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Description: MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3P175SNTL1

MOSFETs Nch 100V 17.5A TO-252 (DPAK)

auf Bestellung 4529 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.68 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.59 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.19 EUR
2500+	1.14 EUR
5000+	1.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3P200SNFRATL

Description: ROHM - RD3P200SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2211 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

33+	7.77 EUR
50+	4.64 EUR
100+	3.11 EUR
500+	2.52 EUR
1000+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 33 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3P200SNFRATL

MOSFETs Nch 100V Vdss 20A ID TO-252(DPAK); TO-252

auf Bestellung 2554 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.3 EUR
10+	4.01 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.37 EUR
2500+	2.24 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3P200SNFRATL

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.4 EUR
10+	3.55 EUR
100+	2.81 EUR
500+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3P200SNFRATL

Description: ROHM - RD3P200SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2211 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.11 EUR
500+	2.52 EUR
1000+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3P200SNFRATL

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3P200SNTL1

Description: ROHM - RD3P200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2615 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.2 EUR
500+	1.78 EUR
1000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3P200SNTL1

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

auf Bestellung 1123 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.84 EUR
10+	3.78 EUR
50+	2.89 EUR
100+	2.61 EUR
500+	2.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3P200SNTL1

Description: ROHM - RD3P200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3P200SNTL1

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 20.0A(Id), (2.5V, 4.0V Drive)

auf Bestellung 4910 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.09 EUR
10+	2.59 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.7 EUR
2500+	1.61 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3P200SNTL1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 80A; 20W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 55nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3P200SNTL1

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3R02BBHTL1

Description: NCH 150V 20A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3R02BBHTL1

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 20A(Id), (6.0V, 10V Drive)

auf Bestellung 4744 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.14 EUR
10+	2.01 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.39 EUR
2500+	1.24 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3R02BBHTL1

Description: ROHM - RD3R02BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20 A, 0.062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3R02BBHTL1

Description: NCH 150V 20A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 75 V

auf Bestellung 2488 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.39 EUR
10+	2.81 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3R02BBHTL1

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	3.32 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3R05BBHTL1

Description: ROHM - RD3R05BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3R05BBHTL1

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	6.93 EUR
52+	4.55 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3R05BBHTL1

MOSFETs RD3R05BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.

auf Bestellung 4414 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.96 EUR
10+	4.51 EUR
25+	4.37 EUR
100+	3.32 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3RBK

Power Outlet Strips RADIANT FPC 3OL BLACK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3RBK10

Power Outlet Strips RADIANT FPC 3OL BLACK 10FT CORD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3RNI

Power Outlet Strips RADIANT FPC 3OL NICKEL

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3RWH

Power Outlet Strips RADIANT FPC 3OL WHITE

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3RWH10

Power Outlet Strips RADIANT FPC 3OL WHITE 10FT CORD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3S075CNTL1

Description: ROHM - RD3S075CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 7.5 A, 0.24 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.42 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3S075CNTL1

Description: MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3S075CNTL1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 190V; 7.5A; Idm: 30A; 52W; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 190V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 347mΩ
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 52W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3S075CNTL1

MOSFETs Nch 190V 7.5A TO-252 (DPAK)

auf Bestellung 879 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.55 EUR
10+	2.24 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.55 EUR
2500+	1.37 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3S075CNTL1

Description: ROHM - RD3S075CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 190 V, 7.5 A, 0.24 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 190V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	5.62 EUR
63+	3.69 EUR
100+	2.42 EUR
500+	1.94 EUR
1000+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3S075CNTL1

Description: MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252

auf Bestellung 1806 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.09 EUR
10+	3.28 EUR
50+	2.51 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3S100AAFRATL

Description: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1515 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.3 EUR
10+	3.87 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.63 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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RD3S100AAFRATL

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

auf Bestellung 2149 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.25 EUR
10+	3.15 EUR
100+	2.87 EUR
500+	2.53 EUR
1000+	2.34 EUR
2500+	2.21 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3S100AAFRATL

Description: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3S100CNTL1

Description: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 3202 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.71 EUR
10+	3.7 EUR
50+	2.83 EUR
100+	2.56 EUR
500+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3S100CNTL1

Description: MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3S100CNTL1

MOSFETs Nch 190V 10A TO-252 (DPAK)

auf Bestellung 2505 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.11 EUR
10+	2.56 EUR
100+	2.3 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.81 EUR
2500+	1.68 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3S100CNTL1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 190V; 10A; Idm: 40A; 85W; TO252
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 190V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
On-state resistance: 0.19Ω

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3T050CNTL1

Description: ROHM - RD3T050CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.76 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1353 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.32 EUR
106+	2.19 EUR
141+	1.52 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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RD3T050CNTL1

MOSFETs Nch 200V 5A TO-252 (DPAK)

auf Bestellung 2089 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.2 EUR
10+	1.54 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	1.04 EUR
2500+	0.89 EUR
5000+	0.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3T050CNTL1

Description: MOSFET N-CH 200V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

auf Bestellung 1957 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.58 EUR
10+	2.28 EUR
50+	1.71 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3T050CNTL1

Description: ROHM - RD3T050CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.76 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V
Verlustleistung: 29W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm

auf Bestellung 1288 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	4.32 EUR
90+	2.59 EUR
141+	1.52 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3T050CNTL1

Description: MOSFET N-CH 200V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3T075CNTL1

Description: MOSFET N-CH 200V 7.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3T075CNTL1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 30A; 52W; SOT416F
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT416F
On-state resistance: 0.325Ω
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 52W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3T075CNTL1

Description: MOSFET N-CH 200V 7.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V

auf Bestellung 2664 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.62 EUR
10+	2.31 EUR
50+	1.74 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3T075CNTL1

MOSFETs Nch 200V 7.5A TO-252 (DPAK)

auf Bestellung 2379 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.25 EUR
10+	1.55 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.11 EUR
1000+	1.05 EUR
2500+	0.9 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3T100CNTL1

Description: MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3T100CNTL1

MOSFETs Nch 200V 10A TO-252 (DPAK)

auf Bestellung 2156 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.95 EUR
10+	1.94 EUR
100+	1.74 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.34 EUR
2500+	1.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3T100CNTL1

Description: MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.25V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

auf Bestellung 4202 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.41 EUR
10+	2.84 EUR
50+	2.15 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3U040CNTL1

Description: MOSFET N-CH 250V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3U040CNTL1

MOSFETs Nch 250V 4A TO-252 (DPAK)

auf Bestellung 1654 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.42 EUR
10+	1.86 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.05 EUR
2500+	0.9 EUR
5000+	0.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3U040CNTL1

Description: MOSFET N-CH 250V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3U041AAFRATL

Description: MOSFET N-CH 250V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

auf Bestellung 1703 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.12 EUR
10+	2.56 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.69 EUR
1000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3U041AAFRATL

Description: MOSFET N-CH 250V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3U041AAFRATL

MOSFETs TO252 250V 4.1A N-CH MOSFET

auf Bestellung 1528 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.82 EUR
10+	1.86 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.26 EUR
2500+	1.13 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3U060CNTL1

MOSFETs Nch 250V 6A TO-252 (DPAK)

auf Bestellung 1514 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.62 EUR
10+	1.75 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.2 EUR
2500+	1.05 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3U060CNTL1

Description: ROHM - RD3U060CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6 A, 0.53 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm

auf Bestellung 2454 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	4.8 EUR
85+	2.74 EUR
120+	1.8 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

RD3U060CNTL1

Description: MOSFET N-CH 250V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V

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6+	4.05 EUR
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RD3U060CNTL1

Description: ROHM - RD3U060CNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 6 A, 0.53 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm

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RD3U060CNTL1

Description: MOSFET N-CH 250V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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RD3U080AAFRATL

Description: 250V 8A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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RD3U080AAFRATL

Description: 250V 8A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V

auf Bestellung 1740 Stücke:

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RD3U080AAFRATL

MOSFETs TO252 250V 8A N-CH MOSFET

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5000+	1.32 EUR

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RD3U080CNTL1

Description: MOSFET N-CH 250V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V

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RD3U080CNTL1

MOSFETs Nch 250V 8A TO-252 (DPAK)

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10+	2.94 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.52 EUR
2500+	1.38 EUR
5000+	1.34 EUR

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RD3U080CNTL1