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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SK302-Y(TE85L)ToshibaMOSFET S-MINI FET(HF),DISCON(07-10)/OBSOLETE(09-07),
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2SK302-Y(TE85L,F)ToshibaMOSFET S-MINI FET,DISCON(07-10)/OBSOLETE(10-07),
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK302-Y(TE85LF)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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2SK302-Y/TYTOSHIBASOT-23 02+
auf Bestellung 847 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK302-YGRTOSHIBA
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3020
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3020-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
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2SK3020-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V
auf Bestellung 2141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
79+0.27 EUR
126+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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2SK3020-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-723 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3020-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3021
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK302200LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 60V 5A U-G2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-G2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2Sk3024
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK302500LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 60V 30A U-DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3025U0LPanasonicMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 30A UG-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3025U0LCTPanasonicMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 30A UG-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3025U0LTRPanasonicMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 30A UG-2
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2SK3028
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK302YTOSHIBA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK303SANYO
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK303-3-TB-EonsemiDescription: NCH J-FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1010+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1010 Stücke
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2SK303-3-TB-EON Semiconductor2SK303-3-TB-E
auf Bestellung 14321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.43 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK303-3-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK303-3-TB-E - 2SK303 - N-CHANNEL J-FET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK303-3-TB-EON Semiconductor2SK303-3-TB-E
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
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2SK303-V2
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK303000LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 100V 8A U-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-G1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK303100LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 100V 15A U-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-G1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3034TOSHIBA
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3035PANPSONIC09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3038
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK303V4-TBSAYNOSOT23
auf Bestellung 3620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK304SANYO
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3042
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3043Panasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 450V 5A TO220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3043PANASONIC
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3044
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3044Panasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 450V 7A TO220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3045Panasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3045
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3046TOSHIBA
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3046Panasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3047
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3047Panasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3048
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3048Panasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3049
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK304C
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK304D
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK304E-SPAON Semiconductor2SK304E-SPA
auf Bestellung 39623 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
901+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
1588+0.1 EUR
1852+0.084 EUR
2084+0.073 EUR
2632+0.055 EUR
10000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 901 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK304E-SPAonsemiDescription: NCH J-FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK304E-SPA-AConsemiDescription: NCH J-FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK304F
auf Bestellung 26000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3050
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3050ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3050TLROHM SemiconductorMOSFETs POWER MOSFET SURF MOUNT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3050TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3051
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3053-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3054NEC
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3054-T1NECSOT23/SOT323
auf Bestellung 2674 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3054-T1-ARenesasTrans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2381+0.27 EUR
10000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2381 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3054-T1-ARenesasTrans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
840+0.21 EUR
995+0.17 EUR
1124+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 840 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3054-T1-ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA SC70-3 SSP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 3 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1581+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1581 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3054-T1-ARenesasTrans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
840+0.21 EUR
995+0.18 EUR
1124+0.15 EUR
1136+0.14 EUR
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2SK3054C(0)-T1-ARenesas ElectronicsMOSFET
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2SK3054C(0)-T1-ATRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3054C-T1-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3054C-T1-ATRenesas ElectronicsMOSFET
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2SK3054T106
auf Bestellung 75000 Stücke:
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2SK3054T1B
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2SK3055
auf Bestellung 5800 Stücke:
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2SK3055(1)-AZRenesasSwitching N-Channel Power Mos FET Industrial Use
auf Bestellung 100257 Stücke:
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143+4.62 EUR
500+4.31 EUR
1000+3.99 EUR
10000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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2SK3055(1)-AZRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 100257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
109+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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2SK3055-AZRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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109+5.07 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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2SK3055-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3056NECSOT263
auf Bestellung 2800 Stücke:
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2SK3056-ZNEC2002 TO-263
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3056Z
auf Bestellung 5800 Stücke:
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2SK3057NEC
auf Bestellung 5800 Stücke:
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2SK3057-AZRenesas Electronics CorporationDescription: 2SK3057 - POWER TRS2
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
118+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
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2SK3057-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SK3058-AZRenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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2SK3058-Z-E1-AZNEC CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
137+3.9 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
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2SK3058-Z-E1-AZNEC Corporation2SK3058-Z-E1-AZ
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+3.65 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3058Z
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3059NEC
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3060-Z-E1-AZRenesasSWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+12.55 EUR
100+11.75 EUR
500+10.9 EUR
1000+10.06 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3060-Z-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+12.71 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3060Z
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3061
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3062Z
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3064PANASONIC
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK306400LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1µA
Supplier Device Package: SMini3-G1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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2SK306400LPANASONIC
auf Bestellung 5800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3064G0LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3-F2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1µA
Supplier Device Package: SMini3-F2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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2SK3065 T100ROHMSOT89
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SK3065T100ROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 60V 2A
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3065T100ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 0.5W; SC62; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SK3065T100ROHMDescription: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 396 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
159+1.46 EUR
189+1.14 EUR
233+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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2SK3065T100Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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