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Description: ROHM - HT8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KB5TB1

Description: 40V 12A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3 EUR
12+	1.89 EUR
25+	1.59 EUR
100+	1.27 EUR
250+	1.11 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KB5TB1

Trans MOSFET N-CH 40V 5A 8-Pin HSMT EP T/R

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	1.69 EUR
122+	1.42 EUR
133+	1.26 EUR
200+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 103 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KB5TB1

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KB5TB1

MOSFETs 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.48 EUR
10+	1.63 EUR
100+	1.17 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.96 EUR
3000+	0.83 EUR
6000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KB5TB1

Description: 40V 12A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KB6TB1

Description: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 3050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.62 EUR
138+	1.56 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KB6TB1

MOSFETs HSMT8 N CHAN 40V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 90-94 Tag (e)

1+	3.53 EUR
10+	2.26 EUR
25+	1.94 EUR
100+	1.55 EUR
250+	1.4 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.13 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KB6TB1

Description: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 3050 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	4.38 EUR
89+	2.62 EUR
138+	1.56 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KB6TB1

HT8KB6TB1

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

106+	1.65 EUR
124+	1.39 EUR
145+	1.17 EUR
200+	1.07 EUR
500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 106 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KC5TB1

Description: ROHM - HT8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2839 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.09 EUR
110+	2.12 EUR
165+	1.3 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KC5TB1

Description: 60V 10A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)

auf Bestellung 2928 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.01 EUR
12+	1.9 EUR
25+	1.61 EUR
100+	1.27 EUR
250+	1.12 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KC5TB1

Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HSMT EP T/R

auf Bestellung 600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	1.7 EUR
121+	1.43 EUR
132+	1.27 EUR
200+	1.18 EUR
500+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 103 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KC5TB1

Description: ROHM - HT8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.09 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2839 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	4.09 EUR
110+	2.12 EUR
165+	1.3 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 61 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KC5TB1

MOSFETs 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

auf Bestellung 5785 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.24 EUR
10+	1.63 EUR
100+	1.18 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.98 EUR
3000+	0.9 EUR
6000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KC5TB1

Description: 60V 10A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KC6TB1

Description: 60V 15A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KC6TB1

Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin HSMT EP

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

68+	2.58 EUR
80+	2.17 EUR
100+	1.94 EUR
200+	1.8 EUR

Mindestbestellmenge: 68 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KC6TB1

MOSFETs 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.39 EUR
10+	2.37 EUR
100+	1.67 EUR
500+	1.52 EUR
1000+	1.4 EUR
3000+	1.3 EUR
6000+	1.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KC6TB1

Description: ROHM - HT8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KC6TB1

Description: 60V 15A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)

auf Bestellung 2901 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.06 EUR
10+	2.61 EUR
25+	2.23 EUR
100+	1.78 EUR
250+	1.57 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KC6TB1

Description: ROHM - HT8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.029 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	4.12 EUR
95+	2.46 EUR

Mindestbestellmenge: 61 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KE5HTB1

MOSFETs HSMTR 100V 6.5A N CHAN MOS

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.42 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.05 EUR
3000+	0.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KE5HTB1

Description: ROHM - HT8KE5HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 6.5 A, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	4.4 EUR
90+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

HT8KE5HTB1