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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTD4960N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4960N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4960NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4960NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4960NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4960NT4G
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4960NT4G(EOL)
auf Bestellung 7137 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4963N-1GON Semiconductor
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4963N-35GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A IPAK
auf Bestellung 17340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4963N-35GON Semiconductor
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4963NT4GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A DPAK
auf Bestellung 109051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1603 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4963NT4G
auf Bestellung 10057 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4965NonsemiMOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4965N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 6184 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
572+0.31 EUR
901+0.19 EUR
1205+0.13 EUR
1493+0.1 EUR
1563+0.095 EUR
2500+0.088 EUR
5000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 572 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4965N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 68A IPAK-4
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4965N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/68A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.39W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 15 V
auf Bestellung 26115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1025+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 1025 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4965N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/68A IPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.39W (Ta), 38.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4965N-35GON Semiconductor
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4965NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4965NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/68A DPAK-3
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
20+1.07 EUR
100+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4965NT4GonsemiMOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4965NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4965NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A/68A DPAK-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4969N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4969N-1G - NTD4969N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4969N-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 16847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.43 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4969N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-4
auf Bestellung 16847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1010+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1010 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4969N-1GonsemiMOSFETs TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4969N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 15 V
auf Bestellung 43490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1480+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4969N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4969NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 34950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4969NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 41A DPAK
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4969NT4GON SemiconductorMOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH
auf Bestellung 36245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4969NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 41A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4969NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 41A DPAK
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4970N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 774 pF @ 15 V
auf Bestellung 17337 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
820+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 820 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4970N-35GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4970N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 16517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
776+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
10000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 776 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4970N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 774 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4970N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4970N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.011 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24.6W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4970N-35G.ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4970N-35G. - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 30V 36A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 675 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4970NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4970NT4G - NTD4970NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2455+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4970NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 38A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4970NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 4775 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4979N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4979N-35GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 41A 9MOHM
auf Bestellung 1176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4979NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4979NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 41 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 462897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4979NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.4A DPAK-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4N60ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4N60 - 4A, 600V, 2.4OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 184994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4N60onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
auf Bestellung 184994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
466+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD4N60T4MotorolaDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
417+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03R-035onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03R-1GON07+;
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
auf Bestellung 5609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1817+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1817 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03R-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
auf Bestellung 35200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2019+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2019 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03R-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03R-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD50N03R-35G - MOSFET, N, 25V, I-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 35200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3570+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3570 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
auf Bestellung 3559 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1010+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1010 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
auf Bestellung 85643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2019+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2019 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD50N03RT4G - NTD50N03RT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 85643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03RT4GON0648+ TO-252
auf Bestellung 8496 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD50N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5406NonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5406NGON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5406NGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12.2A/70A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 32 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5406NGonsemiMOSFET NFET 40V HD3E
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5406NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12.2A/70A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 32 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5406NT4GON
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5407N
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5407NGON07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5407NGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 32 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5407NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 2654 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5407NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 32 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5411NT4G
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5412NT4G
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5413NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5413NT4GRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
auf Bestellung 2166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 617 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5413NTG
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5414NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5414NT4GON Semiconductor
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5426NT4G
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5802NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 93.75W
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.07 EUR
77+3.03 EUR
102+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5802NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.33 EUR
10+2.78 EUR
100+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5802NT4GonsemiMOSFET 101A, 40V, 4.2mOhms N-Channel
auf Bestellung 1469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+3.14 EUR
25+2.98 EUR
100+2.53 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.73 EUR
2500+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5802NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 93.75W
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
102+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTD5802NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTD5802NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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NTD5803NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 76A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
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NTD5804NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD5804NT4G - MOSFET, N CH, 40V, 69A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NTD5804NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
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NTD5804NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 69A DPAK
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NTD5805NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
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NTD5805NT4GON10+
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NTD5805NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
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