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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NE532X
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NE534PHI02+ SOP14
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NE535HSIGNETIS02+ CAN8
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NE535TSIGNETIS02+ CAN8
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NE536H
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NE536T
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NE538H01+ CAN
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NE538N
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NE538TSIGNETIS02+ CAN8
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NE540SIGNETIS07+ DIP
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NE540HSIGNETIS
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NE540H/883
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NE540H883SIGNETIS
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NE540LSIGNETIS
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NE540MHSIGNETIS
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NE540MH/883
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NE540MH883SIGNETIS
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NE5410
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NE5410FPHI04+ CDIP16
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NE542NPHI08+ .
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NE544D
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NE544NPHIDIP14
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NE544N
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NE545PHI08+ DIP
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NE545BPHI02+ DIP8
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NE545NPHI02+ DIP
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NE5500134NEC/CELCEL
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NE5500134
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NE5500134-T1
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NE5500134-T1/V
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NE5500134-T1/V125NEC02+ SOT-89
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NE5500179A
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NE5500179ANEC/CELCEL
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NE5500179A-T1
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NE5500179A-T1-ANEC97+
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NE5500234
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NE5500234-AZCELCEL Silicon Medium Power LDMOSFET RoHS directive compliant
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NE5500234-T1NECSOT89 10+
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NE5500234-T1-AZRenesas Electronics America IncDescription: RF MOSFET 4.8V SOT89
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 1A
Frequency: 1.9GHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 32.5dBm
Technology: MOSFET
Supplier Device Package: SOT-89
Voltage - Rated: 20 V
Voltage - Test: 4.8 V
Current - Test: 400 mA
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115+5.2 EUR
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NE5500234-T1-AZCELCEL Silicon Medium Power LDMOSFET RoHS directive compliant
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NE5500434
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NE5500434-T1NECSOT89-V4 PB-FREE
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NE5500434-T1SOT
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NE5500434-T1SOT89-V4PB-FREENEC
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NE5500479ANEC/CELCEL
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NE5500479A
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NE5500479A-T1
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NE5504N
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NE550L01+ CAN
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NE550N
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NE5510276A-T1
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NE5510279A
Produktcode: 105055
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NE5510279A
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NE5510279A-T1NEC2004
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NE5510279A-T1-ARenesasTrans RF MOSFET N-CH 20V 1A 4-Pin Case 79A T/R
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164+4.07 EUR
500+3.82 EUR
1000+3.52 EUR
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NE5510279A-T1-ARenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 100nA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8GHz
Power - Output: 2W
Gain: 16dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 79A
Part Status: Active
Voltage - Rated: 20 V
Voltage - Test: 4.8 V
Current - Test: 300 mA
auf Bestellung 5792 Stücke:
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124+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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NE5510T
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NE5511279-T1-ANEC
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NE5511279A
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NE5511279ACELRF MOSFET Transistors
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NE5511279A-ACELRF MOSFET Transistors UHF Band RF Power
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NE5511279A-ACELDescription: MOSFET LD N-CHAN 7.5V 79A
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NE5511279A-T1NEC09+
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NE5511279A-T1-ACELDescription: FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Current Rating (Amps): 3A
Frequency: 900MHz
Power - Output: 40dBm
Gain: 15dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: 79A
Voltage - Rated: 20 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 400 mA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5511279A-T1-ACELRF MOSFET Transistors UHF Band RF Power
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NE5512PHISOP-8
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NE5512DNULL00+ SOP
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NE5512D-HPHILIPS
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NE5512DK
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NE5512NTI8813 DIP8
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NE5513
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NE5513T
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NE5514
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NE5514ANPHILIPS04+ DIP
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NE5514DPHILIPS09+ SOP16
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NE5514F
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NE5514NPHIDIP16
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NE5517onsemi TWO CURRENT-CONTROLLED TR
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NE5517PHILIPS01+ DIP18
auf Bestellung 65 Stücke:
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NE55170
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NE55170DR2G
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NE55170G
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NE5517ANPHI08+ .
