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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RD3R05BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RD3R05BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3R05BBHTL1ROHMDescription: ROHM - RD3R05BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.93 EUR
52+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3R05BBHTL1ROHM SemiconductorMOSFETs RD3R05BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.
auf Bestellung 4414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.7 EUR
10+5.07 EUR
25+4.9 EUR
100+3.72 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3RBKWiremoldPower Outlet Strips RADIANT FPC 3OL BLACK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3RBK10WiremoldPower Outlet Strips RADIANT FPC 3OL BLACK 10FT CORD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3RNIWiremoldPower Outlet Strips RADIANT FPC 3OL NICKEL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3RWHWiremoldPower Outlet Strips RADIANT FPC 3OL WHITE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3RWH10WiremoldPower Outlet Strips RADIANT FPC 3OL WHITE 10FT CORD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S075CNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3S075CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 7.5 A, 0.24 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.62 EUR
63+3.69 EUR
100+2.42 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S075CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S075CNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 190V 7.5A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+2.51 EUR
100+2.26 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.75 EUR
2500+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S075CNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3S075CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 7.5 A, 0.24 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.42 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S075CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+3.31 EUR
100+2.65 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S100AAFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.3 EUR
10+3.87 EUR
100+2.83 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S100AAFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S100AAFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)
auf Bestellung 2284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+3.53 EUR
100+3.22 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.64 EUR
2500+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S100CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.71 EUR
10+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S100CNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 190V; 10A; Idm: 40A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 190V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S100CNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 190V 10A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.74 EUR
10+3.72 EUR
100+2.57 EUR
500+2.09 EUR
1000+2 EUR
2500+1.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3S100CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T050CNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 200V 5A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 2089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+1.73 EUR
100+1.5 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.17 EUR
2500+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T050CNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3T050CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.76 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
106+2.19 EUR
141+1.52 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T050CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.76 EUR
10+2.48 EUR
100+1.93 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T050CNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3T050CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.76 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+4.32 EUR
90+2.59 EUR
141+1.52 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T050CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T075CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T075CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.37 EUR
100+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T075CNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 200V 7.5A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 2389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+1.75 EUR
100+1.57 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1.02 EUR
5000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T100CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.26 EUR
5000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T100CNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 200V 10A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 2466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.68 EUR
100+1.92 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3T100CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 9955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.33 EUR
10+2.77 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U040CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO252
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
10+2.18 EUR
100+1.69 EUR
500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U040CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U040CNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 250V 4A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 1654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.83 EUR
10+2.09 EUR
100+1.61 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.18 EUR
2500+1.01 EUR
5000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U041AAFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
10+2.56 EUR
100+1.99 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U041AAFRATLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 250V 4.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.3 EUR
10+2.09 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.42 EUR
2500+1.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U041AAFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U060CNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 250V 6A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 2014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+2.12 EUR
100+1.49 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.21 EUR
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U060CNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3U060CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6 A, 0.53 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
85+2.74 EUR
120+1.8 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U060CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
auf Bestellung 3403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
10+2.37 EUR
100+1.84 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U060CNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3U060CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6 A, 0.53 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
120+1.8 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U060CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U080AAFRATLRohm SemiconductorDescription: 250V 8A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U080AAFRATLRohm SemiconductorDescription: 250V 8A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+4.07 EUR
100+3.27 EUR
500+2.69 EUR
1000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U080AAFRATLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 250V 8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 4529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+2.39 EUR
100+2.14 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.55 EUR
5000+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U080CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 8A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U080CNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 250V 8A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 1737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+3.08 EUR
100+2.09 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.54 EUR
2500+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3U080CNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 8A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+3.71 EUR
100+2.99 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3YD08CME
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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