Produkte > NTM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| NTMYS8D0N04CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm | auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMYS8D0N04CTWG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK Packaging: Bulk Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V | auf Bestellung 8712 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMYS8D0N04CTWG | onsemi | MOSFETs 40V 49A 8.1Ohm Single N-Channel | auf Bestellung 3020 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMYS9D3N06CLTWG | onsemi | MOSFET T6 60V LL LFPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |