Produkte > RS1
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| RS1DHF2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, GP FR SMD RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DHF3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, GP FR SMD RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DHF3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns 1A 200V Fast R ecovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DHR2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, GP FR SMD RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DHR2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, GP FR SMD RECTIFIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DHR3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - RS1DL - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Rectifier Diodes productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS1DL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STD 200V 800MA SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 22045 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1DL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 0.8A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STD 200V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1DL | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - RS1DL - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Rectifier Diodes productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS1DL M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL MHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL MQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL MTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL R2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 0.8A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL R2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 0.8A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL R3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns 0.8A 200V Fast Recovery Rectifier | auf Bestellung 2065 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL R3 | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS1DL R3 - Diode mit Standard-Erholzeit, glaspassiviert, 200 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85412100 euEccn: NLR hazardous: false usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL R3 | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - RS1DL R3 - Diode mit Standard-Erholzeit, glaspassiviert, 200 V, 800 mA, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85412100 Bauform - Diode: Sub-SMA Durchlassstoßstrom: 30 hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3 Sperrverzögerungszeit: 150 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: RS1D Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 0.8A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL RFG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns 0.8A 200V Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL RHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STD 200V 800MA SUB SMA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL RQ | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, GP SMF FAST RECOVERY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL RQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, GP SMF FAST RECOVERY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL RQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL RTG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns 0.8A 200V Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL RTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL RUG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STD 200V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL RUG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns 0.8A 200V Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 0.8A 2-Pin Sub SMA T/R | auf Bestellung 301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 184 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | auf Bestellung 2695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1DL RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns 0.8A 200V Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 0.8A 2-Pin Sub SMA T/R | auf Bestellung 301 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 0.8A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHMHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHMQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHMTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHR2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, GP SMF FAST RECOVERY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHR2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 0.8A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHR3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, GP SMF FAST RECOVERY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 0.8A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STD 200V 800MA SUB SMA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3600 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHRFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHRHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHRQ | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, GP SMF FAST RECOVERY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHRQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, GP SMF FAST RECOVERY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHRQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHRTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 800mA Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHRUG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLHRVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GP 200V 800MA SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 800mA Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 800 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLW | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | auf Bestellung 12350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1DLW | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1DLW RQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLW RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1DLW RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLW RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLW RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1DLWH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1DLWH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLWH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 19472 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1DLWH | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLWHRQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLWHRVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 150ns, 1A, 200V, Fast Recovery Rectifier | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLWHRVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | auf Bestellung 1398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1DLWHRVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DLWHRVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DTR | SMC Diode Solutions | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 120000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DWF-HF | Comchip Technology | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DWF-HF | Comchip Technology | Rectifiers RECTIFIER FAST RECOVERY 200V 1A SOD-123FL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DWG-R2-00001 | Panjit | Rectifiers | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DWG_R1_00001 | Panjit | Rectifiers PJ/RS1D/TR/7"/HF/1.8K/SMA-W/FR/SMD/RSM-10AWGH/SY0307356/PJ/// | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1DWG_R2_00001 | Panjit | Rectifiers PJ/RS1D/TR/13"/HF/7.5K/SMA-W/FR/SMD/RSM-10AWGH/SY0307356/PJ/// | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1D_Q | onsemi / Fairchild | Rectifiers 200V 1a Fast Rect SMa | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1D_R1_00001 | PanJit | RS1D_R1_00001 | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS1D_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1D_R1_00001 | Panjit | Rectifiers 200V,Fast Recovery Rectifiers,SMA,1A | auf Bestellung 3865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1D_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1D_R2_00001 | Panjit | Rectifiers 200V Fast Recovery Rectifiers 1A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1E130GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1E130GNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS1E130GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 15 V | auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1E130GNTB | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin HSOP EP T/R | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RS1E130GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1E150GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RS1E150GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 478 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1E150GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V | auf Bestellung 2225 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1E170GNTB | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET | auf Bestellung 2493 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RS1E170GNTB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V | auf Bestellung 1960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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