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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS43R83200F-6TLI-TRISSIDRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz
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IS43R83200F-6TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256MB 2.5V 166MHZ 66TSOP
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IS43R86400D-5BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 200MHZ 60BGA
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IS43R86400D-5BLISSIDRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
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1+19.81 EUR
10+18.24 EUR
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100+16.9 EUR
190+15.93 EUR
570+15.54 EUR
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IS43R86400D-5BL-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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IS43R86400D-5BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 200MHZ 60BGA
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IS43R86400D-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 200MHZ 60BGA
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IS43R86400D-5BLIISSIDRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
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IS43R86400D-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 200MHZ 60BGA
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IS43R86400D-5BLI-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
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IS43R86400D-5TLISSIDRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
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1+14.33 EUR
10+13.32 EUR
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108+12.32 EUR
216+11.91 EUR
540+11.63 EUR
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IS43R86400D-5TLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 200MHZ 66TSOP
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IS43R86400D-5TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 200MHZ 66TSOP
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IS43R86400D-5TL-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
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IS43R86400D-5TLIISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
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IS43R86400D-5TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 200MHZ 66TSOP
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IS43R86400D-5TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 200MHZ 66TSOP
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IS43R86400D-5TLI-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
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IS43R86400D-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 60BGA
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IS43R86400D-6BLISSIDRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
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IS43R86400D-6BL-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IS43R86400D-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 60BGA
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IS43R86400D-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 60BGA
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IS43R86400D-6BLIISSIDRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
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IS43R86400D-6BLI-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IS43R86400D-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 60BGA
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IS43R86400D-6TLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 66TSOP
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 Mindestbestellmenge: 216 Stücke
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IS43R86400D-6TLISSIDRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
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1+13.61 EUR
10+12.42 EUR
25+12.19 EUR
50+12.09 EUR
108+11.5 EUR
216+11 EUR
540+10.61 EUR
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IS43R86400D-6TL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 66TSOP
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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IS43R86400D-6TL-TRISSIDRAM 512M (64Mx8) 166MHz DDR 2.5v
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IS43R86400D-6TLIISSIDRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
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1+17.64 EUR
10+16.4 EUR
25+15.9 EUR
50+15.66 EUR
108+15.12 EUR
216+14.6 EUR
540+14.22 EUR
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IS43R86400D-6TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 66TSOP
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 Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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IS43R86400D-6TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 66TSOP
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IS43R86400D-6TLI-TRISSIDRAM 512M (64Mx8) 166MHz DDR 2.5v
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IS43R86400E-5BLISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 200MHz,64Mx8
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IS43R86400E-5BL-TRISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 200MHz,64Mx8
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IS43R86400E-5BLIISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 200MHz,64Mx8,IT
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IS43R86400E-5BLI-TRISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 200MHz,64Mx8,IT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400E-5TLISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 200MHz,64Mx8
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IS43R86400E-5TL-TRISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 200MHz,64Mx8
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IS43R86400E-5TLIISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 200MHz,64Mx8, IT
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IS43R86400E-5TLI-TRISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 200MHz,64Mx8, IT
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IS43R86400E-6BLISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 166MHz,64Mx8
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IS43R86400E-6BL-TRISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 166MHz,64Mx8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400E-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400E-6BLIISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 166MHz,64Mx8, IT
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IS43R86400E-6BLI-TRISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 166MHz,64Mx8, IT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400E-6TLISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 166MHz,64Mx8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400E-6TL-TRISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 166MHz,64Mx8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400E-6TLIISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 166MHz,64Mx8, IT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400E-6TLI-TRISSIDRAM DDR,512M,2.5V,RoHs 166MHz,64Mx8, IT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-5BLISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-5BL-TRISSIDRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-5BLIISSIDRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-5BLI-TRISSIDRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-5TLISSIDRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-5TLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SDRAM - DDR
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
Memory Organization: 64M x 8
Access Time: 700 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 66-TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.34 EUR
10+8.46 EUR
25+8.28 EUR
40+8.23 EUR
108+7.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-5TL-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-5TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.41 EUR
10+12.79 EUR
25+12.21 EUR
40+11.91 EUR
108+11.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-5TLIISSIDRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.61 EUR
10+20.06 EUR
25+19.46 EUR
50+18.98 EUR
108+18.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-5TLI-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-6BLISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-6BL-TRISSIDRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-6BLIISSIDRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-6BLI-TRISSIDRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-6TLISSIDRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-6TL-TRISSIDRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-6TLIISSIDRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43R86400F-6TLI-TRISSIDRAM 512M 64Mx8 166MHz DDR 2.5V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128A-107MBLISSIDRAM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128A-125KBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR3 2GB 96BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128A-125KBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR3 2GB 96BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128A-125KBL-TRISSIDRAM 2G 1.5V, (128M x 16) DDR3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128A-125KBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR3 2GB 96BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128A-125KBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR3 2GB 96BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128A-125KBLI-TRISSIDRAM 2G 1.5V, (128M x 16) DDR3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128A-15HBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128A-15HBL-TRISSIDRAM 2G 1.5V, (128M x 16) DDR3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128A-15HBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128A-15HBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128A-15HBLIISSIDRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.5V 96-Pin FBGA Мікросхеми пам'яті
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128A-15HBLIISSIDRAM 2G 1.5V, (128M x 16) DDR3 SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43TR16128A-15HBLI-TRISSIDRAM 2G 1.5V, (128M x 16) DDR3
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IS43TR16128A-15HBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 667 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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IS43TR16128A-187FBLIISSIDRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1066MT/s @ 7-7-7, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
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IS43TR16128AL-125KBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR3 SDRAM 2GBIT 96FBGA
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IS43TR16128AL-125KBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR3 2GB 96BGA
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IS43TR16128AL-15HBLISSIDRAM 2G 1.35V (128M x 16) DDR3 SDRAM
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IS43TR16128B-107MBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
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