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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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| PJW603614L | Hammond Manufacturing | Description: BOX FIBERGLASS GRY 60.25"X36.25" | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW603614L3PT | Hammond Manufacturing | Description: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 60.25 X Packaging: Bulk Color: Gray Size / Dimension: 37.150" L x 16.030" W (943.61mm x 407.16mm) Material: Fiberglass/Polyester Height: 64.500" (1638.30mm) Design: Hinged Door Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A Container Type: Enclosure Area (L x W): 596in² (3845cm²) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW603614L3PT | Hammond Manufacturing | Electrical Enclosures N4X Wallmount Encl 3PT - 60.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW720 | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| PJW7N04-AU_R2_000A1 | Panjit International Inc. | Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW7N04-AU_R2_000A1 | Panjit International Inc. | Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW7N04-R2-00001 | Panjit | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW7N04_R2_00001 | Panjit | MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW7N04_R2_00001 | Panjit International Inc. | Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW7N06A-AU_R2_000A1 | Panjit International Inc. | Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW7N06A-AU_R2_000A1 | Panjit | MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW7N06A-AU_R2_000A1 | Panjit International Inc. | Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW7N06A-AU_R2_007A1 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.6A; SOT223 Case: SOT223 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 6.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: 20V Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW7N06A-R2-00001 | Panjit | MOSFET SOT-223/MOS/SOT/NFET-60TWMN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW7N06A_R2_00001 | Panjit International Inc. | Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V | auf Bestellung 3680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PJW7N06A_R2_00001 | Panjit | MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW7N06A_R2_00001 | Panjit International Inc. | Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PJW7N06A_R2_00701 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.6A; SOT223 Case: SOT223 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 6.6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: 20V Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW8N03_R2_00001 | Panjit International Inc. | Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PJW8N03_R2_00001 | Panjit | MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| PJW8N03_R2_00001 | Panjit International Inc. | Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M | auf Bestellung 4940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PJWI1P6150UA | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| PJWILD720M2 | auf Bestellung 782 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| PJWIP4440MA | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| PJWIP6150U | NAT | 97 DIP | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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