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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTLUS3A39PZTAGON Semiconductor
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A39PZTAGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A39PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
auf Bestellung 160793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
643+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 643 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A39PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
643+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 643 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A39PZTBGON SemiconductorMOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A39PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A40PZCTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A40PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Produkt ist nicht verfügbar
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NTLUS3A40PZTAGON Semiconductor
auf Bestellung 1908 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A40PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
auf Bestellung 2394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A40PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.4A 6-Pin UDFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A40PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A40PZTAGonsemiMOSFET T4 20/8 PCH 2X2 8 CHANNEL
auf Bestellung 3321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.52 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A40PZTBGON SemiconductorIGBT Transistors T4 20/8 PCH UDFN SING
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A40PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A40PZTBGON Semiconductor
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A40PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A90PZCTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A90PZCTBGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 4A UDFN6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A90PZTAGON SemiconductorMOSFET POWER MOSFET 20V 3A 60 MO
auf Bestellung 3669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
auf Bestellung 900422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1016+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1016 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A90PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A90PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A90PZTBGON SemiconductorIGBT Transistors POWER MOSFET 20V 3A 60 MO
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A90PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1030+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3A90PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3A90PZTBG - MOSFET, P-CH, 20V, 4A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3C18PZTAGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3C18PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3C18PZTBGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS3C18PZTBG - MOSFET, P-CH, 12V, 7A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3C18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
683+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 683 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3C18PZTBGON SemiconductorMOSFET PFET UDFN 12V 7A 24MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS3C18PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS4195PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
865+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 865 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS4195PZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTLUS4195PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
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NTLUS4195PZTBGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 15 V
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NTLUS4930NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS4930NTAG - NTLUS4930NTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NTLUS4930NTAGON Semiconductor
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NTLUS4930NTAGON SemiconductorMOSFET NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
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NTLUS4930NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN
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NTLUS4930NTBGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN
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NTLUS4930NTBGonsemiMOSFETs NFET UDFN6 30V 6.3A 26.3M
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NTLUS4C12NTAGON SemiconductorMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
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NTLUS4C12NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.7A UDFN6
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NTLUS4C12NTBGonsemiDescription: NTLUS4C12N - SINGLE N-CHANNEL CO
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NTLUS4C12NTBGON SemiconductorMOSFET COMP UDFN6 30V 10.7A 9MOH
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NTLUS4C16NTAGON SemiconductorMOSFET 30V 9.4A 11.4mOhm SNGL N-CHAN PWR MSFT
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NTLUS4C16NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTLUS4C16NTAG - MOSFET, N-CH, 30V, 9.4A, UDFN
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NTLUS4C16NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.4A 6UDFN
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