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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SD2101
auf Bestellung 9800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2101
Produktcode: 105600
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HitachiTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2SD2102
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2SD2103
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2SD2104
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2SD2105
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2SD2106
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2106-ERenesas Electronics CorporationDescription: TRANS NPN DARL 120V 6A TO-220FM
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: TO-220FM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
150+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2106-ERenesasTrans Darlington NPN 120V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
auf Bestellung 1147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.34 EUR
500+3.12 EUR
1000+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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2SD2107
auf Bestellung 9800 Stücke:
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2SD2108
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2SD2109
auf Bestellung 9800 Stücke:
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2SD211
auf Bestellung 9800 Stücke:
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2SD2110
auf Bestellung 9800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2111
auf Bestellung 9800 Stücke:
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2SD2112
auf Bestellung 9800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2113
auf Bestellung 9800 Stücke:
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2SD2114 T146WROHMSOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2SD2114KROHM
auf Bestellung 462000 Stücke:
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2SD2114KROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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2SD2114K T146VROHM
auf Bestellung 991740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114K-T146V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114K-VROHMSOT23
auf Bestellung 11892 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114K/BBVROHMSOT-23
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146VRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 1585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
770+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 770 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146VROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 20V 0.5A
auf Bestellung 3540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146VRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 3278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
45+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146VROHMDescription: ROHM - 2SD2114KT146V - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
399+0.58 EUR
629+0.35 EUR
841+0.25 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146VRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 37903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
734+0.46 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.18 EUR
12000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 734 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146VRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146VROHMDescription: ROHM - 2SD2114KT146V - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
399+0.58 EUR
629+0.35 EUR
841+0.25 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146V Transistor
Produktcode: 200671
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2SD2114KT146V/BBVROHM
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146WROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 20V 0.5A
auf Bestellung 4978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.77 EUR
10+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146WRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146WRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 39833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
734+0.46 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
12000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 734 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146WROHMSOT23
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146WRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 3V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 8560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
45+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2114KT146WRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
838+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
2500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 838 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2115LS
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2117
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118ROHM09+
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118 TLRROHM09+
auf Bestellung 7518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118 {R} (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 45447
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RohmTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: D-Pak
Transitfrequenz fT: 150 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 20 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
Kollektorstrom Ic, A: 5 A
Stromverstärkung h21: 390
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.83 EUR
10+0.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118/D2118RROHM
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118F5
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118TLROHM SemiconductorROHM Semiconductor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 5A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 10 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 5A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 2393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
367+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 367 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118TLQRohmNPN, Uкэ=20V, Iк=10A, 2Вт, 150МГц, SOT-89 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 20V 5A
auf Bestellung 2383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.4 EUR
10+1.71 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 5A CPT3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 10 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 5A CPT3
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118TLRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 20V 5A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2118TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 20V 5A CPT3
Power - Max: 10 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2119
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD212
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2120
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2121LS
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2122
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2122LS
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2123CSTL-E#J3Renesas Electronics CorporationDescription: NPN BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
369+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 369 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2123LS
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2124LS
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2124STR-ERenesas Electronics America IncDescription: DARLINGTON POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2125
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2125
Produktcode: 184755
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3
Transitfrequenz fT: 3 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 600 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 1500 В
Kollektorstrom Ic, A: 6 А
Montage: THT
auf Bestellung 17 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2126/QROHMSOT-89
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD2126HRT101QROHM
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2SD2128
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2SD2129,ALPSQ(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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2SD2129,LS4ALPSQ(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
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2SD213
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2SD2130
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2SD2131
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2SD2132
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2SD2133
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2SD21330RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 1A MT-3
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: MT-3-A1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
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2SD21330SAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 1A MT-3
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: MT-3-A1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
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2SD2134PANASONIC
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2SD21340RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 150V 1A MT-3
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: MT-3-A1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
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2SD2135
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2SD21360QAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 60V 3A MT-3
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: MT-3-A1
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
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2SD21360RAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 60V 3A MT-3-A1
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: MT-3-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
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2SD2137
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2SD2137A
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2SD2137A-(TA)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 80VCEO 3A MT-4
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2SD2137A0APanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 80VCEO 3A MT-4
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2SD2137A0ACTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 80VCEO 3A MT-4
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2SD2137A0ATBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 80VCEO 3A MT-4
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2SD2137ACTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 80VCEO 3A MT-4
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2SD2137APAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 80V 3A MT-4
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: MT-4-A1
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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2SD2137ATBPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 80VCEO 3A MT-4
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2SD2138
auf Bestellung 9800 Stücke:
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2SD2138A
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2SD2138APAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN DARL 80V 2A MT-4
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: MT-4-A1
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 2A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
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2SD2138AQAPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN DARL 80V 2A MT-4
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: MT-4-A1
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Box (TB)
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2SD2139
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