIGBT Transistors RECOMMENDED ALT 78-VS-GA250SA60S
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VS-GA200SA60SPIGBT Module Single 600 V 781 W Chassis Mount SOT-227 Транзистори
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VS-GA200SA60SPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 600V 781W SOT-227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.25 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 781 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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VS-GA200SA60UPVishay SemiconductorsIGBT Transistors N-Ch 600 Volt 100A
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VS-GA200SA60UPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 200A 500W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.5 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Bulk
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VS-GA200SA60UPVISHAYDescription: VISHAY - VS-GA200SA60UP - IGBT-Modul, Einfach, 200 A, 1.92 V, 500 W, 150 °C, SOT-227
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.92
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SOT-227
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: To Be Advised
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VS-GA200SA60UP GA200SA60UPIGBT SOT227 Транзистори
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VS-GA200SA60UP GA200SA60UPIGBT SOT227 Транзистори
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VS-GA200TH60SVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
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VS-GA200TH60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 260A INT-A-PAK
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VS-GA200TS60UPBF GA200TS60UPBFIGBT Module Силові IGBT-модулі
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VS-GA250SA60SVishayIGBT MOD 600V 400A 961W SOT-227 Силові IGBT-модулі
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VS-GA250SA60SVishay SemiconductorsIGBTs 600 Volt 250 Amp
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VS-GA250SA60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 400A 961W SOT227
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.25 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 961 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 400 A
Supplier Device Package: SOT-227
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.66V @ 15V, 200A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4
Packaging: Tube
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VS-GA300TD60SVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
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VS-GA300TD60SVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 600V 530A 1136W INT-A-PAK
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 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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VS-GA400TD60SVishay SemiconductorsIGBT Transistors 600 Volt 400 Amp
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VS-GA400TD60SVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 600V 750A 1563W INT-A-PAK
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 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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VS-GA75TS120UPBFVishay SemiconductorsIGBT Modules 110 Amp 1200 Volt Half-Bridge
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VS-GB05XP120KTPBFVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 0 76W MTP
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 Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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VS-GB100DA60UPVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: MODULE IGBT SOT-227
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 Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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VS-GB100LH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
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VS-GB100LH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
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VS-GB100LP120NVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
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 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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VS-GB100LP120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
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VS-GB100NH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.58 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 833 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
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VS-GB100NH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
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VS-GB100TH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
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VS-GB100TH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
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VS-GB100TH120UVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
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VS-GB100TH120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.45 nF @ 20 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1136 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 100A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
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VS-GB100TP120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
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 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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VS-GB100TP120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
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VS-GB100TP120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 150A INT-A-PAK
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VS-GB100TS60NPBFVishay SemiconductorsIGBT Modules 108 Amp 600 Volt Half-Bridge
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VS-GB100TS60NPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 600V 108A INT-A-PAK
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VS-GB100YG120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules SW Mod - ECONO IGBT
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VS-GB150LH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 300A INT-A-PAK
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VS-GB150LH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
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VS-GB150TH120NVishay SemiconductorsIGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
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VS-GB150TH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 300A INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Supplier Device Package: Double INT-A-PAK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 150A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 4)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 1008 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
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VS-GB150TH120UVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 280A INT-A-PAK
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VS-GB150TS60NPBFVishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: IGBT 600V 138A 500W INT-A-PAK
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 Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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VS-GB150TS60NPBFVishay SemiconductorsIGBT Modules 138 Amp 600 Volt Half-Bridge
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VS-GB150YG120NTVishay SemiconductorsIGBT Modules SW Mod - ECONO IGBT
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VS-GB15XP120KTPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MODULE 1200V 30A 187W MTP
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.95 nF @ 30 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 187 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: MTP
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.66V @ 15V, 30A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 12-MTP Module
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Packaging: Bulk
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VS-GB200LH120NVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 370A INT-A-PAK
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