Produkte > IS4

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 6 12 18 24 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 42 48 54 60 65  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS43LD32640B-25BPLIISSIDRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 32Mx32 IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32640B-25BPLI-TRISSIDRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 32Mx32 IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32640C-18BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 134-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 533 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 64M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.28 EUR
10+22.49 EUR
25+21.98 EUR
40+21.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32640C-25BLIISSIDRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.59 EUR
10+22.79 EUR
25+22.26 EUR
50+22.13 EUR
100+19.5 EUR
171+18.72 EUR
513+17.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32800B-25BLIISSIDRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD32800B-25BLI-TRISSIDRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16128A-062BLIISSIDRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16128A-062BLI-TRISSIDRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16128A-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16128A-062TBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT LVSTL 200TFBGA
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 2Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 16
Memory Interface: LVSTL
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.6 GHz
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.18 EUR
10+25.17 EUR
25+24.6 EUR
40+24.47 EUR
136+21.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16128AL-062BLIISSIDRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16128AL-062BLI-TRISSIDRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16256A-062BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 200VFBGA
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16256A-062BLIISSIDRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.65 EUR
10+33.64 EUR
25+32.13 EUR
100+30.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16256A-062BLI-TRISSIDRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16256A-062TBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256M x 16
Memory Interface: LVSTL
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.6 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
Packaging: Tray
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.99 EUR
10+21.29 EUR
25+20.8 EUR
40+20.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16256AL-062BLIISSIDRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16256AL-062BLI-TRISSIDRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16256B-053BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT LVSTL 200VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.867 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 256M x 16
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.24 EUR
10+20.71 EUR
25+19.33 EUR
100+17.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16256B-053BLIISSIDRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.05 EUR
10+49.24 EUR
25+48.17 EUR
50+47.35 EUR
100+45.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16256B-062BLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LQ16256B-062BLI - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+84.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16256B-062BLIISSIDRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.49 EUR
10+48.61 EUR
25+47.06 EUR
50+45.91 EUR
100+44.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16256BL-062BLIISSIDRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16512A-053BLIISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.07 EUR
10+37.18 EUR
25+36 EUR
50+35.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16512A-062BLIISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16512A-062BLI-TRISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16512B-046BLIISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+69.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16512B-053BLIISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ16512B-053BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+72.4 EUR
5+68.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128A-062BLIISSIDRAM SUGGESTED ALTERNATE IS43LQ32128A-062TBLI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128A-062BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 200VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128A-062BLI-TRISSIDRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128A-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128A-062TBLIISSIDRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128A-062TBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 32
Memory Interface: LVSTL
Part Status: Active
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.6 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.17 EUR
10+26.13 EUR
25+25.32 EUR
40+24.91 EUR
136+23.82 EUR
272+23.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128A-062TBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LQ32128A-062TBLI - DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 128M x 32 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 128M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+47.43 EUR
10+40.89 EUR
25+36.54 EUR
50+35.69 EUR
100+34.43 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128A-062TBLI-TRISSIDRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128A-062TBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 32
Memory Interface: LVSTL
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.6 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128AL-062BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Bulk
Package / Case: 200-WFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128AL-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 128M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128AL-062BLI-TRISSIDRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128AL-062TBLIISSIDRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128AL-062TBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 32
Memory Interface: LVSTL
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.6 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128AL-062TBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 32
Memory Interface: LVSTL
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 1.6 GHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 200-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32128AL-062TBLI-TRISSIDRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256A-062BLIISSIDRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256A-062BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 200TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+92.84 EUR
10+85.82 EUR
25+83.05 EUR
50+80.98 EUR
136+78.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256A-062BLIISSIDRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256A-062BLIISSIDRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+40.54 EUR
10+36.08 EUR
25+33.19 EUR
40+28.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256A-062BLIISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256A-062BLIISSIDRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+40.54 EUR
10+36.88 EUR
25+34.46 EUR
40+30.2 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256A-062BLI-TRISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256A-062BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256A-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256AL-062BLIISSIDRAM Chip Mobile LPDDR4X SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256AL-062BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Bulk
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256AL-062BLIISSIDRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256AL-062BLI-TRISSIDRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256AL-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256B-053BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT LVSTL 200VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.867 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 256M x 32
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+45.42 EUR
10+33.38 EUR
25+30.29 EUR
80+27.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256B-053BLIISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256B-053BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256B-053BLI-TRISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256B-062BLIISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256B-062BLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LQ32256B-062BLI - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+52.86 EUR
6+45.02 EUR
10+37.81 EUR
25+35.45 EUR
50+34.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256B-062BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT LVSTL 200VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 256M x 32
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+81.6 EUR
10+75.46 EUR
25+73.03 EUR
50+71.21 EUR
100+69.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256B-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256BL-053BLIISSIDRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256BL-053BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.867 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 256M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256BL-053BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256BL-062BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 256M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256BL-062BLIISSIDRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256BL-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32256BL-062BLI-TRISSIDRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32512A-046BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32512A-046BLIISSIDRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32512A-046BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32512A-053BLIISSIDRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+151.8 EUR
10+130.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32512A-053BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+137.24 EUR
5+129.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32512A-053BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32640A-062BLIISSIDRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 64Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.86 EUR
10+26.75 EUR
25+25.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32640AL-062BLI-TRISSIDRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 64Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32640AL-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 64M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32640AL-062TBLI-TRISSIDRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 64Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LQ32K01S2A-046BLIISSI 32G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 1Gx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+101.05 EUR
10+93.72 EUR
25+90.37 EUR
50+88.11 EUR
100+81.66 EUR
272+77.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16128B-5BLIISSIDRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 128Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16128B-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 208 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16128B-5BLI-TRISSIDRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16128B-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 208 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 128M x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16128B-6BLIISSIDRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 128Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160F-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 60TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160F-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 60TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160F-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 60TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160F-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 60TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BLISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LR16160G-6BL-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 6 12 18 24 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 42 48 54 60 65  [ Nächste Seite >> ]