auf Bestellung 728 Stücke:
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NE5517ANonsemiDescription: IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Through Hole
Amplifier Type: Transconductance
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Current - Supply: 2.6mA
Slew Rate: 50V/µs
Gain Bandwidth Product: 2 MHz
Current - Input Bias: 400 nA
Voltage - Input Offset: 400 µV
Supplier Device Package: 16-PDIP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 500 µA
Voltage - Supply Span (Min): 4 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517ANGonsemiDescription: IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Through Hole
Amplifier Type: Transconductance
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Current - Supply: 2.6mA
Slew Rate: 50V/µs
Gain Bandwidth Product: 2 MHz
Current - Input Bias: 400 nA
Voltage - Input Offset: 400 µV
Supplier Device Package: 16-PDIP
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 500 µA
Voltage - Supply Span (Min): 4 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517ANGON SemiconductorSP Amp Transconductance Amplifier Dual ±22V/44V 16-Pin PDIP Tube
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517DonsemiTransconductance Amplifiers Transconductance
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517DS93
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517DonsemiDescription: IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Transconductance
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Current - Supply: 2.6mA
Slew Rate: 50V/µs
Gain Bandwidth Product: 2 MHz
Current - Input Bias: 400 nA
Voltage - Input Offset: 400 µV
Supplier Device Package: 16-SOIC
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 500 µA
Voltage - Supply Span (Min): 4 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517DGON SemiconductorSP Amp Transconductance Amplifier Dual ±22V/44V 16-Pin SOIC Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517DGonsemiDescription: IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Transconductance
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Current - Supply: 2.6mA
Slew Rate: 50V/µs
Gain Bandwidth Product: 2 MHz
Current - Input Bias: 400 nA
Voltage - Input Offset: 400 µV
Supplier Device Package: 16-SOIC
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 500 µA
Voltage - Supply Span (Min): 4 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517DGONSEMIDescription: ONSEMI - NE5517DG - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 V, 2 MHz, -5 V, 5 V, SOIC
Versorgungsspannung: 44
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Eingangsspannung, max.: 5
Spannungsanstieg: 50
Verstärkungsbandbreite: 2
Eingangsspannung, min.: -5
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Ausgangsstrom, min.: 350
Eingangswiderstand: 26
Ausgangsstrom -, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517DGON SemiconductorTransconductance Amplifiers Transconductance Dual Commercial Temp
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517DR2onsemiDescription: IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Transconductance
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Current - Supply: 2.6mA
Slew Rate: 50V/µs
Gain Bandwidth Product: 2 MHz
Current - Input Bias: 400 nA
Voltage - Input Offset: 400 µV
Supplier Device Package: 16-SOIC
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 500 µA
Voltage - Supply Span (Min): 4 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517DR2
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517DR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NE5517DR2G - Transkonduktanzverstärker, 2 Verstärker, 44 VDC, 2 MHz, SOIC
Versorgungsspannung: 44
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Eingangsspannung, max.: -
Spannungsanstieg: 50
Verstärkungsbandbreite: 2
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Ausgangsstrom, min.: 350
Eingangswiderstand: 26
Ausgangsstrom -, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 2 Verstärker
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517DR2GonsemiTransconductance Amplifiers Transconductance Dual Commercial Temp
auf Bestellung 9157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+2.2 EUR
25+2 EUR
100+1.77 EUR
250+1.67 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517DR2GON SemiconductorSP Amp Transconductance Amplifier Dual ±22V/44V 16-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.98 EUR
107+1.61 EUR
113+1.46 EUR
124+1.29 EUR
250+1.2 EUR
500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517DR2GonsemiDescription: IC OP AMP 2CH 16-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Transconductance
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Current - Supply: 2.6mA
Slew Rate: 50V/µs
Gain Bandwidth Product: 2 MHz
Current - Input Bias: 400 nA
Voltage - Input Offset: 400 µV
Supplier Device Package: 16-SOIC
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 500 µA
Voltage - Supply Span (Min): 4 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
auf Bestellung 5253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
10+2.19 EUR
25+1.99 EUR
100+1.76 EUR
250+1.65 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE5517DR2GON SemiconductorSP Amp Transconductance Amplifier Dual ±22V/44V 16-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH